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稳定性对测量数据准确与否起着非常重要的作用，本论文正是出于此目的，对用四探针法测量硅片的微区薄层电阻率的稳定性进行了较深刻的研究。.本文开展了以下研究工作。.讨论了微区电阻测试的重要性，综述如今已研究出来的各种测试方法的特点；详细...
摘要：本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率，对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响，采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻，结果显示基体电阻率越高，扩散后的方阻越高，采用电化学电压电容（ECV）测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化...
用四探针法测试硅片微区薄层电阻的稳定性研究2.doc,河北工业大学硕士学位论文用四探针法测试硅片微区薄层电阻的稳定性研究摘要随着电子科学技术的发展，各种电子设备的电路尺寸越来越小，集成化程度越来越高，这就要求制作电路的核心材料---半导体材料的各种电气性能稳定。
半导体硅片清洗工艺的发展研究毕业论文方法,研究,论文,毕业论文,硅片清洗,发展,清洗硅片,半导体工艺,半导体,研究半导体硅片清洗工艺的发展研究【摘要】随着大规模集成电路的发展，集成度的不断提高，线宽的不断减小，对硅片的质量要求也越来越高，特别是对硅抛光片的表面质量要求越来...
半导体行业深度报告：半导体硅片行业全攻略.市场认为国内硅晶圆会过度投资，我们认为国内硅晶圆产业起点低、起步晚，且长晶技术是决定硅片参数的核心环节，主要体现在炉内温度的热场和控制晶体生长形状的磁场设计能力。.硅抛光晶圆的…
方块电阻可以理解为硅片上正方形薄膜两端之间的电阻，它与薄膜的电阻率和厚度相关，与正方形薄层的尺寸无关。四探针将四个在一条直线上等距离放置的探针依次与硅片进行接触，在外面的两根探针之间施加已知的电流，同时测得内侧两根探针之间的电势差，由此便可得到方块电阻值。
其中，适用于集成电路行业的是半导体级的硅片半导体硅片对产品质量及一致性要求极高，其纯度须达99.9999999%以上，而最先进的工艺甚至需要做到...
表征薄层电阻的Mapping技术研究1-4-4图像处理方法图像处理技术始于上世纪六十年代，由于当时实验条件落后，科学技术不发达，使这项技术难以推广，发展缓慢。.现今，科学技术不断地创新发展，图像处理技术应用范围也越来越广，在八十年代，这项技术...
用区熔法(floatingzone，FZ)制作的硅片主要用于功率器件[13–14]的，硅片尺寸以8inch及以下尺寸为主｡与CZ法制作的硅片相比，FZ法最大的特点就是拉制单晶的电阻率相对较高，纯度更高，能够耐高压;但是大尺寸硅片困难，而且机械能较差，所以在集成
笔者在整理从19年1月到3月的10篇Nature子刊中，竟然偶然地发现了一个共同点，即它们在文末竟然都有这个！也就是说，他们都是相同地使用了COMSOL模拟或优化数据，或模拟原理，为文章提供坚实的理论支撑。比如…
不同硅片电阻率对太阳能电池电性能影响研究摘要:本文研究了不同硅片电阻率硅片在制造过程中的少子寿命、扩散方阻和制成电池片后的电性能情况。电阻率越高,扩散后方阻较高,...
摘要:本文研究了不同硅片电阻率硅片在制造过程中的少子寿命、扩散方阻和制成电池片后的电性能情况。电阻率越高,扩散后方阻较高,钝化后硅片的少子寿命越高,转换...
分享于2015-06-2321:38:10.0磁场下减压充氧直拉硅单晶的电阻率地研究文档格式:.pdf文档页数:4页文档大小:199.57K文档热度:文档分类:论文--期刊/会议...
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,扩散后的方阻越高,采用电化学电压电容(ECV)测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化,ECV测量的结果表明了电阻率高的硅片扩散后表面浓度低、结深越小,是扩散后方阻高的原因,这些...
不是越高或越低越好，电阻在1.5左右时转换效率最高。。。可控范围0.5--3就ok了。。。 .new-pmd.c-abstractbr{display:none;}更多关于硅片电阻率重要性论文的问题>>
电阻率是多晶硅产品质量检验最主要的指标之一,其数值高低可以反映出由其生产的硅片的转化率的大小。在多晶硅生产中,电阻率的高低可以反映出多晶硅产品中金属杂...
.791.05251.04331.01841.06252.2753.151.05251.04331.01691.0600高方阻不同厂家1.6145.971.04881.04831.01911.0644电阻率对效率的影响较大...
本文阐述了硅单晶电阻率对硅功率器件温度特性的影响,指出了如何根据硅功率器的额定结温和反向不重复峰值电压两项指标正确,恰当选取硅单晶的电阻率,这对硅功率器件的设计,特别...
**晶澳太阳能电阻率对效率的影响较大,并且硅片电阻率-电池工艺有一定的匹配性。[2][2]屈莹.不同电阻率太阳能电池制作工艺探索及电性能研究[C].第十一届...