电子科技大学硕士学位论文SiGeBiCMOS集成器件设计与关键工艺研究姓名：韩春申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：李竞春20080501摘要摘要本文结合1．59mSiGeBiCMOS的实际工艺条件，提出了基于分子...
从SiGeBiCMOS工艺集成技术研究李红征（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡214035）摘要：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术，是在制造电路结构中的双极晶体管时，在硅基区材料中加入一定含量的锗，形成应变硅异质结构晶体管，以改善双极晶体管...
本论文主要基于TCAD对SiGeBiCMOS工艺下的ESD防护器件进行研究,主要内容如下:首先,对SiGeBiCMOS工艺下的三种静电防护器件:SCR;OHTSCR（内嵌式HBT触发SCR）;NHTSCR（改进型OHTSCR）的电流输运机制和ESD防护性能进行对比分析。结果
论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心一种BICMOS过温保护电路...增加过温保护电路.传统的过温保护电路一般基于双级工艺来实现,而本文设计了一种与标准BICMOS工艺兼容的低功耗过温保护电路,其过温保护点随电源变化较小,且采用了热滞回...
SiGeBiCMOS技术具有高性能、低成本的特点,可以很好地满足发展需要,因此对SiGeBiCMOS技术进行研究有非常实际的意义。论文通过对SiGeHBT原理和SiGeBiCMOS电路特点的研究,设计出SiGeHBT器件和SiGeBiCMOS高速运算放大器。首先,通过分析...
基于标准SiGeBiCMOS工艺的光接收机前端电路设计DesignOpticalReceiverFrontEndCircuitStandardSiGeBiCMOS学科专业微电子学与固体电子学副教授天津大学电子信息工程学院二零一三年十二月独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在...
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本文采用IBM0.36μmSiGeBiCMOS工艺设计一款适用于802.11ac(5~6GHz)的LNA，通过引入晶体管发射极反馈电感，在增加输入阻抗实部的同时，缩小了最小噪声圆和最大增益圆的距离，并提高了稳定性。.为了兼顾较大的输入信号，该低噪声放大器具有旁路（Bypass）功能。.
论文针对影响线宽均匀度的各种因素,从工艺和硬件上对BiCMOS间隙层的线宽均匀度进行研究。通过对不同条件的实验找出了一个能使BiCMOS产品间隙壁层线宽均匀度值优化到0.5%以下,良率提高了近。这样不仅降低了成本而且提高了良率。
SiGeBiCMOS技术发展现状，王飞;许军;刘道广;-微电子学2006年第05期杂志在线阅读、文章下载。SiGeBiCMOS技术发展现状-《微电子学》2006年05期-中国知网全部分类
bicmos集成运算放大器学士学位论文.doc,论文题目:Bi-CMOS集成运算放大器的电路分析及版图设计摘要集成运算放大器是一种重要电子元器件,在电子产品中得到广泛...
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(论文)基于BiCMOS工艺的D类功率放大器设计下载积分:3000内容提示:第9卷,第5期V01.9.No.5电子与封装ELECTR("nCS&PACKAGTNG总第73期2009年5月基于BiCM...
内容提示:西南交通大学硕士学位论文一种BICMOS过热保护电路姓名:刘振丰申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:冯全源20050501西南交通大学硕...
本文采用CSMC0.6umBiCMOS工艺设计了一款采用数字AGC控制方式的红外遥控接收芯片。BiCMOS工艺虽然具有较高的成本,但是换来的是Bipolar工艺以及CMOS工艺的双重优点,电路具有较...
従来のBiCMOS回路では出力信号の振幅がVBE(バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間電圧)の分だけ減少するため、低電圧化すると遅延時間が急増するという問題があり、携...
博士学位论文BiCMOS电路驱动结构及设计研究,共51页摘要:本文以基于开关信号理论的传输电压理论为指导,首先,提出二值BiCMOS电路的一般结构和三值BiCMOS电路的...
硕士学位论文应变BiCMOS器件及应力分布研究姓名:李磊申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:张鹤鸣20090101摘要技术具有高性能、低成本的特...
基于BICMOS工艺的PFC芯片设计论文目录摘要第1-7页ABSTRACT第7-14页第一章绪论第14-19页·功率因数校正研究背景第14-15页·功率因数校正的发展及分类第15-16页...
摘要:基于IBM0.36μmSiGeBiCMOS工艺设计应用于802.11ac的全集低噪声放大器,工作频段为5～6GHz,且带有旁路功能。低噪声放大器的主体电路采用单端发射极电感...