实验硅热氧化工艺难点.doc,实验硅热氧化工艺在硅片表面生长一层优质的氧化层对整个半导体集成电路制造过程具有极为重要的意义。它不仅作为离子注入或热扩散的掩蔽层，而且也是保证器件表面不受周围气氛影响的钝化层，它不光是器件与器件之间电学隔离的绝缘层，而且也是MOS工艺以及多层...
第一章热氧化工艺..ppt,5、影响氧化速率的因素(1)温度对氧化速率的影响：(2)氧化气氛对氧化速率的影响：(3)氧化剂气压对...
2013半导体工艺学silvaco实验报告电子11021121404925.1.1硅的局部氧化工艺中鸟嘴效应的25.1.2混合环境的氧化25.1.5LOCOS工艺中多晶硅缓冲25.1.9沟槽侧墙向氧化的方向性25.1.10沟槽氧化过程中的无效区的形成24.1.1硼掺杂和退火...
KEYWORDSSiCcorrosion碳化硅材料具有比金属和金属间化合物好的高温强度和抗蠕变性能，比氧化物陶瓷好的热导率和抗热震性能碳化硅材料家族主要包括SiCSiC为主相的材料、SiC纤维增强陶瓷材料以及CVDSiC，它们得到了较广泛的应用.SiC基材料已被用来制作热...
集成电路制造工艺——应变硅技术.传统的CMOS技术通过工艺微缩来提供更好的器件性能和更高的元件密度，从而在更低的成本下获得更好的系统性能。.然而，随着工艺的不断微缩，传统的金属氧化物半导体场效应晶体管结构正受到一些基本要求的限制，它所...
热氧化工艺生长出的SiO2由于其电阻率高的特点，在半导体器件和集成电路中广泛用作绝缘栅、绝缘隔离、互连导线隔离材料和电容器的介质层等。4薄膜沉积薄膜沉积是在晶圆表面生长出新的材料，主要作用是构筑绝缘层、半导体层或导电层等...
晶体硅太阳电池的SiN_x:H/热氧化SiO_2双层结构的表面钝化特性研究第十届中国太阳能光伏会议周春兰,唐煜,王文静,等.晶体硅太阳电池的SiNx:H/热氧化SiO2的双层结构的表面钝化特性研究...
导读:本文是一篇关于实验氧化论文范文,可作为相关选题参考,和写作参考文献。(重庆能源职业学院,中国重庆402260)【摘要】本文分析了TCAD技术的在实验教学中...
由于二氧化硅是硅MOS结构以及器件的重要组成部分,而且二氧化硅可以对硅表面起保护作用,对器件的稳定性影响很大,因此对二氧化硅的深入研究显得格外重要。文章从Si的干氧热氧化...
1范帆冯娜;镁冶炼技术创新结硕果[N];中国有色金属报;2009年2夏德宏;金属镁冶炼的发展简史[N];中国有色金属报;2009年中国硕士学位论文全文数据库前1条1李蕾;真空硅热还原...
填空题:1、在硅-二氧化硅系统中存在___电荷、可动电荷、界面态电荷和氧化层电荷。2、温度是影响氧化速率的一个重要因素,温度越高,氧化速率越___(大/小)。...
硅微通道阵列高温氧化过程中热应力分布模拟,孙振庭,王宇,硅微通道阵列经高温氧化过程会产生不规则形变,是高温环境下产生的热应力所致。本文通过用ABAQUS有限元...