关于家族的论文的文献综述

摘要：民营中小企业由于其内控制度薄弱，导致企业经营风险增大、融资难、产权关系不明晰、利益分配机制失灵，难以向国内外市场拓展。分析民营中小企业内控制度欠缺的原因，并采取有效的改进措施，方能促进其持续健康发展。 关键词：内部控制；经营风险；监督机制 近年来，我国中小企业呈现出良好的发展势头，截止2006年底，我国中小企业总数已达4200多万户，中小企业占全国企业总数的99％以上，创造的最终产品和服务的价值占国内生产总值的58％，生产的商品占社会销售额的59％，上缴税收占％。我国中小企业绝大多数是民营企业，对我国经济和社会发展起重要作用。但我国中小型民营企业目前所面临的问题依然严重，既有外部发展环境影响，又有内部发展因素制约。 一、对民营中小企业内控制度作用的认识 内部控制是一种最优化、最简捷、最理性的作业方式或作业标准，也是一种授权体系和责任体系，是在内部牵制基础上，由企业管理人员在经营管理实践中创造、经审计人员理论总结而逐步完善的自我监督和自行调整体系。内部控制是中小企业各项管理工作的基础，内部控制体系的构建是中小企业内部控制完善的基本起点，是企业持续健康发展的重要保证。有效的内部控制不仅能使企业的资源合理配置，提高劳动生产率，而且能防范和发现企业内部和外部的欺诈行为。企业会计控制是企业内部控制的核心，包括保护资产安全、保证帐目和财务报告真实性和完整性的有关方法、程序和组织规划。它通过会计工作和利用会计信息对企业生产经营活动进行指挥、调节、控制，以保证企业效益最大化目标的实现。目前，有相当一部分民营中小企业对建立内部会计控制制度不够重视，导致会计信息失真，以致管理失控、资产流失、经营失败。由于环境和企业前景的不确定性，内部控制是一个动态的发展过程。内部控制作为现代企业管理的一个重要内容，包括保证企业正常经营所采取的一系列必要的管理措施，贯穿于企业的方方面面。 二、内控制度欠缺制约民营中小企业的持续发展 (一)导致经营风险增大。民营中小企业在生产经营活动中，风险意识薄弱，不能对各类风险进行有效的预防和控制，根本原因在于内部控制欠缺，使企业不能有效防范经营风险，降低了经营管理效率，难以实现管理层的经营目标。内部控制作为企业管理的中枢环节，是防范经营风险的一种有效手段。它通过对企业风险的有效评估，不断加强对企业经营薄弱环节的控制，把企业的各种风险消灭在萌芽之中。健全有效的内部控制，能使企业的生产、营销、财务等各部门密切配合，充分发挥整体的作用，促进整个企业经营效率的提高。 (二)导致融资难。由于民营中小企业大多规模小，财务信息不透明，效益不稳定，银行等金融机构向其贷款的风险较大。同时，大多数民营中小企业未建立比较健全的财务会计制度，核算混乱，不能及时给银行提供各种需要的财务信息。加之我国社会信用的普遍欠缺及担保体系的不完善，使银行难以了解到企业的全面信息，金融机构的贷款意愿普遍不高。有些企业为了融资，不惜一切代价粉饰财务报表、甚至造假，财务数据脱离了企业的实际状况。一些企业认为自己经营效益好，应该很容易取得融资，不愿花时间及精力去完善企业内部控制。而企业的长期发展前景及企业面临的风险是资金方更为重视的内容，缺乏有效的内部控制，就无法清晰地将企业的产权关系、关联企业问的关系、企业及公司业务等展示在投资者面前，让投资者放心。民营中小企业内控制度的欠缺等自身因素使金融机构面临信息不对称、逆向选择和道德风险，导致了企业融资难。 (三)导致产权关系不明晰。目前，在许多地方家庭企业、合伙企业非常普遍，在这些企业创业初期，由于许多因素难以界定，家庭成员或合伙人之间一般很难以书面的形式对企业产权进行划分和约定，因此出现产权模糊状况，造成民营企业“原罪问题”的存在。这已成为民营企业发展中的一大隐患，时刻威胁着企业的正常生产经营活动。只有通过产权制度改革，建立现代企业制度，明晰企业产权关系，使企业领导人和企业兴衰息息相关，企业领导者才有动力去实施内部会计控制制度，企业内部会计控制制度才会真正发挥其应有的作用。 (四)导致利益分配机制失灵。不少民营中小企业没有制定一套规范化、科学化的员工奖励制度，企业利益如何分配、财富多少用于员工、多少回报股东等问题没有很好的解决。企业失灵的利益分配机制，将导致一系列问题的出现：优秀人才的流失、员工积极性的丧失、工作效率的低下、企业产品质量的下降及企业内部吃大锅饭等。民营中小企业人力资源管理政策、人员招聘、培训方式、激励制度等，同样会对内部控制产生影响。有效的利益分配机制可促使会计人员提供准确及时的会计信息，并反过来强化企业的法人治理结构，形成管理的良性循环，促进科学管理的完善。 三、促进民营中小企业建立内控制度的策略 (一)转变企业所有者的管理与发展观念。民营中小企业中家族式企业居多，这些企业内部控制的成败很大程度上取决于领导或企业家的重视和执行程度。长期以来，受中国传统文化的影响，企业主笃信以诚待人，江湖义气渗透到企业管理的诸多环节，认为加强内部控制，会影响组织内部成员的不信任感，因而导致企业内部失控。不少民营企业主认为企业效益是靠业务做出来的，而不是由内部财务管理管出来的；认为市场才是最重要的，内部控制会束缚自己及员工的发展。认识上的偏差，使这些领导者忽视了内部控制制度对生产经营活动的作用。内部控制能否真正成为领导者的内在需求，是企业内部控制制度能否流于形式的关键。而要使内部控制成为企业的内在需求，主要取决于两点：一是财务信息是否决定着企业的决策；二是企业是否通过提供真实的财务信息取信于社会。改进民营中小企业领导者对待风险的态度和控制风险的方法，转变其对内部控制的态度，强化内部控制意识，提高内部控制理念，将控制制度融入企业管理之中，才能促进企业管理的科学化进程和持续发展，从而有效建立和实施内部控制。 (二)提高企业内控制度行为主体素质。近年来，民营中小企业财会人员的思想教育、业务培训滞后，一些不具备从业资格的家庭成员、亲戚朋友被安排在财会工作岗位，缺乏内部控制制度的相关知识。有些企业虽然存在内部控制制度，但内部控制制度不全面，没有覆盖所有的部门和人员，没有渗透到企业各个业务领域和各个操作环节。部门间缺乏有效的协调和牵制，往往造成管理脱节。内控制度是企业各业务部门或人员，在业务运作过程中形成的相互影响、相互制约的一种动态机制，是具有控制功能的各种方式、措施及程序的总称，它绝不等同于规章制度，也不等同于内部管理，更不是组织计划。内部控制要以有效为前提，其关键是作为内控制度主体的经理和员工。“人”是内部控制行为的主体，企业内部控制失效，经营风险、会计风险的产生，均与之有关。企业在完善内部控制制度的同时，应对会计人员进行职业道德教育，增强会计人员自我约束能力；加强对会计人员的业务培训，以提高工作能力，减少会计业务处理的技术差错。 (三)改善企业发展的外部环境，提高内部控制投入。由于民营中小企业发展的外部环境较差，企业负责人主要精力耗费在企业之外，搞社会关系、拓展企业外部生存空间，抓市场、跑资金，无暇顾及内部控制问题。企业为了其存活与发展，为了取得社会资本不得不在与政府部门的协调关系方面发生大量支出。通过创业者已有的和后续不断发展的社会关系网络获取各种资源成为民营中小企业创业和后续发展的基本条件，这样，企业领导者将大量的人力和财力投入企业之外。转变政府部门职能，改善民营中小企业发展的外部环境，降低其创业和发展成本，使其在有限的资源下尽可能地实现内部控制目标。发展中的民营中小企业应逐渐提高内部控制投入，努力增加内部控制的效益。 (四)建立有效的监督机制，确保内部控制制度有效实施。要确保内部控制制度被切实地执行，且执行效果良好，其必须被监督。企业应设置内部审计机构或建立内部控制自我评估系统，加强对本企业内部控制的监督和评估，及时发现漏洞和隐患，并针对出现的新问题和新情况及内部控制执行中的薄弱环节，及时修正或改进。为加强监督，我国已形成了包括政府监督和社会监督在内的企业外部监督体系。但这些监督体系对民营中小企业的监督效果却不尽如人意，我国民营企业会计规范体系还不健全。审查报表时，偏重于技术上的差错而不注重报表的真实性，缺少对报送虚假信息的责任追究与惩罚措施。政府监督的缺位和政府各有关部门信息的相互独立，客观上使民营企业会计行为放任自流。民营企业外在监督的另一种缺位是社会监督的缺位。社会监督主要由以会计师事务所为主体的会计中介机构执行。由于目前社会审计的业务尚未涉及到民营企业，法律上尚未明确规定民营企业年度会计报表必须经注册会计师审计，加之民营企业财务管理混乱、内控乏力，使注册会计师及会计师事务所不愿意从事民营企业审计工作。只有加强外部监督，通过外部监督对企业施加压力，并将这种压力转化为动力，督促企业实施内部会计控制制度，以杜绝企业内控制度形同虚设的情况发生。 (五)完善企业的公司治理机制，明晰管理权责。内部控制作为由管理当局为实现管理目标而建立的一系列规则、政策和组织实施程序，与公司治理及公司管理密不可分。内部控制框架与公司治理机制的关系是内部管理监控系统与制度环境的关系。我国民营中小企业中相当一部分属于个体、私营性质，企业的投资者同时就是经营者，企业领导集权现象严重。所有权与经营权高度统一的管理模式使民营中小企业管理缺乏内部约束性。有的民营中小企业形式上虽然也建立了董事会、监事会，但真正的法人治理机构并未到位，缺乏授权与监管。有些民营中小企业为节减开支，往往不设置内控机构或虚设，内部控制的内涵也较窄。 完善企业的公司治理机制，即对企业在生产经营过程中的每个环节按不相容职务相互分离及授权批准的控制要求加以控制。不相容职务相互分离控制，要求合理设置相关工作岗位，明确职责权限，形成相互制衡机制。即一个人不能同时兼任可以隐匿自己所犯错误和不轨行为的职务，不相容的经济业务至少有两个或两个以上的个人或部门参加，从而可以在一定程度上防止违规违纪行为的发生。企业的管理者必须在内部控制制度中规定出完成经济业务的恰当授权，使各部门及人员权责分明，这样，可以保证企业既定方针的执行和限制滥用职权，从而既有利于保护资产的安全，又能使各项经济业务活动正常有序地开展。

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论文文献综述怎么写

文献综述是对论文选题研究现状的梳理，但并不仅仅是把文献进行简单的堆砌与罗列，而是需要在总结梳理别人研究的同时，对已有的研究做出评价，也就是说有述有评，这也是为什么文献综述也叫做文献述评的原因。

本科毕业设计（论文）文献综述院 （系）：专 业：班 级：学生姓名： 学 号:年 月 日本科生毕业设计（论文）文献综述评价表毕业设计（论文）题目综述名称 注意综述名称（综述内容中不要出现本课题怎么样等等）评阅教师姓名 职称评 价 项 目 优 良 合格 不合格综述结构 01 文献综述结构完整、符合格式规范综述内容 02 能准确如实地阐述参考文献作者的论点和实验结果03 文字通顺、精练、可读性和实用性强04 反映题目所在知识领域内的新动态、新趋势、新水平、新原理、新技术等参考文献 05 中、英文参考文献的类型和数量符合规定要求，格式符合规范06 围绕所选毕业设计（论文）题目搜集文献成绩综合评语：评阅教师（签字）：年 月 日文献综述： 小四号宋空一行标题 二号黑居中空一行1 XXX 三号黑XXX 小四号宋，行距20磅 XXXX 小三号黑XXX 小四号宋，行距20磅 XXX 四号黑XXX 小四号宋，行距20磅空一行2 XXXX 三号黑(空1行)参 考 文 献(空1行)[要求按国标GB 7714—87《文后参考文献著录规则》书写，例如：][1] 袁庆龙，候文义．Ni-P合金镀层组织形貌及显微硬度研究［J］．太原理工大学学报，2001，32(1)：51-53 ．（宋体五号，行距固定值20磅）[2] 刘国钧，王连成．图书馆史研究［M］．北京：高等教育出版社，1979：15-18，31．下面的是我的文献综述文献综述:FTO透明导电薄膜的溅射法制备1 前言为了更好的开展毕业论文及毕业实验工作，在查找和阅读与《DSSC用FTO透明导电玻璃的溅射法制备》相关的文献和资料，完成撰写了本文献综述。随着科技的日趋成熟，导电玻璃的制备方法也越来越成熟，种类也衍生得越来越多。本文章将对国内外的制备方法，种类，发展现状及趋势，工艺性能，退火处理对性能的影响等方面做一简要介绍。2透明导电玻璃的种类及制备方法简介透明导电玻璃的种类 .1 TCO导电玻璃TCO（Transparent Conductive Oxide）玻璃，即透明导电氧化物镀膜玻璃，是指在平板玻璃表面通过物理或化学镀膜方法均匀的镀上一层透明的导电氧化物薄膜而形成的组件.主要包括铟、锡、锌、铬的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。 ITO透明导电玻璃ITO透明导电玻璃全称为氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线,在高度净化的厂房环境中,利用平面磁控技术,在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。 ITO玻璃产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。透明导电玻璃FTO透明导电玻璃为掺杂氟的SnO2导电玻璃(SnO2:F)，简称为FTO。FTO玻璃可以做为ITO导电玻璃的替换用品，广泛用于液晶显示屏，光催化，薄膜太阳能电池基底等方面，市场需求极大. FTO玻璃因其特殊性，在染料敏化太阳能电池，电致变色和光催化方面对其透光率和导电率都有很高的要求，其综合性能常用直属FTC来评价：FTC＝T10／RS。T是薄膜的透光率，RS是薄膜的方阻值；在光学应用方面，则要求其对可见光有好的透射性和对红外有良好的反射性。对其基本要求是：①表面方阻低，②透光率高，③面积大、重量轻，④易加工、耐冲击。透明导电玻璃制备方法FTO透明导电玻璃的制备方法有，物理方法：溅射法、真空蒸发镀膜法、离子辅助沉积镀膜法等；化学方法：喷雾热解法、溶胶-凝胶法和化学气相沉积法等。目前适合批量生产且研发较多的有真空蒸发镀膜法、磁控溅射法、化学气相沉积法和喷雾热解等方法！［1］化学气相沉积法和真空镀膜法制备的薄膜和玻璃基板的结合强度不够，溶胶-凝胶法制备的导电薄膜电阻较高。适合于批量生产且已经形成产业的工艺，只有磁控溅射法和溶胶－凝胶法。特别是，溅射法由于具有良好的可控性和易于获得大面积均匀的薄膜。磁控溅射法镀膜：溅射镀膜(sputtering deposition)是指用离子轰击靶材表面，使靶材的原子被轰击出来，溅射产生的原子沉积在基体表面形成薄膜。溅射镀膜有二级、三级或四级溅射、磁控溅射、射频溅射、偏压溅射、反应溅射、离子束溅射等装置。目前最常用的制备CoPt 磁性薄膜的方法是磁控溅射法。磁控溅射法是在高真空充入适量的氩气，在阴极（柱状靶或平面靶）和阳极（镀膜室壁） 之间施加几百K 直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使氩气发生电离。氩离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间，便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜。磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。真空蒸发镀膜：真空蒸发镀膜(vacuum vapor deposition)是在工作压强低于10-2 Pa，用蒸发器加热物质使之汽化蒸发到基片，并在基片上沉积形成固态薄膜的一种工艺方法。真空蒸发的加热方式主要有电阻加热蒸发、电子束加热蒸发、高频加热蒸发和激光加热蒸发等。对于镀制透明导电氧化物薄膜而言，其真空蒸发镀膜工艺一般有三种途径：(1)直接蒸发氧化物；(2)采用反应蒸发镀，即在蒸发金属的同时通入氧气进行化学反应生成金属氧化物；(3)对蒸发金属镀膜进行氧化处理。溶胶-凝胶法：溶胶-凝胶法(so1-gel)是近年来发展起来的能代替高温固相合成反应制备陶瓷、玻璃和许多固体薄膜材料的一种新方法。它将金属醇盐或无机盐经溶液、溶胶、凝胶而周化，再将凝胶低温处理变为氧化物的方法，是应用胶体化学原理制各无机材料的一种湿化学方法。溶胶-凝胶工艺是一种制备多元氧化物薄膜的常用方法。按工艺可分为浸涂法和旋涂法。浸涂法是将衬底浸人含有金属离子的前驱体溶液中，以均匀速度将其提拉出来，在含有水分的空气中发生水解和聚合反应，最后通过热处理形成所需薄膜；而旋涂法则是通过将前体溶液滴在衬底后旋转衬底获得湿膜。化学气相沉积法：化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态薄膜沉积在加热的固态衬底表面，是一种重要的薄膜制各方法。CVD法所选的反应体系必须满足：(1)在沉积温度下，反应物必须有足够的蒸汽压；(2)化学反应产物除了所需的沉积物为固态外，其余必须为气态；(3)沉积物的蒸汽压应足够低，以保证能较好地吸附在具有一定温度的基体上，但此法因必须制各具有高蒸发速率的铟锡前驱物而使生产成本较高。影响化学气相沉积薄膜的工艺参数很多，包括基体温度、气压、工作气体流量和反应物及其浓度等。化学气相沉积技术的主要特点包括：设备及工艺简单、操作维护方便、灵活性强；适合在各种形状复杂的部件上沉积薄膜：由于设备简单，薄膜制备的成本也比较低。但是，薄膜的表面形貌很大程度上受到化学反应特性以及能量撒活方式的影响。喷雾热分解法：喷雾热分解法是化学法成膜的一种，其过程与APCVD法比较相似。它是将前驱体溶液在高压载气的作用下雾化，然后输送到基片表面，在高温作用下，前驱体溶液发生一系列复杂的化学反应，在基片表面上得到需要的薄膜材料。而反应副产物一般是通过气相形式排出反应腔。常用的高压载气主要有：压缩空气、氮气、氩气等等。但是由于压缩空气中常含有大量的水蒸气，所以用氮气作为载气的情形比较多。如果需要在基片表面上发生分解反应，基片温度一般在300℃以上，在玻璃上制备FTO薄膜的基片温度一般为500℃。影响最终薄膜性能的喷涂参数有：载气压力、前驱体溶液流量、基片温度、喷口与基片的距离、喷枪移动速度等等［2］。在成膜过程中基材的温度、液体的流速、压缩气体的压力以及喷嘴到基材的距离等参数均可实现精确控制［3］。3 FTO透明导电玻璃的研究现状、应用及发展趋势透明导电玻璃的研究现状自1907年Badeker首次报道了热氧化溅射的Cd薄膜生成半透明导电的CdO薄膜，引发了对透明导电氧化物(TCO)薄膜的研究。1950年前后出现了硬度高，化学稳定性好的SnO2基薄膜及综合光电性能优良的In2O3基薄膜，ZnO基薄膜的研究始于2O世纪80年代 。目前研究和应用较多的TCO薄膜主要有SnO2、In2O3。和ZnO基三大体系，其中以In203：Sn(ITO)，SnO2 ：F(FTO)和ZnO：Al(ZAO)最具代表性，这些薄膜具有高载流子浓度(1018～1021cm-3)和低电阻率(10-3～1O-4Ω•cm)，且可见光透射率8O％～90％，使这些薄膜已被广泛应用于平面显示、建筑和太阳光伏能源系统中。［4］ 已经商业化应用的TCO薄膜主要是In2O3Sn(ITO)和SnO2：F(FTO)2类，ITO由于其透明性好，电阻率低，易刻蚀和易低温制备等优点，一直是显示器领域中的首选TCO薄膜。FTO薄膜由于其化学稳定性好，生产设备简单，生产成本低等优点在节能视窗等建筑用大面积TCO薄膜中，具有很大的优势［5］。Sn02：F（FTO）掺杂体系是一种n型半导体材料，表现出优良的电学和光学性能，并且耐腐蚀，耐高温，成本低，化学稳定性好，是现在研究较多，应用范围较广的一类TCO薄膜。苗莉等［6］采用喷雾热解法，以NH4F、SnCl2•2H20为原料，在普通玻璃衬底上制备出了方块电阻最低达到Ω/口，可见光透光率为％的FTO薄膜，且薄膜晶粒均匀，表面形貌平整致密。Yadav等［7］采用喷雾热解法，制备了不同厚度的FTO薄膜，最低电阻率达到 X 10-4 Ω•cm。Moholkar等［8］采用喷雾热解法，制备了不同掺F浓度的FTO薄膜，研究了氟的掺杂浓度对Sn02薄膜的光学，结构和电学性能的影响。中国科学院等离子体物理研究所的戴松元小组［9、10］将FTO用于染料敏化太阳电池的透明电极，并获得较高的光电转换效率。射频溅射：射频溅射的基本原理是射频辉光放电。国内外射频溅射普遍选用的射频电源频率为13．56MHz,以防止射频信号与无线电信号的相互干扰。通常直流溅射的基本过程是，从阴极发出的电子，经过电场的加速后获得足够的能量，可以使气氛气体发生电离。正离子在电场作用下撞击阴极表面，溅射出阴极表面的原子、分子到衬底表面发生吸附、凝聚，最终成膜。直流溅射不能用于绝缘体材料的薄膜制备，因为绝缘材料在受到正离子轰击时，靶材表面的正离子无法中和，使靶表面的电位逐渐升高，导致阴极靶与阳极问的电场减小，当靶表面电位上升到一定程度时，可以使气体无法电离，溅射无法进行。而射频溅射适合于任何一种类型的阻抗耦合，电极和靶材并不需要是导体，射频溅射非常适合于制备半导体、绝缘体等高熔点材料的薄膜。在靶材表面施加射频电压，当溅射处于上半周时，由于电子的质量比离子的质量小很多，故其迁移率很高，用很短时间就可以飞向靶面，中和其表面积累的正电荷，从而实现对绝缘材料的溅射，并且在靶表面又迅速积累起了大量的电子，使其表面因空间电荷而呈现负电位，导致在射频溅射正半周期，也可吸引离子轰击靶材。从而实现了在电压正、负半周期，均可溅射。磁场的作用是将电子与高密度等离子体束缚在靶材表面，可以提高溅射速度。［11］用JPGF一450型射频磁控溅射系统在玻璃衬底上制备SnO2：F薄膜，系统的本底真空度为10-3Pa．溅射所用陶瓷靶是由纯度为％SnO2和NH4F，粉末经混合、球磨后压制成坯，再经1300℃烧结而成，靶中NH4F的重量比是％，用纯度为99．99％ 的氩气和氧气作为工作气体，由可控阀门分别控制气体的流量。溅射过程中，控制真空室内氩气压强为1Pa，氧分压为— Pa，靶与衬底间的距离为5cm．溅射功率为150W，溅射时间为25 min，衬底温度为100℃。用RIGAKU D／MAX—yA型x射线衍射(XRD)仪(CuKa辐射波长， nm)测试样品的结构，用APHM一0190型原子力显微镜(AFM)观测样品的表面形貌，使用 rv一1900型紫外可见光分光光度计测量样品的吸收谱，使用激发源为325 nm的He—Cd激光器的光谱仪测量样品的室温光致发光谱，使用普通的万电表测试它的导电性（前提是尽量保持测量条件的一致性）。透明导电玻璃的应用FTO透明导电玻璃具有优良的光电性能，被广泛用于太阳能电池的窗口材料、低损耗光波导电材料及各种显示器和非晶硅太阳能电池中作为透明玻璃电极等，与生活息息相关。在薄膜太阳电池上的应用太阳能电池是利用光伏效应，在半导体p-n结直接将太阳光的辐射能转化成电能的一种光电器件。TCO薄膜是太阳电池关键材料之一，可作为染料敏化太阳电池(dye-sensitized solar cells，DSCS)［12］等的透明电极，对它的要求是：具有低电阻率(方块电阻Rsh约为15Ω/□)；高阳光辐射透过率，即吸收率与反射率要尽可能低；化学和力学稳定性好的特点。在薄膜太阳电池中，透明导电膜充当电极，具有太阳能直接透射到作用区域几乎不衰减、形成p-n结温度较低、低接触电阻、可同时作为防反射薄膜等优点。在显示器上的应用显示器件能将外界事物的光、声、电等信息，经过变换处理，以图像、图形、数码、字符等适当形式加以显示。显示技术的发展方向是平板化。在众多平板显示器中，薄膜电致发光显示由于其主动发光、全固体化、耐冲击、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，引起广泛关注，并发展迅速。FTO薄膜具有可见光透过率高、电阻率低、较好的耐蚀性和化学稳定性，因此被广泛用作平板显示器的透明电极。在气敏元件上的应用气体传感器是把气体的物理、化学性质变换成易处理的光、电、磁等信号的转换元件。半导体气体传感器是采用金属氧化物或金属半导体氧化物材料做成的元件，与气体相互作用时产生表面吸附或反应，引起以载流子运动为特征的电导率或伏安特性或表面电位变化。二氧化锡薄膜气敏器件具有灵敏度高、响应速度和恢复速度快、功耗低等特点，更重要的是容易集成。随着微电子技术的发展，传感器不断向智能化、微型化方向发展。［13］在建筑幕墙玻璃及透明视窗上的应用喷雾热解法制各的FTO薄膜能用于阳光节能玻璃，对可见光高透射，但对红外光高反射，其反射率大于70％。让阳光中可见光部分透过，而红外部分和远红外反射。阳光中的可见光部分对室内采光是必需的，但可将红外部分的热能辐射反射回去，能有效调节太阳光的入射和反射。利用FTO薄膜在可见光区的高透射性和对红外光的高反射性，可作为玻璃的防雾和防冰霜薄膜。 FTO透明导电玻璃的发展趋势随着LCD的商品化、彩色化、大型化和TFT的驱动或太阳能电池的能量转变效率的提高，人们对透明导电氧化物（TCO）薄膜的要求越来越严格，至少需要满足如下条件：(1)导电性能好，电阻率较低；(2)可见光内透光率较高：(3)镀膜温度更接近室温，能大面积均匀地镀膜；(4)膜层加工性能好，可以进行高精度低损伤腐蚀；(5)热稳定性及耐酸、碱性优良，硬度高；(6)表面形状良好，没有针孔；(7)价格较低，可实现大规模工业化生产。目前，TCO薄膜已普遍达到下列水平：膜厚为500 nm的情况下电阻率在10-4 Ω•cm数量级，在可见光区透光率达80％，载流子迁移率一般达到40cm2／(v•s)。虽然TCO薄膜的性能指标可以满足当前应用需要，但随着器件性能的不断提升，对TCO薄膜提出了更高的性能要求。一些学者提出了TCO薄膜发展的一个量化的前景指标：禁带宽度>3 eV，直流电阻率～5×10-5 Ω•cm，可见光段在自由电子作用下的吸收系数<2x103 cm-1，载流子迁移率>100 cm2／(v•s)。几十年来，人们一直在努力提高透明导电薄膜的透明性和导电性。SnO2：F（TFO）透明导电薄膜由于其兼备低电阻，高的可见光透过率，近红外高的反射率，优良的膜强度和化学稳定性等优点，越来越受到人们的青睐，必将在平板显示器件、建筑物玻璃和气敏传感器等众多领域中得到更广泛的应用。利用溅射法制备FTO透明导电玻璃它的生产工艺简单，操作方便，利于控制。成本较低，原料易得，但在制备过程中NH4F加热分解放出有污染的氮氧化物和氨烟，这对以后商业化生产造成了很大的制约。所以对原料的改进和污染的控制方面还有待开发。4 制备条件对膜结构及光电性能的影响长安大学材料科学与工程学院段理等做了磁控溅射制备银掺杂ZnO薄膜结构及光电性质研究实验，发表了文献［14］，并在文献14中得出了——的结论。制备条件对膜厚的影响文献中采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了银掺杂ZnO薄膜，当薄膜淀积时间从30rain延长到90min时，薄膜的厚度几乎按照线性关系从约270nm增加到820nm，即薄膜的淀积速率大致稳定在9nm／min左右，为匀速生长。溅射功率与膜厚呈线性增长，及沉淀速率与溅射功率大致呈线性关系。制备条件对膜结构的影响晶体质量随溅射功率的增大而降低，随溅射气压的增大而降低。制备条件对膜光电性质的影响在固定溅射总气压的条件下，增大氧分压可以增强薄膜的紫外发光强度，增大薄膜的载流子浓度。 退火对薄膜的影响退火能显著提高薄膜晶体质量，并增强薄膜的PL发光强度和导电能力，其原因是退火能使银离子完成对锌离子的替代从而形成受主。［15］5 退火后处理对膜结构与成分的影响光敏薄膜的光电、形貌性能与退火处理密切相关，退火处理优化了薄膜表面形貌、减小了光学能隙、增大了薄膜的导电率和载流子迁移率。光敏薄膜性能的优化，有利于增大聚合物太阳电池的填充因子、开路电压和短路电流，对于提高其能量转换效率、改善器件光伏性能具有非常重要的意义。［16］分别对较低氧分压反应磁控溅射制备的 薄膜进行氧化性气氛和惰性气氛退火。通过XRD和SEM 分析，发现氧化性气氛退火薄膜为表面多孔的金红石结构 ，而惰性气氛退火薄膜表面较为致密，结构分析不仅观察到金红石结构的 ，还发现了四方结构的 。XPS表面分析进一步表明，氧化性气氛退火后，薄膜成分单一，未氧化的 完全氧化成稳定的 ，而且具有稳定结构的 薄膜表面吸附水很少。相对而言，惰性气氛退火后，薄膜表面 、 和 共存，表面化学吸附氧和吸附水较明显，薄膜的稳定性降低。［17］6 FTO导电玻璃制备相关参数根据范志新等所提出的理论表达式： 带入相关数据可得到，SnO2:F（FTO）的最佳掺杂含量为［18］通过对比总结，参考大量数据，选择溅射功率：100W，溅射压力：5Pa，溅射时间：，溅射靶距：38mm［13、19］做产品。进行相关参数的选择与优化。7 参考文献1、张志海， 热解法制备氟掺杂二氧化锡导电薄膜及其性能研究 合肥工业大学2、汪振东， 玻璃基TiO<,2>-SiO<,2>/SnO<,2>：F薄膜的喷雾热分解法制备和表征 武汉理工大学3、郝喜红， 喷雾热解法制备掺杂二氧化锡导电薄膜 西安建筑科技大学4、张明福等， 透明导电氧化物薄膜研究的新进展 压电与声光5、方俊 杨万莉， n型透明导电氧化物薄膜的研究新进展 陶瓷6、苗莉等， SnO2:F导电薄膜的制备方法和性能表征 材料导报7、Yadav A A，Masumdar E U，Moholkar A V，et a1．Effect of quantity of spraying solution on the properties of spray deposited fluorine doped tin oxide thin films[J]．Physiea B：Condensed Matter，2009，404(12—13)：1874 - 1877．8、Moholkar A V，Pawar S M，Rajpure K Y，et 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广西师范大学学报（自然科学版）