高能量粒子激发的剪切阿尔芬波.何秋明.【摘要】：在磁约束聚变燃烧等离子中,阿尔芬波的研究一直扮演着至关重要的角色。.多种阿尔芬本征模式在理论和实验中被发现,而这些阿尔芬本征模式易与高能量粒子通过波-粒相互共振作用机制激发成不稳定状态...
本征激发区的载流子浓度随温度迅速增加，费米能级趋近于本征费米能级*1、温度确定后，保持半导体为n型导电类型的条件是ND>>ni，定量的限制为ND≥10ni——温度一掺杂浓度有下限2、杂质浓度确定后，保持半导体为n型导电类型的条件同样为ni≤ND
近日，来自中山大学等单位的研究人员通过X射线激发，在AlN单晶闪烁体中发现了超长本征磷光(>20000秒)。相关论文以题为“X-rayradiationexcitedultralong(>20,000seconds)intrinsicphosphorescenceinaluminumnitridesingle-crystalscintillators”发表在NatureCommunications上。
本征激发除了热激发的形式以外,还有其它一些形式.如果是光照使得价电子获得足够的能量、挣脱共价键而成为自由电子,这是光学本征激发（竖直跃迁）；这种本征激发所需要的平均能量要,本征激发除了热激发的形式以外,还有其它一些形式.如果是光照使得价电子获得足够的能量、挣脱共价键而成为...
本征半导体--没有掺杂半导体；非常纯净的半导体（样品内的杂质原子数量可以忽略不计）；具有材料固有性质的半导体非本征半导体--掺杂半导体；加入的杂质原子控制半导体性质的半导体施主--能增加电子浓度的杂质原子；n型掺杂
他们展示了将线性和非线性层表征为单一量子门，并将量子模型的本征激发解释为粒子，这种粒子被称为「Hintons」。除了为研究神经网络打开新视角、提供新技术之外，这种量子公式化非常适合光学量子计算，并提供了可以在光学量子计算设备上高效运行的神经网络量子变形。
本论文主要研究了s≠0,β≠0时基态和激发态的广义椭球函数解析解和数值解,并且从数值上分析了微扰量β的取值范围。主要内容简述如下：1.广义椭球函数基态本征值和波函数的解析解和数值解...
零维(0D)无铅(H14N2)2In2Br10单晶及其本征自陷激子发光行为.近年来，单一材料的宽光谱发光行为逐渐引起众多研究人员的兴趣。.自陷激子复合发光（self-trappedexcitons,STEs）可以实现宽光谱的发射，且具有较多优势。.STEs可被看作是激发态的瞬态缺陷（excited...
得失观视域下模拟电子技术论文:一、杂质半导体的得与失本征半导体掺杂后就是杂质半导体，非四价原子与四价原子在形成共价键中，得到电子成为负离子，失去电子成为正离子。N型半导
图2：最小本征频率和激发态的振幅随跃迁偶极矩的变化图3：激发态几率特性与演化谱图4：纳米柱的自发辐射率和能级移动。左边一列是高20纳米，右边一列高50纳米，半径都为4纳米。图c和d展示了我们方法（公式20）的快速收敛特征
可见本征激发同时产生电子空穴对。外加能量越高(温度越高),产生的电子空穴对越多。与本征激发相反的现象——复合在一定温度下,本征激发和复合同时进行,达到动...
周文平内蒙古大学理工学院云国宏内蒙古大学理工学院梁希侠内蒙古大学物理系CNKI;WanFang内蒙古大学学报(自然科学版)周文平,云国宏,梁希侠.填充因子对同质铁磁膜中本征激发的...
关键词:Y型结环行器本征激发状态穿越方程分析作者:姬晓靓蒋仁培作者单位:中国电子科技集团公司第十四研究所,南京高新支局12信箱,210061母体文献:第...
除了附近的本征紫外峰外还出现了附近的黄绿光波段的展宽峰这主要是由薄膜中的氧缺陷引起的【随着激发电流...利用也得到了薄膜并进一步研究了紫外辐射随...
随后虽然进入本征激发而使载流杭州电子科技大学硕士学位论文31子浓度升高但是此时的晶格热振动亦进一步加剧对载流子的散射作用也进一步加强使得电子迁移率...
内容提示:论文精选让现代教育技术为课堂增辉毕宪珍范文军(黄河水利职业技术学院开封475004)摘要随着计算机信息技术普及程度的提高,应用现代教育技术教学已...
摘要:本文在经典散射矩阵理论的基础上结合非互易理论,衍生出Y型结环行器在本征态激发时的穿越方程,并运用HFSS实例对该方程进行验证.展开关键词:Y型结环...