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2002年，Samsung电子公司光电子部的S.R.Cho等人，研制了与半导体微镜集成的InGaAsp-i-n光电探测器。这种p-i-n光电探测器具有典型的外延层结构。它由n+-InP缓冲层、n-InGaAs吸收层和n-InP项层组成。
博士毕业论文—《半导体单光子探测器集成化研究》摘要第1-7页ABSTRACT第7-16页第一章引言第16-22页1.1量子通信发展动态第16-17页
半导体激光器和光探测器等效电路模型研究.【摘要】：光电集成电路(OEIC)已经成为光纤通信领域的关键技术,而建立准确、简便的光电子器件电路模型正是OEIC重要的开始。.半导体激光器和光探测器作为光纤通信系统的核心器件,对它们的等效电路模型的建立和...
摘要：氮化硼(BN)材料具有立方氮化硼(cBN),六方氮化硼(hBN),三方氮化硼(rBN),纤维锌矿结构氮化硼(wBN)四种晶体结构,其中cBN和hBN因其宽的禁带宽度,优异的物化性质和半导体性质备受研究者们的关注.它们在微电子及光电子器件等方有广泛的应用前景.目前...
本论文在调研半导体纳米线光电子器件研究进展的基础上,以ZnO纳米线应用于光电探测为例,进行纳米线无催化剂气相生长、纳米线侧面电极、光电探测器、界面电学输运、金属-纳米线腔光学特性等一系列的…
求一光电子技术半导体或探测器论文1500字左右急需！！尽快谢谢展开我来答2个回答#热议#可乐树，是什么树？wuchengcai2010-06-05·TA获得超过316个赞知道答主回答量：225采纳率：0%帮助的人：33.7万我也去答题...
本篇论文共74页，点击这进入下载页面。.更多论文.半导体激光器和光探测器等效电路模.王阳明的美育思想与当代小学语文教.基于最优叠加的非常规地震映像法信.基于我国人体头部尺寸驱动的眼镜规.线性量子光学系统的LQG相干控制.分层递进教学在高中...
Si基光电探测器是Si基光通信系统的关键器件之一。随着近年来Si基Ge材料外延技术的突破性进展，Si基Ge光电探测器因为兼顾了Si基光电子集成和对光通讯波段(1.31和1.55μm)的高效探测，成为了当今研究的一大热点。半导体光电探测器的性能与其结构密切
2.2光电探测器中的压电光电子学光电探测器操作是在因为光子而产生的电子-空穴对基础上进行的，而电子-空穴对的产生则是由于p-n结或者肖特基缺陷产生。最近，大量的工作通过应用压电光电子效应来提高p-n异质结光电探测器的性能。例如，一种n型ZnO纳米
目前商业化的光电探测器主要使用晶体硅和硅-锗异质结或三五族半导体合金块体材料分别实现可见光-近红外光波段（λ<1100nm）和红外光波段（λ>1100nm）的光检测。
图1-1光电子系统图二、半导体探测器的原理1、光电导探测器光电导探测器主要是通过电阴值的变化来检测,以下我将以光敏电阻为例介绍其工作原理。光敏电阻又称光导管,它...
体积如吸收电子需厚硅。采用一般工艺限制有效厚度,用高阻硅、高反偏压获得有效厚度约,远远满足不了要求。因此,年,佩尔提出一种新方法,大大推动这种探测器... .new-pmd.c-abstractbr{display:none;}更多关于半导体光电子探测器论文的问题>>
光生伏特效应是两种半导体材料或金属、半导体相接触形成势垒,当外界光照时,激发光生载流子,注入到势垒附近,形成光生电压现象。光生伏特效应属于内光电效应。利...
论文光纤通信用半导体光电探测器的特性及应用的开题报告.docx,论文光纤通信用半导体光电探测器的特性及应用的开题报告光电探测器响应时间实验研究摘要近几十年来,光电探测器在光通...
内容提示:近几十年来,光电探测器在光通信、国防探测、信号处理、传感系统和测量系统等高精尖科技领域得到广泛的应用,在信息为导向的时代,时间就是生命,...
导读:本论文为您写半导体光电子毕业论文范文和职称论文提供相关论文参考文献,可免费下载。中国科学院半导体研究所是1956年按照国家“十二年科学发展远景规划”...
这些研究势必促进SiC探测器在高注量下超快辐射测试、近核监测、空间核反应堆电源的中子监测、核聚变、自由电子激光等领域的快速应用。GaN辐射探测器研究GaN材料的基本性质GaN是一种...
controletc正文光生伏特效应是两种半导体材料或金属半导体相接触形成势垒当外界光照时激发光生载流子注入到势垒附近形成光生电压现象光生伏特效应属于内光电效...
如今的纳米光电技术探测器主要是利用纳米光电子的基本材料进而不断发展而来。这种微型的探测器主要由纳米丝以及各种纳米棒共同组成,例如,超高灵敏度红外探测器...
4、集成微镜的InGaAs光电探测器光耦合在光通信的器件特性中是很重要的。使用折射微镜可以增加光耦合效率和耦合容差。因此,它的应用随光电子器件封装微型化而被...