浙江大学硕士学位论文UHVCVD外延生长——薄硅及锗硅单晶薄膜姓名：崔继峰申请学位级别：硕士专业：材料物理与化学指导教师：叶志镇20040101UHV／CVD外延生长…薄琏及锗硅单晶薄膜摘要本文利用超高真空化学气相沉积（UHV／CVD）技术，在低温生长环境（500．660。
碳化硅外延材料生长及表征技术研究.本文对同质外延碳化硅单晶材料的生长机理和生长层的表征方法进行了研究。.研究了n型4H－SiC当磁场平行于生长轴且电场垂直于生长轴时霍尔迁移率随温度变化的关系；在生长机理的研究方面，主要对在碳化硅衬底材料上...
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论文最后研究了选择性外延锗化硅籽晶层的生长.随着技术越来越先进,锗的含量也随着提高.同时在锗化硅中掺入硼元素,减少热预算.这两个发展方向都离不开锗化硅籽晶层的生长.本文研究了如何生长质量均匀的籽晶层,使它既能阻挡硼的扩散,又能很好的衔接锗硅硼的
虽然生长出的外延层依然存在少量裂纹，但是相比GaN在硅衬底大面积生长方式（未采用缓冲层和图形化衬底），位错密度显著减小了[72,94]原位掩膜技术和各种应变缓冲层技术结合起来使用可以在硅衬底生长无裂纹高质量的GaN外延层[45,63-66]，但是
锗硅外延工艺的调试与优化.pdf,目录摘要Abstract引日第一章导论1．1HBTSiGe技术发展一81-2锗硅外延的性质101．2．1锗硅的晶体结构101．2．2应变与弛豫1l1．2．3临界膜厚131．2．4器件用锗硅的基本结构141．3SiGe生长技术16...
对外延生长的硅薄膜进行XRD测试，但只在69度附近出现一个强峰，而且强峰还成了两个峰，这个位置倒是在（400）对应的峰位附近。其他位置基本看不到峰，虽然查到一些说法说这是择优取向造成其他峰看不到，但JADE检索直接说...
UHVCVD外延生长——薄硅及锗硅单晶薄膜.崔继峰.【摘要】：本文利用超高真空化学气相沉积(UHV／CVD)技术，在低温生长环境(500-660℃)对薄硅外延及锗硅外延工艺进行了摸索。.主要包括锗硅单层和多层结构外延过程生长特性及表征，以及生长机理的研究。.使用...
半导体材料外延生长.ppt,第五章硅外延生长electrodeTATAUI2IQeoLsop-typeZno:PtypeZno:P5.1外延生长概述只有体单晶材料不能满足日益发展的各种半导体器件制作的需要,1959年末开发了薄层单晶材料生长技术一一外延生长外延生长就是在...
二维单晶六方氮化硼的外延及其生长机理研究：中国科学院物理研究所博士后王理、北京大学物理学院博士后徐小志、北京大学物理学院博士生乔瑞喜，蔚山国立科技大学张磊宁为论文共同第一作者；北京大学物理学院教授刘开辉，基础科学研究所研究员丁峰、苏黎世联邦理工学院王...
为了提高硅衬底上HEMT材料质量,使其满足高性能器件的要求,本论文主要围绕HEMT外延生长中缓冲层设计、应力控制层设计、翘曲控制、高阻层设计和AlGaN/GaN/Ga(Al)N源区设计...
中国博士学位论文全文数据库前10条1汪婷;激光CVD外延生长SmBCO超导薄膜的研究[D];武汉理工大学;2018年2戴淑君;硅基AlInGaN/AIN/GaNHEMT外延生长与器件工艺研究[D];中国科...
浙江大学硕士学位论文UHVCVD外延生长——薄硅及锗硅单晶薄膜姓名崔继峰申请学位级别硕士专业材料物理与化学指导教师叶志镇20040101外延生长…薄琏及锗硅单...
中国重要会议论文全文数据库前10条1刘祥林;汪连山;陈振;袁海荣;陆大成;王晓晖;汪度;;硅衬底上生长氮化镓外延材料的研究[A];2000年材料科学与工程新进展(下)——2000年中国材...
硅基微结构上的GaN外延生长研究-GaN材料是一种宽禁带半导体材料,直接带隙为3.4eV,被广泛应用于光电子器件、高功率器件以及高频电子器件中。由于难以GaN材料的体单晶,因此...
第19卷第8期半导体学报.19,.8VolNo1998年8月.,1998CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORSAug低温生长硅外延层的性能研究UHVCVD...