首页»硕士论文»基于标准CMOS工艺的纯逻辑非挥发性存储器关键技术研究基于标准CMOS工艺的纯逻辑非挥发性存储器关键技术研究作者：师大云端图书馆时间：2021-10-30分类：硕士论文…
基于CMOS工艺的射频功率放大器的设计-这篇论文以射频发射机末端的功率放大器为研究对象,根据无线局域网的802.11a标准,应用Agilent公司的ADS电路软件,进行功率放大器的设计与模拟。首先,在系统分析功率放大器的结构、设计原理、...
最新博士论文—《40纳米CMOS器件的应变技术与器件工艺研究》摘要第1-6页Abstract第6-11页第一章绪论第11-26页1.1研究背景第11-13页1.2国内外研究现状
基于标准CMOS工艺的非易失性存储器的研究,非易失性存储器,标准CMOS工艺,热电子注入,福乐-诺德汉穿隧。在ASIC电路设计中,经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件,但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储器件嵌入到C...
基于035um混合信号CMOS工艺的12位、100ksps+SAR+ADC的设计与实现论文论文,设计,基于,CMOS,设计实现,ADC,SAR,混合信号,cmos,ADC设计
65nmCMOS工艺10Gbs全速率CDR电路设计.AbstractAbstractClockDataRecoverycircuitskeycomponentsintegratedcircuitsopticalcommunicationsimportantroleopticaltransmissionnetworks．WithCMOStechnologythefeaturefrequencyincreased，whichmakesdesignhigh—speedCDRcircuitsbasedstandardCMOStechnology．Firstlythebasic...
（毕业论文）CMOS工艺下微压力传感器研究.docx,CMOS工艺下微压力传感器研究摘要CMOS结合MEMS制作的压力传感器容易在芯片上集成，且具有体积小、功耗低、性能高等优点。本文研究了一种基于CMOS工艺与MEMS工艺结合制造的微压力传感...
高压CMOS电路的设计及制造工艺研究-介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻掺杂满区以形成漂移区等...
1996年IMEC的BartDierickx等人[27]研制成功(20482048)元CMOS对数像素图像传感器，像元间距7.5μm，采用0.CMOS工艺。1.2.3数字图像传感器随着CMOS工艺的发展，近几年来CMOS数字图像传感器得到迅速的发展。CMOS数字图像传感器在片内对信号
CMOS图像传感器后段先进工艺制程，范洋洋，，本文研究基于55纳米CMOS制造工艺发展出来的CMOS图像传感器(CMOSImageSensor,CIS)的生产工艺，对后段工艺进行了优化改良以提高成像效…
CMOS工艺基础.ppt,金属互连层形成1、圆片工艺技术P型(111)P型(100)n型(111)100110111定位边或定位槽直径以100mm(4英吋)-300mm(12英吋)为主。n型(100...
CMOS工艺流程讲解(二).ppt50页内容提供方:ffpg大小:2.55MB字数:约6.03千字发布时间:2017-08-25浏览人气:48下载次数:仅上传者可见收藏次数:0需...
22CMOS工艺下微压力传感器研究4.2.3版图设计的注意事项244.3版图的绘制与验证244.3.1版图244.3.2设计规则检查(DRC)264.3.3版图与电路图的一致性检...
复旦大学硕士学位论文CMOS工艺集成温度传感器的设计姓名:卢永尧申请学位级别:硕士专业:电子与通信工程指导教师:易婷20071122论文独创性声明本论文是我...
(毕业论文)CMOS工艺采样保持电路的研究和设计浏览次数:11内容提示:第1章引言1第1章引言1.1课题研究的意义最近几年,随着数字通信技术的不断发展,各...
CMOS工艺中NPNbipolar的开发(论文)下载积分:1500内容提示:第14卷第11期第14卷,第11期Vol.14,No.11电子与封装电子与封装ELECTRONICS&PACKAGING-34-...
完全集成的器将能满足这些要求,而完全集成意味着采用标准的CMOS技术,并无需增加任何外部器件或工艺流程。通常,LO通过如图3所示的锁相环实现。其中压控振荡...
CMOS工艺的电容湿度传感器的研究,杨建红,王敬松,对与COMS工艺兼容的电容式湿度传感器的进行了分析与研究,设计了一种三明治型传感器,结合以往实验及相关的文献,...
一款基于0.13μmCMOS工艺_专业资料。介绍一款1.2V0.1GHz～18GHz超带宽级联型低噪声放大器。该LNA采用反馈网络来简化超宽带匹配并且不导致振荡。引入反相器结...
本文设计了一种基于硅基SMIC0.13umCMOS工艺的太赫兹信号发生源。太赫兹信号发生源包括两个重要组成部分:振荡器以及倍频器。这种信号发生源具有低成本、小体积、高集成、便...