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这个问题在槽拐角处更严重。.在高4H．SiC功率MOSFET特性研究与器件模拟漏压下造成栅氧化层迅速击穿，这样，最大工作电压限制在小于理想击穿电压的40％；（2）沿着槽侧壁反型沟道中的载流子迁移率很低，这样就导致高的特征导通电阻，使SiC低漂移区电阻的...
此外,介绍氧化薄膜及其界面处的缺陷电荷引起SiCMOS器件的击穿及各类击穿模型。.本文将基于E模型对栅氧化层的抗击穿特性及其可靠性进行研究。.二、为了开发出稳定且可重复的高温栅氧氧化工艺,本文进行了1200℃～1550℃下4H-SiCMOS电容的高温氧化实验,通过...
1.提出一种集成肖特基二极管的槽栅SiCMOSFET器件(TrenchMOSFETwithSBD,S-TMOS),该结构的特征在于槽栅侧壁的P型屏蔽层和元胞表面的肖特基接触。.当器件处于耐压状态时,槽栅侧壁的P型屏蔽层与N型外延层相互耗尽,一方面可以有效保护肖特基结不受高电场的影响,另一...
器件为金属镍(Ni)与4H—SiC形成的肖特基接触.JTE终端结构的碳化硅肖特基二极管器件结构截面图如图1所示,器件的碳化硅衬底掺杂浓度为.310一1980期张芳,等:JTE结构4H—SiC肖特基二极管的研究171构进行二维分析,优化引入的P区杂质浓度,结深,无终端和JTE...
用于功率集成电路应用的600伏、10安、4H-碳化硅横向单沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的演示和分析摘要:本文报道了一个具有大电流处理能力(10A)的600伏4H-碳化硅横向场效应晶体管的演示。
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‘tL3kolk.Ev(sicEc(6HSiC)Ec(4H]l『1『graphite_like,l。.卜o/。,bE“graphitg)oxidc咖97g(4HSiC).....一14大连理工大学硕士学位论文SiCMOS结构工艺MOS工艺...
图2.3(b)所示的电路为由图2.2所示的光电晶体管与晶体管集成构成的集成光电器件,它具有更高的电流增益即有更...论文--毕业论文文档标签:光电晶体管特性hs...
4HSIC+MESFET理论模型与实验研究下载积分:500内容提示:摘要摘要碳化硅是具有宽禁带、高击穿电场、高载流子饱和漂移速率、高热导率、高功率密度等等许多优点...
4HSiC+MESFET匹配电路的研究下载积分:1000内容提示:西安电子科技大学硕士学位论文4H-SiCMESFET匹配电路的研究姓名:秦信刚申请学位级别:硕士专业:微电子...
4HSiC埋沟MOSFET击穿特性模拟研究_学习总结_总结/汇报_实用文档。1西安电子科技大学硕士学位论文4H-SiC埋沟MOSFET击穿特性模拟研究姓名:夏杰申请学位级别:硕士专业:微...
termthermalstabilityofdevices.KeyWords:4HSiC;TiC;HydrogenPlasma;OhmicContact;SpecificContactResistivity—IV—知识水坝为您整理大连理工大学学位论文独...
4HSiC光电晶体管的特性研究下载积分:2300内容提示:摘要论文题目:4l-I-SiC光电晶体管的特性研究学科专业:微电子学与固体电子学研究生:史瑞指导教师:陈...
离子注入对4hsicmos界面特性影响的研究.pdf,摘要摘要SiC材料由于在高温、高频、尤其是在大功率和高辐射条件下仍有着非常优越的性能,因此被认为是很有潜力...
本发明公开了一种具有多凹陷缓冲层的4HSiC金属半导体场效应晶体管的方法,目的在于提高场效应晶体管的击穿电压和跨导参数,改善直流特性.采用的技术方案为:...
4HSiC同质外延薄膜及其高压肖特基二极管器件的研究可编辑4HSiC同质外延薄膜及其高压肖特基二极管器件的研究湖南大学博士学位论文4H-SiC同质外延薄膜及其高压肖...