【摘要】：研究了含N超薄栅氧化层的击穿特性.含N薄栅氧化层是先进行900℃干氧氧化5min,再把SiO2栅介质放入1000℃的N2O中退火20min而获得的,栅氧化层厚度为10nm.实验结果表明,在栅介质中引入适量的N可以明显地起到抑制栅介质击穿的作用.分析研究表明,N具有补偿SiO2中O3≡Si·和Si3...
微电子半导体集成电路专业术语英语整理.天山懒人2017-10-1215:57:5213202收藏66.分类专栏：专业英语.专业英语专栏收录该内容.1篇文章0订阅.订阅专栏.A.beabsorbin集中精力做某事.accesscontrollist访问控制表.
半导体的电导率在10-3～109欧厘米范围。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而增大，这与金属导体恰好相反。凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。半导体材料（semiconductormaterial）是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。
半导体材料的研究综述文献综述毕业论文.doc,半导体材料的研究综述文献综述毕业论文半导体研究文献综述学院：材料科学与工程学院专业：材料化学班级：材料122姓名：刘田防学号：2012141009半导体材料的研究综述文献综述摘要：半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分…
文-05MKH9；质优价廉，欢迎阅读！半导体公司实习报告一，半导体公司实习报告二，前言，实习目的，理论联系实际，通过实习全面了解通信网的基本原理和基本构成，通过现场参观，学习常见故障的分析和处理方法..
知乎干货文章推荐：在家使用中国知网免费下载论文的方法如何快速写好一篇毕业论文？论文查重如何做到查重率6%以下？[1]冯松,高勇.温度对3种IGBT结构通态特性的影响[J].电力电子技术,2016,50(06):97-100.[2]冯彬,…
摘要：以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子,光电子技术的迅猛发展.然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射,耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围都不能满足现代电子技术发展对高温,高频,高压以及抗辐射,能发射蓝光等...
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半导体材料文献综述.doc,姓名：高东阳学号：1511090121学院：化工与材料学院专业：化学工程与工艺班级：B0901指导教师：张芳日期：2011年12月7日半导体材料的研究综述高东阳辽东学院B0901118003摘要：半导体材料的价值...
本文从提高器件击穿电压的目的出发，利用半导体工具SentuarusTCAD研究了如下内容：（1）比较分析了栅极场板提高器件击穿电压的原因，以及栅极场板对器件击穿时沟道内电场分布的改善作用。该器件的栅极场板结构的最大击穿电压为1100V。
语言检索范围不限不限英文中文文献期刊学者订阅收藏论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心半导体器件静电击穿及其规律来自维普喜欢0阅读...
devicesunderEMP上海交通大学硕士学位论文第二章半导体器件EMP损伤机理分析在一系列情况下,上述物理效应是半导体元器件在脉冲微波干扰影响下工作性能随后恢...
内容提示:上海交通大学硕士学位论文摘要第I页高功率电磁脉冲辐射下半导体器件的击穿效应摘要随着半导体器件在民用和军用系统中广泛的使用器件的可靠性...
144人赞同了该文章来源:内容由公众号半导体行业观察(ID:icbank)整理自互联网,谢谢。半导体产业作为一个起源于国外的技术,很多相关的技术术语都是用英文表述。且由于很多从业者都...
半导体产业作为一个起源于国外的技术,很多相关的技术术语都是用英文表述。且由于很多从业者都有海外经历,或者他们习惯于用英文表述相关的工艺和技术节点,那就导...
模拟分析表明,采用该结构,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的90%以上,器件的大电流特性和频率特性也有所改进。更多例句>>补充资料:气敏半导体(见传感器半导...
半导体产业作为一个起源于国外的技术,很多相关的技术术语都是用英文表述。且由于很多从业者都有海外经历,或者他们习惯于用英文表述相关的工艺和技术节点,那就导致很多的英文术语被翻...
因为电子带有负电荷,这就是一个N型半导体材料的结果。测试填空18、砷是一种杂质19、砷有价电子20、当硅参杂砷,砷原子会提供给晶体一个自由电子21、硅晶体中的自由电子会作为...
《半导体学报》2001年08期收藏|投稿|手机打开沟道热载流子导致的PDSOINMOSFET's击穿特性(英文)刘红侠郝跃朱建纲【摘要】:对热载流子导致的SIMOX衬...
编者按:整流桥击穿短路失效,故障表现为桥堆内部二极管晶元浪涌击穿。本文从整流桥失效机理、器件结构、生产过程可靠性等方面分析,通过采用X-ray、超景深微镜、QT2等设备对器件进行...