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何维,郭世平,王晓华,曾令民.热电材料CoSi和CrSi2的晶格热膨胀性[J].理化检验－物理分册,2010,46(6):343～347论文评价共有人对该论文发表了看法，其中：人认为该论文很差人认为该论文较差人认为该论文一般人认为该论文较好人认为该论文...
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法，对Co掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析。.结果表明，掺杂后的CrSi2晶格常数无明显变化，禁带宽度增大。.由于Co元素3d电子的影响，在费米能级附近出现了杂质能级。.掺杂后的CrSi2...
材料学科论文推介平台2019>2018>2017>2016>2015>2014>2013>2012>2011>2010>当前位置...buttheCrSi2phasepossessesarelativelyhighsolubilityofAl.ThemaximumAlsolubilityinCrSi2,CrSiandCr5Si3at700°Creaches25.9,3.5...
碳化硅结构陶瓷的连接工艺、微观组织及性能研究.李华鑫.【摘要】：连续碳化硅纤维增强的碳化硅陶瓷基体(SiC/SiC)复合材料是非常重要且用途广泛的高温结构材料。.虽然SiC/SiC复合材料的技术和工艺已取得了较大的进展,但由于技术和条件的限制,大...
中国科学技术大学博士学位论文金属硅化物纳米材料的与性能姓名：马剑华申请学位级别：博士专业：无机化学指导教师：钱逸泰20040201中国科学技术人学博1．学位论文摘要金属硅化物通常具有很高的熔点、较低的电阻率、很好的高温热稳定性，有些还具有奇异的光、电、磁、超导、催化...
一维纳米材料的结构设计和可控.张永亮.【摘要】：纳米材料是纳米科技的基石,基于生长机理来预言和设计各种纳米材料的生长是纳米科技领域的梦想。.用于设计和控制一维纳米材料生长的策略有很多,最常见的是颗粒催化生长法,包括气-液-固(VLS)生长...
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近日，南方科技大学物理系讲席教授何佳清团队在热电材料能量转换研究中取得重要进展，相关成果以“RealizingRecordHighPerformanceinn-typeBi2Te3-BasedThermoelectricMaterials”（“在n型Bi2Te3基热电材料中实现创纪录的高性能”）为题在能源...
Abstract.The700°CisothermalsectionoftheFe–Cr–SiternaryphasediagramhasbeendeterminedexperimentallybymeansofscanningelectronmicroscopycoupledwithenergydispersiveX-rayspectroscopyandX-raypowderdiffraction.Tenthree-phaseregionsexistinthe700°Cisothermalsection.Thebinaryσphasecontains0–17.6at.%.
因此,研究和计算光电材料的电子结构成为必要。1988年,M.C.Bost等人【3】通过对Crsi2薄膜的实验研究,得到Crsi2的间接带隙值为0.35eV,表明CrSi2属间接跃迁型半...
(论文)CrSi2能带结构和光学性质的第一性原理研究,充电宝能带上飞机吗,泰国特产能带回国的,日抛隐形眼镜能带几天,坐飞机能带充电宝吗,充电宝能带上飞机,飞机上能...
CrSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算.pdf,中国科学G辑:物理学力学天文学2009年第39卷第2期:175~180SCIENCEINCHINAPRESSCrSi2电子结...
采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.353e...
利用动态高温X射线衍射技术分别对立方CoSi和六方CrSi2化合物在298~973K温度范围内的晶格热膨胀性进行了研究.结果表明:化合物CoSi的点阵参数随温度升高呈线性增长关系...何...
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构,态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.353eV;其...
论文>大学论文>采用磁控溅射高精度CrSi2薄膜电阻技术研究2005年11月第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议珠海采用磁控溅射高精度CrSi2...
CrSi2的静态介电常数ε1(0)由28.98增大为91.69,ε2(ω)的两个介电峰均向低能方向偏移且增强,光学吸收边向低能方向移动,吸收峰减小.计算结果为CrSi2材料...
二硅化铬的热膨胀系数是多少哈？
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