稳定性对测量数据准确与否起着非常重要的作用，本论文正是出于此目的，对用四探针法测量硅片的微区薄层电阻率的稳定性进行了较深刻的研究。.本文开展了以下研究工作。.讨论了微区电阻测试的重要性，综述如今已研究出来的各种测试方法的特点；详细...
掺镓硅片电阻率对太阳电池性能的研究-宋志成吴翔陈璐魏凯峰-国家电投集团西安太阳能电力有限公司.pdf电力设备及新能源行业光伏产业研究系列报告（2）-东方证券.pdf多晶PERC电池抗LeTID研究进展及相关测试标准-王伟-协鑫集成.pdf
用四探针法测试硅片微区薄层电阻的稳定性研究2.doc,河北工业大学硕士学位论文用四探针法测试硅片微区薄层电阻的稳定性研究摘要随着电子科学技术的发展，各种电子设备的电路尺寸越来越小，集成化程度越来越高，这就要求制作电路的核心材料---半导体材料的各种电气性能稳定。
这是硅片电阻率与掺杂浓的的对照表，但是我不知道该怎么查询，左边一栏是电阻率，那右边0.0、0.1、0.2指的是啥啊？求助这个表到底怎么用，我想知道某一电阻率范围的硅片的大致掺杂浓度，谢谢！电化学光电池和光电化学
技术壁垒：硅片的技术指标比较大，除去常见的尺寸大小，抛光片厚度等等外，还有硅片的翘曲度，电阻率，弯曲度等等。在主流的300mm硅片方面，由于先进制程对于硅片的均匀性要求较高，所以相对于200mm晶圆，增加了平整度，翘曲度，弯曲度，表面金属残余量等等参数来监测300mm硅片的…
半导体行业深度报告：半导体硅片行业全攻略.市场认为国内硅晶圆会过度投资，我们认为国内硅晶圆产业起点低、起步晚，且长晶技术是决定硅片参数的核心环节，主要体现在炉内温度的热场和控制晶体形状的磁场设计能力。.硅抛光晶圆的主要技术指标包括...
高效硅基太阳能电池必须基于性能卓越的硅片，其中单晶硅太阳能电池转换效率最高．单晶硅的提炼方式主要有直拉法（CZ）和区熔法（FZ）两种，其中少子寿命、电阻率等参数是评判单晶硅片质量的重要技术标准．本论文由以下几个部分组成：概述几种
汞探针CV测试仪测量硅重掺衬底外延层电阻率的准确性和稳定性.pdf,IUlIIIIIIIIlllII[1lllllIII摘要本论文针对公司使用汞探针CV495测试仪测量重掺衬底硅外延层电阻率时，发现所得结果有不稳定情况，从而导致大批产品报废的问题进行研究。首先，分析了影响测试结果稳定性、重复性的各种因素；在此...
直排四探针电阻率硅圆片非圆心点直径修正因子F_2的简易求法.介绍Si片电阻率和薄层电阻的四探针法测量中,一种简便而精确的求非圆心处F_2值的方法.通过文献互助平台发起求助，成功后即可免费获取论文全文。.您可以选择微信扫码或财富值支付求助...
其中，适用于集成电路行业的是半导体级的硅片半导体硅片对产品质量及一致性要求极高，其纯度须达99.9999999%以上，而最先进的工艺甚至需要做到...
摘要:本文研究了不同硅片电阻率硅片在制造过程中的少子寿命、扩散方阻和制成电池片后的电性能情况。电阻率越高,扩散后方阻较高,钝化后硅片的少子寿命越高,转换...
结果显示基体电阻率越高,扩散后的方阻越高,采用电化学电压电容(ECV)测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化,ECV测量的结果表明了电阻率高的硅片扩散后表面浓度低、结深越小,是扩...
1.一种半导体硅片的电阻率测试方法,包括以下步骤:首先,在半导体硅片(10)的每一个芯片(20)上制作出电阻率测试结构(30);其次,将电阻绘制仪器的电压直接加载到...
引用回帖:3楼:OriginallypostedbymacroHat2017-04-1715:29:260.0、0.1、0.2指的是小数位...
中华人民共和国国家标准半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试.PDF,ICS29.045H80中华人民共和国国家标准GB/T6616-200×代替GB/T6616-1995半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻...
摘要:提出一种新的硅片电阻率均匀性测量方法.介绍了电阻率测量系统的各部分构成,主要包括多路选择开关、恒流源以及A/D转换电路.系统以单片机为核心,控制测量过...
摘要:本文将电阻率为0.2～4Ω·cm的掺镓硅片分别成常规铝背场电池和PERC电池,并对电池的少子寿命、电性能参数和光致衰减进行测量,研究了电池性能的差别,为掺...
硅抛光晶圆的主要技术指标包括直径、晶体工艺、掺杂剂、晶向、电阻率、厚度等,其他质量指标包括缺陷密度、氧含量、碳含量、翘曲度等,其中大部分参数由长晶技术决定。下游芯片制程...
硅片是硅棒切出来的,每一张硅片电阻率反映的是硅棒上某一位置的电阻率。追问能不能从专业的角度去解释一下啊?追答硅棒的电阻率分布是不均匀的,不同的位置,电阻率...
单晶晶向少，粒子进去就不会撞撞撞