论文最后研究了选择性外延锗化硅籽晶层的生长.随着技术越来越先进,锗的含量也随着提高.同时在锗化硅中掺入硼元素,减少热预算.这两个发展方向都离不开锗化硅籽晶层的生长.本文研究了如何生长质量均匀的籽晶层,使它既能阻挡硼的扩散,又能很好的衔接锗硅硼的
锗硅外延工艺的调试与优化.pdf,目录摘要Abstract引日第一章导论1．1HBTSiGe技术发展一81-2锗硅外延的性质101．2．1锗硅的晶体结构101．2．2应变与弛豫1l1．2．3临界膜厚131．2．4器件用锗硅的基本结构141．3SiGe生长技术16...
浙江大学硕士学位论文UHVCVD外延生长——薄硅及锗硅单晶薄膜姓名：崔继峰申请学位级别：硕士专业：材料物理与化学指导教师：叶志镇20040101UHV／CVD外延生长…薄琏及锗硅单晶薄膜摘要本文利用超高真空化学气相沉积（UHV／CVD）技术，在低温生长环境（500．660。
UHVCVD外延生长——薄硅及锗硅单晶薄膜.崔继峰.【摘要】：本文利用超高真空化学气相沉积(UHV／CVD)技术，在低温生长环境(500-660℃)对薄硅外延及锗硅外延工艺进行了摸索。.主要包括锗硅单层和多层结构外延过程生长特性及表征，以及生长机理的研究。.使用...
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随着芯片产业的快速发展,对集成化的要求越来越高,电互连技术已经越来越接近其瓶颈——随着器件尺寸的不断减小,电子器件尺寸已经接近其物理极限,研发尺寸更小的器件需要的成本飞速升高,导致半导体技术的更新增长速度已经放缓。光互连技术具有传输速度快、带宽宽和抗干扰
对外延生长的硅薄膜进行XRD测试，但只在69度附近出现一个强峰，而且强峰还成了两个峰，这个位置倒是在（400）对应的峰位附近。其他位置基本看不到峰，虽然查到一些说法说这是择优取向造成其他峰看不到，但JADE检索直接说...
硅外延片建设项目可行性研究报告硅外延片建设项目江苏XX新材料科技有限公司二零二一年备注：如需量身编制可研报告去备案立项，需要联系工程师提供项目基本情况，进行量身编制，填写项目清单详细清单及编制流程沟通；工程师:范兆文QQ;46,文客
图1.无需温度控制的硅基光发射机芯片示意图晶圆键合是目前混合集成方案中被人们寄予期望最高的光源集成技术。采用晶圆键合技术，人们可将III-V族材料外延层集成至硅波导等硅光器件上方，由III-V族材料产生的光可通过倏逝波耦合的方式进入硅光子回路，完成片上光源与硅光子芯片的混合集…
对于外延薄膜硅太阳能电池，最近的结果非常令人期待和鼓舞人心，但是在考虑批量生产之前，其效率必须达到14-15%的范围。此外，扩大外延层生长设备的规模，以及低成本硅衬底的制造，对于将这种太阳能电池成功地投入量产都是必须的。
2.下面来分析一下这些雾状缺陷中杂质的来源,硅外延片中的杂质来源于多种渠道,硅外延片使用的衬底即硅单晶片切片、磨片、抛过程中的沾污,其余工序中也可能带入;...
本文主要研究IGBT用硅外延常压生长工艺,开发IGBT用硅外延的自掺杂抑制技术和微缺陷控制方法。论文详细阐述了在常压设备条件下,IGBT用硅外延生长的工艺优化技术,主要进行了以...
内容提示:河北工业大学硕士学位论文P型硅外延片工艺技术的研究姓名:安静申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:杨瑞霞2011-03河北工业大学...
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浙江大学硕士学位论文UHVCVD外延生长——薄硅及锗硅单晶薄膜姓名崔继峰申请学位级别硕士专业材料物理与化学指导教师叶志镇20040101外延生长…薄琏及锗硅单...