当尺寸减小到0．35微米时，硅化钨也不能满足器件需求时，硅化钛（TiSi。）被广泛应用。硅化钛通常是在自对准的金属硅化物（Salicide）的制程中形成的。首先用湿法刻蚀的方法在化学溶液内清洗晶圆表面去除污染物和微粒。
钛基复合材料中硅化物析出相研究,钛合金,硅化物,机械合金化,扩散偶。本论文通过机械合金化的方法,了过饱和的钛合金粉末,XRD分析了不同球磨时间的物相组成,发现钛的衍射峰有偏移、宽化、联...
合金元素Si在钛合金中作用研究进展_董飞.pdf,合金元素Si在钛合金中作用的研究进展董飞,何国强,张贵田(西北工业大学航天学院,陕西西安710012)摘要:综述了Si在钛合金中作用的文献成果。主要内容包括Si在钛合金中存在状态及Si对钛合金室温、高温性能的影响。
金属硅化物的熔点很高（高于2000℃），其在1600℃下具有很好的热稳定性、防氧化性以及良好的力学性能，近年来已成为高温材料研究的新热点，有代表性的产品如硅化镍（Nb5Si3）、硅化钛（Ti5Si3）、硅化锆（Zr5Si3）等。
65nm以下cmos镍硅化物中镍过度扩散的工艺优化.IIIIIIIIIIIIIIIY1972483在半导体制造业中，自对准金属硅化物被广泛应用在源、漏、栅极与金属之间的接触，在大规模和超大规模CMOS逻辑集成电路技术中起着非常重要的作用。.随着晶体管集成度越来越高，器件尺寸...
催化方向博士论文，可以下载参考以下论文：[1]邢培哲.催化热解—原子吸收法快速测定食品中镉的研究[D].河北工程大学,2021.[2]王欢.中空多壳层镍基材料的电催化析氧特性及宏量[D].北京科技大学,2021.
金属硅化物在IC的制造工艺中通常用作导电接触和互联薄膜材料。针对上面的问题，目前，金属硅化物很重要的一个应用就是降低接触电阻。通过自对准工艺，采用硅化物将整个源漏区和栅区金属化，使金属不直接与硅接触，而先与硅化物接触。
上海大学硕士学位论文高压功率集成电路中的LDMOS的设计研究姓名：高海申请学位级别：硕士专业：光学指导教师：余炳鲲;程东方20040601上海大学工学硕士论文677606上海大学本论文经答辩委员会全体委员审查，确认符合上海大学硕士学位论文质量要求。
2实验结果TM观察发现，合金基体中包含两种颗粒度E此相差较大的硅化物，类粒度达10~30a图1一00m(~高温钛合金硅化物在固溶处理及热暴露过程中的析出行为；用Clhd相图计算技术和钛合金热利aap图4;一类粒度约为l)另0~4m(5图6。
通讯作者：陈志刚，邹进第一作者：史晓磊第一单位：澳大利亚南昆士兰大学未来材料中心核心内容1.综述从热电转换基本原理出发，总结了近年来高性能热电材料与器件设计的最新研究进展，包括不断完善的热电性能优化机制、先进的热电材料与器件制造工艺，能带和结构工程的广泛应用、多...
(论文在解密后遵守此规定)作者签名:二〇一三年月日i/30硅-钛复合物的与性能摘要由于硅是在锂合金化的过程中体积会发生很大的变化,并导致其容量迅...
1、论文重点介绍单片集成压扩器NE570在电信系统中的应用。文中给出了NE570的四种应用电路。2、对纳米二氧化钛在化妆品中的应用进行了详细探讨,并介绍了国外化妆品用的纳米二氧化钛...
TiSi2的形成及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用自对准形成钛硅化物薄膜(Ti-SALICIDE),以形成良好的欧姆接触和减小器件互连线电阻.本文介绍了钛与单晶硅,多晶硅形成的硅化物...
复旦大学硕士学位论文自对准硅化钛工艺(TiSalicide)的应用和优化姓名:晏江虎申请学位级别:硕士专业:电子与通信工程指导教师:汪礼康;高峰20051031中文摘...
中国博士学位论文全文数据库前10条1任招娣;TiSi纳米线/硅化钛薄膜一体结构的、性能及应用研究[D];浙江大学;2012年2郭经纬;Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线及异质结构的与特性...
内容提示:复旦大学硕士学位论文自对准硅化钛工艺(TiSalicide)的应用和优化姓名:晏江虎申请学位级别:硕士专业:电子与通信工程指导教师:汪礼康;高峰20051031中...
硅化钛薄膜的APCVD工艺研究-化学工程专业论文.docx,ABABSTRACT万方数据万方数据ABSTRACTDuetolowresistivity,hightemperatureresistantandgoodthe...
【摘要】:硅化钛兼具低电阻率、耐高温及稳定性好等优点,广泛应用在集成电路和高温材料等领域。本文以TiCl4-SiH4-N2为反应体系,在玻璃基板上常压化学气相沉积法(APCVD)得...
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10石勇;曹贵平;张明华;朱中南;;钛硅分子筛催化剂条件下苯酚羟化制苯二酚的过程[J];上海师范大学学报(自然科学版);2005年04期中国博士学位论文全文数据库前6条1周春晖;新型...