本论文利用微纳技术深入研究了半导体材料性质以及其光电器件上的应用。主要创新内容如下:利用光刻微纳技术了硅基光学磁性器件;利用简单电子束蒸镀了具有微纳结构的石墨烯表面拉曼增强光学器件,并应用于生物细胞探测;基于电子...
硒化物半导体材料的及其光电器件应用研究.陈烁.【摘要】：近半个世纪以来,半导体技术作为现代高新技术的核心取得了飞速发展。.基于半导体技术的新材料和各种功能器件无不影响着国民生产生活的方方面面。.而半导体材料的研发与运用是发展半导体...
试论GaAs材料光电导开关器件模拟.pdf,摘要GaAs材料光电导开关器件模拟学科：微电子学与固体电子学作者姓名：徐雪刚签名导师姓名：施卫签名导师职称：教授答辩日期：2006年3月摘要用半导体光电导开关(Photoconductive...
本论文对GaAs光电导开关为偶极辐射天线产生高功率太赫兹电磁波的技术进行了研究，，主要完成了以下几方面的工作：进行了光电导开关辐射太赫兹波的实验；以半绝缘GaAs光电导开关作为偶极辐射天线，实验比较了3、6m两种电极间隙的片天线和表面钝化Si扎...
光电导器件实际上就是一个半导体电阻，末端有两个金属电极，是最简单的半导体器件。但如此简单的半导体器件，却有巨大的光电导增益，有时候达到惊人的1亿倍，即半导体吸收一个光子，产生了1亿个光生电子或空穴。1956年R.L.
研究论文1CsPbBr3/PbS单晶薄膜异质结的外延生长及光电性能研究由高质量的单晶薄膜构筑的半导体异质结因具有独特的光学特性和突出的电学特性，大大拓展了半导体材料在现代微电子学和光电子学中的应用范围。
光电导器件实际上就是一个半导体电阻，末端有两个金属电极，是最简单的半导体器件。但如此简单的半导体器件，却有巨大的光电导增益，有时候达到惊人的1亿倍，即半导体吸收一个光子，产生了1亿个光生电子或空穴。1956年R.L.
无机光电功能晶体材料，多篇JACS、Angew论文！,半导体,钛矿,高灵敏,铁电,...性能的一类铁电材料，在下一代光电器件中具有重要的应用前景。光铁电体展现自发极化和半导体光电导...
半导体光电化学ii09.ppt,四、光电，光化学能转换的光化学反应1光电转换再生式电化学电池光电转换效率电化学光生伏打效应n型（p型）半导体置于氧化还原离子（一种）的溶液中，产生界面势垒；吸收光能电子由价带路迁至导带，生成电子空穴对，在界面势垒的作用下，光生载流子分离，多子...
此次发表的论文中，但亚平教授及其团队不仅指出了该理论的错误之处（2个假定不成立），而且给出了严格的正确表达式。研究发现，理想半导体光电导器件本身无增益，实验中观察到的巨大光增益来源于半导体内部的缺陷态或耗尽区的俘获效应。
暂时能想到的就这么多了。另外，论文出版的时候一般杂志社都会有一个标准的格式，最好还是按照杂志社标准...
《半导体光电》是1976年《半导体光电》编辑部出版的期刊,责任者蒋志伟,主要讲述的是半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术,以及摄像...
核心提示:目录光电器件As元素分子态对InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器性能的影响方俊;孙令;刘洁;607-611+653940nm大功率半导体激光器后工艺目录光电器件As元素...
目前对于半导体光电导开关的理论研究还有有待完善的地方,因此对其的理论分析和模拟论证是有现实意义的。本论文的主要工作是采用MonteCarlo方法,并结合GaAs...
论文>期刊/会议论文>光电导光谱在半导体及其微结构研究中的若干应用8805067297分享于2015-10-1516:21:10.0光电导光谱在半导体及其微结构研究中的若干应...
论文光纤通信用半导体光电探测器的特性及应用的开题报告.docx,论文光纤通信用半导体光电探测器的特性及应用的开题报告光电探测器响应时间实验研究摘要近几十年来,光电探测器在光通...
半导体光电探测器的发展及应用_IT/计算机_专业资料维普资讯cqvipleIsrmetintunsn■信息产业部电子第4研究所罗家强4半导体光电探测器的发展...
【摘要】:总结了强电场下半导体光电导开关呈现出的引发、维护及恢复过程的非线性特性,对丝状电流的特点及辐射复合在...1龚仁喜;GaAs光导开关的线性及非线性特性研究[D];西安...
光铁电体是光生载流子与铁电极化相互耦合表现出优异光电性能的一类铁电材料,在下一代光电器件中具有重要的应用前景。光铁电体展现自发极化和半导体光电导特性,表现出丰富的物理性能,...
宽禁带半导体光电阴极论文TOP:紫外光电阴极研究进展宽禁带半导体光电阴极论文、