DRAM原理及工艺流程的研究硕士论文.天津大学硕士学位论文DRAM原理及工艺流程的研究姓名：吴雨健申请学位级别：硕士专业：微电子及固体电子学指导教师：梁惠来20070501摘要随着资讯科技的快速发展，对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。.DRAM...
DRAM原理及工艺流程的研究.吴雨健.【摘要】：随着资讯科技的快速发展,对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。.DRAM(动态随机存储器)由于其集成度高、价格便宜、体积小、耗电省等优点,使其得到了广泛的应用。.需求推动技术进步,近年来DRAM在存取速度的...
本篇论文旨在通过对DRAM器件的基本结构，工作原理，晶圆前段和封装后段制造工艺，电性测试的分析，从而着重介绍目前一些主要的DRAM制造过程中的新工艺藉以阐述DRAM器件今后的发展方向，并且对其电性测试的主要参数作以深入而详细的论述，进而从工程...
硕士博士毕业论文—DRAM器件制造的新工艺和电性测试参数的分析中文摘要第1-4页ABSTRACT第4-7页第一章DRAM器件的基本介绍第7-11页·前言
DRAM器件制造的新工艺和电性测试参数的分析—硕士毕业论文下载.DRAM器件制造的新工艺和电性测试参数的分析.论文目录.中文摘要.第1-4页.ABSTRACT.
该论文指出，DRAM处理阈值电压比逻辑处理阈值电压高约40％。可以不同数量地掺杂不同的晶体管，但这增加了工艺复杂度。片上互连。DRAM设计非常有规律，涉及许多平行线，交叉很少。逻辑设计需要更多的复杂性。结果，DRAM工艺不支持与逻辑工艺
一个正常的40nm工艺，一个6T（6transistors）的SRAM面积是150*0.04*0.04=0.24um2/SRAM。所以如果我们需要一个1Mb的SRAM，面积是1M*0.24um2=0.24mm2,也就是大概0.5mm*0.5mm。前天项目周会的时候，一位同事一顿猛…
存储器工艺领先于逻辑，这是老黄历了，目前逻辑上大家在升10nm，NANDflash最领先厂家在做15nm，DRAM还停留在20nm以上。逻辑芯片的工艺已经反超存储器了。
图1.SeDRAM技术流程示意图紫光国芯在论文中介绍了SeDRAM平台的实现流程（如图1）：首先，流片生产不同工艺下的DRAM存储晶圆（DRAMWafer）和搭载有外围电路的逻辑晶圆（LogicWafer），并通过平坦化、曝光和刻蚀等异质集成工艺，在两张晶圆上...
优秀硕士学位论文—《CMOS工艺中提高DRAM保持时间的研究》摘要第1-4页Abstract第4-5页前言第5-6页第一章DRAM的应用、发展状况及工作原理
天津大学硕士学位论文DRAM原理及工艺流程的研究姓名:吴雨健申请学位级别:硕士专业:微电子及固体电子学指导教师:梁惠来20070501摘要随着资讯科技的快速...
半导体集成工艺电容值控制漏电流控制半导体记忆体随着资讯科技的快速发展,对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长.DRAM(动态随机存储器)由于其集成度高,价格便宜,体积小,耗电...
DRAM在VLSI半导体产品中产量最高,并且在半导体工业中DRAM是最具竞争力的市场之一。尽可能的增加每个晶圆上芯片的数量,提高成品率,同时尽量降低工艺的复杂性和成本对DRAM厂商来说是必...
内容提示:天津大学硕士学位论文DRAM原理及工艺流程的研究姓名:吴雨健申请学位级别:硕士专业:微电子及固体电子学指导教师:梁惠来20070501摘要随着资讯科技的快...
本论文正是基于这种1T/1C基础单元设计讲述了DRAM是如何构成,以及如何实现存储和读写功能的;并且着重论述了如何通过半导体生产集成工艺的改进来实现电容值的控制,刷新时间的减...
·DRAM器件的工作原理第16-18页·DRAM器件的芯片介绍第18-22页·DRAM器件的管脚介绍第18-19页·DRAM器件工作时序第19-22页第三章DRAM器件的晶圆制造的工艺...
L一业界要闻巾国集成电路ChinaIntegratedCircuit光掩膜厂在2011年和2012年强势的资本支出联华电子强调,所开发技术将应用于利基型和2013年和2...
天津大学硕士学位论文DRAM器件制造的新工艺和电性测试参数的分析姓名:李木子申请学位级别:硕士专业:电子与信息工程指导教师:姚素英;邸曼丽0070701中文摘要DRAMD...
本篇论文旨在通过对DRAM器件的基本结构,工作原理,晶圆前段和封装后段制造工艺,电性测试的分析,从而着重介绍目前一些主要的DRAM制造过程中的新工艺藉以阐述DRA...
论文目录中文摘要第1-4页ABSTRACT第4-7页第一章DRAM器件的基本介绍第7-11页·前言第7页·内存的种类第7-9页·DRAM市场的现状与发展第9-11页第二章DRAM...