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论文>毕业论文>第7章COMS逻辑门电子学分析COMS逻辑门电子学分析2/732本章概要反相器、与非门、或非门、复合门、传输门(管)的直流特性、开关特性、功耗...
运用半导体的PN结扩散电流与电压关系特性,精确地测量了玻尔兹曼常数.实验选取了两种不同的温度环境,应用Origin6.0绘图软件进行了实验数据分析和处理,并对测量结果进行了比较...
PN结特性的数学表达及其推导_物理_自然科学_专业资料。应用热力学统计中玻尔兹曼分布律对PN结两个特性关系式进行推导,加深初学者对PN结原理的理解.第28卷第4...
本文围绕GaAs纳米线的掺杂和单根GaAs纳米线上径向pn结的展开了研究,论文的主要内容和取得的研究成果包括:1、总结了国际上GaAs纳米线p型和n型掺杂的研究成果,比较了常用...
PN结星级:3页PN结星级:7页PN结星级:6页化学染色法在pn结分析中的应用研究-论文下载积分:2800内容提示:与测试技术&TestingTechnologiesDOI:...
增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压vGS=0时,即使加上漏-源电压vDS,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道,这时漏极电流iD≈0。若在栅-源极间加上正电压...
A.aCOMS反相器电路及其特性CMOS反相器由两个增强型MOS场效应管组成,其中一个为N沟道结构,另一个为P沟道结构。...为使衬底与漏源极之间的PN结任何时刻都不致正偏,故TP的衬底接+5V电...