2016年3月，YMTC突然宣布要进军3DNAND。YMTC以较高的薪资待遇汇集了大批的日本、、等地的半导体技术人员，首先致力于32层的研发。仅仅用了一年的时间就成功研发了32层的产品，且跳过48层直接开始研发64层。同时，2019年9月17日，YMTC
来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自「eetimes.jp」，谢谢。“IMW2020”论文集的表纸。（图片出自：InternationalMemoryWorkshop论文集的第一页）2020年5月17日-20日举行了在线IMW（InternationalMemoryWorkshop），笔者自2018年起已经连续三年参加IMW会议，而在线会议还是首次参加。
在今年的ISSCC上，三星在session11发表了论文《A512Gb3b/cell64-StackedWL3DV-NANDFlashMemory》。根据这篇论文，我们可以比较从64层3DNAND到2DNAND的各种工艺的位密度。下面的表格给出了三星的值（所有器件都是3bits/cell...
“IMW2020”论文集的表纸。（图片出自：InternationalMemoryWorkshop论文集的第一页）2020年5月17日-20日举行了在线IMW（InternationalMemoryWorkshop），笔者自2018年起已经连续三年参加IMW会议，而在线会议还是首次参加。今年的会议中，有关...
3DNAND到底行不行，一文读懂3DNAND的神话与现实.多年以来，2DNAND一直都是半导体工业光刻（lithography）技术的发展推动力，其印刷尺寸是最小的，而且保持逐年下降。.随着2DNAND的尺寸缩小到了十几纳米节点（16nm、15nm甚至14nm），每个单元也变得非常小...
来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自「eetimes.jp」，谢谢。“IMW2020”论文集的表纸。（图片出自：InternationalMemoryWorkshop论文集的第一页）2020年5月17日-20日举行了在线IMW（InternationalMemoryWorkshop），笔者自...
干货！一文看懂3DNANDFlash-全文-目前3DNAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月，先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3DNAND芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点，加上早前Intel加大在大连工厂的...
目前，由微电子所与长江存储联合开展的3DNAND关键技术攻关已取得重要进展，研发的32层存储器芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到了预期要求，系国内首次实现3DNAND工艺器件和电路设计等一整套技术验证，标志着我国3DNAND存储器
纵观全球闪存厂商的规划，无不在大力投资扩产，铠侠自然也不甘人后。.据《日刊工业新闻》在今年五月披露，铠侠预计将投资高达约2兆日圆（约183.7亿美元）来提高3DNAND的产能。.当中包括在岩手县北上市新建K2工厂，估计其规模可能将是K1厂房的2倍，计划...
2016年3月，YMTC突然宣布要进军3DNAND。YMTC以较高的薪资待遇汇集了大批的日本、、等地的半导体技术人员，首先致力于32层的研发。仅仅用了一年的时间就成功研发了32层的产品，且跳过48层直接开始研发64层。同时，2019年9月17日，YMTC
今年的会议中,有关3DNAND的论文数量最多,因此,笔者就各家NAND型闪存(以下简称为:“NAND”)厂家的现状、未来的技术蓝图(Roadmap)展开论述。NAND的历史5月17日的会议(Tutorial)“PA...
384Gb容量还不终点,今年的ISSCC大会上美光还公布了容量高达768Gb的3DNAND闪存论文,虽然短时间可能不会量产,但已经给人带来了希望。Intel的杀手锏:3DXPoint闪存IMFT在3DNAND闪存...
图7:新建的2DNAND和3DNAND晶圆厂的晶圆成本位密度用一个NAND的位(bit)总数除以管芯尺寸(diesize),我们可以计算出bits/mm⊃2;指标。在今年的ISSCC上,三星在session11...
3DNAND闪存错误特征及其应用研究王一帆【摘要】:NAND闪存是一种非易失性的存储介质,由于其读取速度快、抗震性好、功耗小、噪声低等优良的特性,迅速代替传统的磁存储介质,...
编者按:“首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会”于2017年1月14日在上海召开,长江存储集团公司CEO杨士宁介绍了对存储器市场的看法,及选择3DNAND闪存作为主打产品的战略思考。作者/迎九...
今年的会议中,有关3DNAND的论文数量最多,因此,笔者就各家NAND型闪存(以下简称为:“NAND”)厂家的现状、未来的技术蓝图(Roadmap)展开论述。NAND的历史5月17日的会议(Tutorial)“PAR...
2.13DNANDFlash第18-23页2.2存储器可靠性第23-25页2.3本章小结第25-26页3双栅和环栅器件及其组合电容模型第26-35页3.1平面电容模型MATLAB计算第26-30页3.2组...
在线出版日期:2019-12-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)引文网络参考文献(15)查看参考关系图[1]魏德宝.基于错误特征的NANDFlash存储策略...
一种3DNAND器件的形成方法,包括:提供半导体衬底,半导体衬底上形成有多层堆叠排布的控制栅结构;形成覆盖所述半导体衬底和控制栅结构的介质层;在所述介质层上形成硬掩膜层,所...
图7:新建的2DNAND和3DNAND晶圆厂的晶圆成本位密度用一个NAND的位(bit)总数除以管芯尺寸(diesize),我们可以计算出bits/mm²指标。在今年的ISSCC上...