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对于配套的功率器件，安森美半导体提供PowerTrenchN沟道MOSFET系列，雪崩击穿电压范围从40V至150V甚至更高，具体取决于应用。使用一个专用的逆变器网络来驱动通用臂制动器和末端执行器的BLDC相绕组，这个逆变器系统包含高达150V耐压的PowerTrench功率器件。
安森美半导体推出带集成...79人阅读1页¥0.50飞兆半导体与四川长虹扩...27人阅读1页¥0.50©2021Baidu|由百度智能云提供计算服务|使用百度前必读|文库协议|广告服务...
安森美半导体的1600万像素XGS传感器为工厂自动化和智能交通系统(ITS)带来高质量、低功耗成像贸泽电子联手安森美半导体推出全新资源网站探索高功率电源转换策略与解决方案安森美半导体的智能感知技术赋能AutoX第5代无人驾驶系统的360度视觉
安森美半导体创新的ATPAK封装用于汽车应用.随着汽车功能电子化趋势的不断增强，汽车内的电子元件越来越多，应用环境日益严苛，汽车设计工程师需要考虑空间和性能等多方面因素，功率MOSFET是提供低功耗和更小尺寸的理想器件，被广泛用于许多汽车应用...
在我30多年的职业生涯中，我非常感谢我在职业生涯之初的导师们。他们了我团队合作、持续改进以及为企业和行业做出贡献的重要性。三十年前，我的职业生涯从摩托罗拉日本会津公司开始，哪里的工程师们为我奠定了半导体运营的基础和知识。多年来，这些导师们不断给予鼓励，倡导个人...
日前，安森美半导体宣布更名为安森美，并启用了全新品牌。安森美下一步发展计划，将打造成为智能电源和传感技术的领先供应商。随着对汽车和工业终端市场的持续关注，安森美正在加强其推动颠覆性创新的战略，以实现并促进高增长大趋势的可持续生态系统，如汽车电气化、高级安全、可...
一文带你看完ISPSD怎么推进功率半导体技术发展？.第31届功率半导体器件和集成电路国际会议(InternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICs，ISPSD)将于2019年5月19-23日在上海宝华万豪酒店举办，这是ISPSD会议举办30多年以来第一次在中国内地召开...
要说自2020年至今最牛的新股，当属斯达半导。截至3月3日，斯达半导已经连续收获了21个涨停板，涨幅高达700%，创下了新股上市一字涨停板数量的近三年新高。其中中签的股民仅是单签盈利就已经最起码赚了11万，已经超过之前的公牛集团。
本论文是基于本实验小组与国内某著名半导体制造商的合作课题，主要目的是研发一款具有高雪崩耐量的600V平面栅VDMOS器件，籍此推动高性能VDMOS的国产化。本论文的主要内容如下：首先介绍了VDMOS器件设计的理论基础和雪崩耐量的加固方法。
安森美半导体今天收录于话题#机器视觉3#电机控制1#激光雷达3#无线连接1#电源2点击蓝字关注我们工业自动化简单说来指从人力制造转向机器人制造，涉及...
安森美半导体(ONSemiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压TrenchMOSFET,以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20VMOSFET,适用于-430mA至-950mA...
AtrenchMOSFETwithon-resistancereductioncomprisesatrenchedgatesurroundedbyasourceregionencompassedinabodyregionaboveadrainregi...
记者获悉,安森美收购的这家位于纽约东菲什基尔的12英寸晶圆厂,从2020年的第三季度(9月)就开始生产和出货安森美TrenchMOSFET产品。而且,安森美也在持续认证更多的产品,预计2021年这...
它集成两个基于安森美半导体PowerTrench®技术的高性能功率MOSFET,和一个具有高精度电流传感器的智能驱动器以实现最佳的处理器性能。在Electronica展会的电源转...
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安森美半导体推出基于DSP的系统级芯片_电子/电路_工程科技_专业资料。L业界要闻巾国集成电路ChinaIntegratedCircuit时提供详细的设计文档,从而缩短...
论文“Studyontheapplicationofisolationtrenchinframestructures”研究隔震沟对框架结构的振动控制问题,论文采用英文撰写是很好的尝试,但英文还需较多改进。论文第...
安森美半导体推出带集成肖特基二极管的MOSFET【分类号】:F416.63下载全文更多同类文献PDF全文下载CAJ全文下载(如何获取全文?欢迎:购买知网充值卡、在线...
为推进MOSFET实现更高能效,安森美半导体开发出微间距沟槽(Finepitchtrench)技术、夹焊(Clipbonding)技术和领先行业的、创新的ATPAK封装技术。微间距沟槽技术通过减小门极单元间距,提供更高单元...
利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器trenchcapacitorsbasedonsemiconductorpnjunctioncapacitance.pdf,No.10第28卷第10期电子元件与材料、b1.282009年10月ELECTRoNI...