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电子专业论文参考文献

参考文献按照其在正文中出现的先后以阿拉伯数字连续编码,序号置于方括号内。以下是我和大家分享的电子专业论文参考文献,更多内容请关注毕业论文网。

参考文献篇一:

[1] 樊浩. 储存环中高次谐波腔的有关计算研究[D]. 中国科学技术大学 2013

[2] 王亮. 薄层等离子体与表面等离子体激元的实验研究[D]. 中国科学技术大学 2009

[3] 田秀芳. 介质加速粒子的相关理论研究[D]. 中国科学技术大学 2014

[4] 程诚. MHz频率电子束束流动力学及其尾场效应研究[D]. 清华大学 2010

[5] 常广才. BSRF同步辐射生物大分子光束线设计和性能研究[D]. 中国科学技术大学 2011

[6] 汪建. 射频电感耦合等离子体及模式转变的实验研究[D]. 中国科学技术大学 2014

[7] 牛田野. 特殊等离子体环境物理信息获取与处理的研究[D]. 中国科学技术大学 2008

[8] 王季刚. 基于条纹相机的束流测量系统研制及其相关研究[D]. 中国科学技术大学 2012

[9] 方佳. 电子注入器中基于条带检测器的多束流参数测量技术研究及应用[D]. 中国科学技术大学 2012

[10] 严晗. 全数字化束流位置测量系统工程样机的设计与制作[D]. 中国科学技术大学 2012

[11] 徐卫. 储存环纵向反馈腔设计与基于横向反馈系统的束流实验研究[D]. 中国科学技术大学 2013

[12] J. C. Foster,J. M. Holt,L. J. Lanzerotti. Mid-latitude ionospheric perturbation associated with the Spacelab-2 plasma depletion experiment at Millstone Hill[J]. Annales Geophysicae . 2000 (1)

[13] 赵宇宁. 加入高次谐波腔的储存环内束流不稳定性研究[D]. 中国科学技术大学 2013

[14] 唐雷雷. HLS Ⅱ束流横向截面测量系统的研制及相关研究[D]. 中国科学技术大学 2013

[15] 黄勇,时家明,袁忠才. Numerical Simulation of Ionospheric Electron Concentration Depletion by Rocket Exhaust[J]. Plasma Science and Technology. 2011(04)

论文参考文献篇二:

[1] 王若鹏. 地震电离层前兆短期预报研究[D]. 武汉大学 2012

[2] 冯宇波. 电离层等离子体分析仪的设计与研制[D]. 中国科学院研究生院(空间科学与应用研究中心) 2011

[3] 何昉. 地基大功率无线电波加热电离层对空间信息链路影响研究[D]. 武汉大学 2009

[4] 汪枫. 高频电波人工调制低纬电离层所激发的`ELF波的研究[D]. 武汉大学 2011

[5] J. Birn,A. V. Artemyev,D. N. Baker,M. Echim,M. Hoshino,L. M. Zelenyi. Particle Acceleration in the Magnetotail and Aurora[J]. Space Science Reviews . 2012 (1)

[6] 邓忠新. 电离层TEC暴及其预报方法研究[D]. 武汉大学 2012

[7] 刘宇. 实验室研究化学物质主动释放形成的电离层空洞边界层的非线性演化[D]. 中国科学技术大学 2015

[8] 马新欣. 基于COSMIC掩星数据的电离层分布特征及地震响应研究[D]. 中国地震局地球物理研究所 2014

[9] 宋君. 返回式电离层探测技术应用研究[D]. 武汉大学 2011

[10] 呼延奇. 日冕大尺度结构演化及快速磁场重联的数值研究[D]. 中国科学院研究生院(空间科学与应用研究中心) 2008

[11] 李世友. 伴随磁场重联的静电孤立波的研究[D]. 武汉大学 2009

[12] 黄灿. 无碰撞磁场重联中的电子动力学[D]. 中国科学技术大学 2012

[13] 李正. 电离层暴及“行星际扰动-磁暴-电离层暴”的观测研究[D]. 中国科学院研究生院(空间科学与应用研究中心) 2011

[14] 赵莹. GNSS电离层掩星反演技术及应用研究[D]. 武汉大学 2011

[15] 刘振兴等,着.太空物理学[M]. 哈尔滨工业大学出版社, 2005

[16] 涂传诒等编着.日地空间物理学[M]. 科学出版社, 1988

[17] 徐晓军. 行星际磁场重联观测研究[D]. 中国科学院研究生院(空间科学与应用研究中心) 2011

参考文献篇三:

[1] 肖效光. 30MeV Linac数值模拟与能量回收初步研究[D]. 中国工程物理研究院北京研究生部 2003

[2] 田秀芳,吴丛凤. PASER在混合气体激活介质中的理论计算(英文)[J]. 量子电子学报. 2014(01)

[3] Miron Voin,Wayne D. Kimura,Levi Sch?chter. 2D theory of wakefield amplification by active medium[J]. Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A . 2013

[4] PASER: particle acceleration by stimulated emission of radiation[J]. Physics Letters A . 1995 (5)

[5] 何笑东. X波段介质-金属膜片混合加载加速器的研究[D]. 中国科学技术大学 2009

[6] 耿会平. 软X射线自由电子激光设计及相关物理研究[D]. 中国科学技术大学 2010

[7] 白正贺. 基于粒子群优化算法的电子储存环磁聚焦结构设计与优化[D]. 中国科学技术大学 2013

[8] 何笑东. X波段介质-金属膜片混合加载加速器的研究[D]. 中国科学技术大学 2009

[9] Wladyslaw Zakowicz,Andrzej A. Skorupski,Eryk Infeld. Electromagnetic Oscillations in a Spherical Conducting Cavity with Dielectric Layers. Application to Linear Accelerators[J]. Journal of Electromagnetic Analysis and Applications . 2013 (01)

[10] 查皓. CLIC Choke-mode加速结构设计与实验研究[D]. 清华大学 2013

[11] 栗武斌. HLS II储存环数字逐束团反馈系统的研制[D]. 中国科学技术大学 2014

[12] 王晓辉. 合肥光源高亮度注入器束流测量系统的研制[D]. 中国科学技术大学 2011

[13] 王季刚. 基于条纹相机的束流测量系统研制及其相关研究[D]. 中国科学技术大学 2012

[14] 李和廷. 高增益短波长自由电子激光相关物理研究[D]. 中国科学技术大学 2011

[15] 樊浩. 储存环中高次谐波腔的有关计算研究[D]. 中国科学技术大学 2013

[16] 吴爱林. 同步辐射和自由电子激光中特殊波荡器的研究[D]. 中国科学技术大学 2013

[17] 白正贺. 基于粒子群优化算法的电子储存环磁聚焦结构设计与优化[D]. 中国科学技术大学 2013

[18] 何志刚. 光阴极微波电子枪调试及驱动激光整形技术研究[D]. 中国科学技术大学 2011

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丸子粉丝

电子电工能从事各类电子设备维护、制造和应用,电力生产和电气制造、维修的复合型技术人才的学科。下面是我为大家整理的电子电工技术论文例文,希望你们喜欢。

浅谈电子设备的维护

摘要: 本文作者介绍了电子仪器设备的日常维护方法和要求,以及在使用中的注意事项、安全用电等问题。

关键词:电子设备;维护

中图分类号: V443文献标识码:A 文章编号:

电子设备在长期的使用过程中,需要维护。认真做好电子仪器的维护,对延长设备寿命、减小设备故障,确保安全运行以及保证仪器设备精度等方面具有十分重要的作用。仪器保管的环境条件一般为:环境温度: 0~40 ℃;相对湿度: 50%~80%(温度 20 ℃±5 ℃);室内清洁无尘,无腐蚀性气体。电子设备的维护措施大致可归纳为下列几项。

1 防热与排热

因为绝缘材料的介电性能、抗电强度会随温度的升高而下降,而电路元器件的参数也会受温度的影响(例如,碳质电阻和电解电容器等往往由于过热而变质、损坏),特别是半导体器件的特性,受温度的影响比较明显。例如,晶体管的电流放大系数和集电极穿透电流,都会随着温度的上升而增大。这些情况将导致电子仪器工作的不稳定,甚至发生各种故障。因此,对于电子仪器的“温升”都有一定的限制,通常规定不得超过 40 ℃;而仪器的最高工作温度不应超过 65 ℃,即以不烫手为限。通常室内温度以保持在 20~25 ℃最为合适。电子仪器设备说明书中会对使用环境温度作出规定。如果室温超过 35 ℃,应采取通风排热等人工降温措施,也可以缩短仪器连续工作的时间,必要时,应取下机壳盖板,以利散热。但应特别指出: 要禁止在存放电子仪器的室内,用洒水或放置冰块来降温,以免水气侵蚀仪器而受潮。对于内部装有小型排气风扇的仪器设备,应注意其运转情况,必要时应予以定期维护、加油、擦洗等。要防止电子仪器设备受阳光暴晒,以免影响仪器设备寿命。

许多电子仪器,特别是消耗电功率较大的仪器设备,大多在内部装置有小型的排气电风扇,以辅助通风冷却。对于这类仪器,应定期检查电风扇的运转情况。如果运转缓慢或干涩停转,将会导致仪器温升过高而损坏。此外,还要防止电子仪器长时间受阳光暴晒,以免使仪器机壳的漆层受热变黄、开裂甚至翘起,特别是仪器的度盘或指示电表,往往因久晒受热,而导致刻度漆面开裂或翘起,造成显示不准确甚至无法使用。所以,放置或使用电子仪器的场所如有东、西向的窗户,应装置窗帘,特别是在炎热的季节,应注意挂窗帘。

2 防振与防松

小型电子仪器设备的机壳底板上,一般装有防振用弹性垫脚,如果发现这些垫脚变形或脱落,应及时更新。对于大型电子设备,在安装时应采取防振措施。因长期使用运行或环境条件变化引起振动时,应及时报告有关部门,并会同有关部门采取防振措施,予以消除。在搬运或移动仪器时应轻拿轻放,严禁剧烈振动或者碰撞,以免损坏仪器的插件和表头等元件。

对于仪器设备内部接插式器件和印制电路板,通常都装有弹簧压片、电子管屏蔽罩、弹簧垫圈等紧固用的零件,在检修仪器设备时切不可漏装。在搬运笨重电子仪器设备之前,应检查把手是否牢靠,对于塑料或人造革的把手,应防止手柄断裂而摔坏仪器设备,最好用手托住底部搬运。

3 防腐蚀

电子仪器应避免靠近酸性或碱性气体(诸如蓄电池、石灰桶等)。仪器内部如装有电池,应定期检查以免发生漏液或腐烂。如果长期不用,应取出电池另行存放。对于附有标准电池的电子仪器(如数字式直流电压表、补偿式电压表等) ,在搬运时应防止倒置,装箱搬运时,应取出电池另行运送,以免标准电池失效。电子仪器如果需要较长时间的包装存放,应使用凡士林或黄油涂擦仪器面板的镀层部件(如钮子开关、面板螺钉、把手、插口、接线柱等) 和金属的附配件等,并用油纸或蜡纸包封,以免受到腐蚀,使用时,可用干布把涂料抹擦干净。在沿海地区,要经常注意盐雾气体对仪器设备的侵蚀。

4 防尘与防灰

要保证电子仪器处于良好的备用状态,首先应保证其外表的整洁。因此,防尘与防灰是一项最基本的维护措施。

由于灰尘有吸湿性,故当电子仪器设备内部有尘埃时,会使设备的绝缘性能变坏,活动部件和接插部件磨损增加,导致电击穿等,以致仪器设备不能正常工作。大部分的电子仪器都备有专用的防尘罩,仪器使用完毕后应注意加罩,无罩设备应自制防尘罩。防尘罩最好采用质地细密的编织物,它既可防尘又有一定的透气性。塑料罩具有良好的防尘作用,在使用塑料罩的情况下,最好要等待温度下降后再加罩,以免水汽不易散发出去,从而使仪器设备内部金属元件锈蚀,绝缘程度降低。若没有专门的仪器罩,应设法盖好,或将仪器放进柜厨内。玻璃纤维的罩布,对使用者健康有危害,玻璃纤维进入仪器内也不易清除,甚至会引起元器件的接触不良和干涩等问题,因此严禁使用。

5 防潮与驱潮

湿度如同温度一样,对元器件的性能将产生影响,湿度越大对绝缘性能和介电参数影响越大。防潮措施可采取密封、涂覆或浸渍防潮涂料、灌封等,使零部件与潮湿环境隔离,起到防潮作用。电子设备内部的电源变压器和其他线绕元件(如线绕电阻器、电位器、电感线圈、表头动圈等) 的绝缘强度,经常会由于受潮而下降,从而发生漏电、击穿、霉烂、断线等问题,使电子设备出现故障。因此,对于电子仪器,必须采取有效地防潮与驱潮措施。首先,电子设备的存放地点,最好选择比较干燥的房间,室内门窗应利于阳光照射、通风良好。在仪器内部,或者存放仪器的柜厨里,应放置“硅胶袋”以吸收空气中的水分。应定期检查硅胶是否干燥(正常应呈白色半透明颗粒状) ,如果发现硅胶结块变黄,表明它的吸水功能已经下降,应调换新的硅胶袋,或者把结块的硅胶加热烘干,使它恢复颗粒状继续使用。在新购仪器的木箱内,经常附有存放硅胶的塑料袋应扯开取出改装布袋后使用。

6 防漏电

由于电子仪器大都使用市交流电来供电,因此,防止漏电是一项关系到使用安全的重要维护措施,特别是对于采用双芯电源插头,而仪器的机壳又没有接地的情况。如果仪器内部电源变压器的一次绕组对机壳之间严重漏电,则仪器机壳与地面之间就可能有相当大的交流电压(100 ~ 200 V),这样,人手碰触仪器外壳时,就会感到麻电,甚至发生触电事故。所以,对于各种电子仪器必须定期检查其漏电程度,即在仪器不插市交流电源的情况下,把仪器的电源开关扳置于“通”的部位,然后用绝缘电阻表(习惯上称兆欧表) 检查仪器电源插头对机壳之间的绝缘是否符合要求。

7 定性测试

电子仪器使用之前,应进行定性测试,即粗略地检查仪器设备的工作情况是否正常,以便及时发现问题进行检查或校正。定性测试的项目不要过多,测试方法也应简便可靠,只要能确定仪器设备的主要功能以及各种开关、旋钮、度盘、表头、示波器等表面元器件的作用情况是否正常即可。例如,对于电子电压表的定性测试,要求各电压档级的“零位”调节正常和电压“校正”准确即可;如果无“校正”电压装置,可将量程开关扳置在“3 V”档级,并用手指碰触电子电压表的输入端,如果表头有指示,即表明仪器仪表电压功能正常;又如,对电子示波器的定性测试,要求示波管的“辉度”、“聚焦”、“位移”等调节正常,以及利用本机的“试验电压”或“比较信号”能观测相应的波形即可;再如,对信号发生器,要求各波段均有输出指示即可。

8 结束语

综上所述,在电子设备实际使用过程中,应根据设备的具体情况,正确、合理地选择相关的维护措施,使电子设备能够正常的工作。

参考文献:

[1]毛端海,戚堂有,李忠义. 常用电子仪器维修[M]. 北京: 机械工业出版社,2008.

[2]陈梓诚. 电子设备维修技术[M]. 北京: 机械工业出版社,2007.

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结婚201314

材料学是研究材料组成、结构、工艺、性质和使用效能之间的相互关系的学科,为材料设计、制造、工艺优化和合理使用提供科学依据。下文是我为大家蒐集整理的的内容,欢迎大家阅读参考!

浅析奈米二氧化矽改性环氧树脂复合材料的效能

随着资讯产业的飞速发展, 人类社会正稳步朝着高度资讯化的方向发展,资讯处理与资讯通讯正构成高度资讯化科学技术领域发展中的两大技术支柱.以高速计算机、示波器、IC测试仪器为主体的资讯处理技术追求资讯处理的高速化、容量的增大化和体积的小型化;以手机、卫星通讯及蓝芽技术等为代表的资讯通讯技术追求多通道数、高效能化和多功能化,使得使用频率不断提高,进入高频甚至超高频领域.在高频电路中,由于基板介电常数越低,讯号传播得越快;基板的介电常数越小,损耗因数越小,讯号传播的衰减越小,因此,要实现高速传输、低能量损耗与小的传输延时,则对基板材料提出了更高的要求,即要求基板材料为低ε、低tanδ.

此外,高的耐热性,低的吸水性和高的尺寸稳定性也是高频电路对基板材料的基本要求.传统的基板材料***FR4***所用的基体树脂主要为环氧树脂,因其成本低、工艺成熟而在印刷电路板中大量使用;但作为高频电路基板材料,却暴露出介电效能低劣、耐热性不佳、热膨胀率偏高、耐溼性差等缺陷.因此开发适合高频电路基板材料用的树脂体系是印刷电路板行业目前研究的一个重要方向,而对EP进行改性并借助EP较为成熟的生产和加工工艺研究、开发和制备新型的树脂体系,是制备高效能电路基板的一条非常经济有效的途径[3-5] .

研究表明,无机奈米粒子弥散分布的树脂基体材料,由于奈米粒子具有的表面特性和晶体结构使基体材料显示出一系列优异的效能,其中奈米SiO2 改性树脂基体具有很多优异的效能[8-10],但奈米SiO2表面存在大量的羟基使其表现为亲水性、易团聚,贮存稳定性差等缺点.因此奈米颗粒在树脂中的均匀分散是制备高效能奈米颗粒弥散分布有机树脂的一个重要环节.

本文采用矽烷偶联剂KH570改性奈米SiO2粉体,通过共混法制备了高效能SiO2EP树脂复合材料,并对其微观结构、热稳定性和介电效能进行研究.

1、实验部分

1.1原料

奈米SiO2质量分数≥99.5%,粒径15 nm,杭州万景新材料有限公司;苯***A.R.***、二甲苯***A.R.***、无水乙醇、H2O2 ***30 %,A.R.***,γ2***甲基丙烯酰氧***丙基三甲氧基矽烷***A.R. KH570***、环氧树脂***E44,6101******湖南三雄化工厂***、固化剂聚酰亚胺***低分子650******湖南三雄化工厂***.

1.2SiO2改性环氧树脂复合材料的制备

参考文献[11],采用 γ2***甲基丙烯酰氧***丙基三甲氧基矽烷***KH570***对奈米SiO2进行表面改性处理得到亲油性奈米SiO2粉体.

SiO2改性环氧树脂复合材料的制备工艺如下***以2% SiO2EP为例***:取2 g亲油性SiO2粉体,超声分散于80 mL二甲苯中,然后加入49 g环氧树脂,搅拌均匀后再加入49 g的聚酰胺固化剂,超声分散搅拌均匀,最后将混合体系倾入铝制模具中,放置于烘箱中先于120 ℃预固化2 h,再升温至150 ℃固化3 h,最后于180 ℃固化1 h得最终试样. 为对比不同试样的效能,采用相同工艺制备了未新增奈米SiO2的EP.不同组成的试样编号如表1所示.

1.3效能测试

采用傅立叶变换红外光谱***FTIR,Avatar360,Nicolet***研究改性奈米SiO2前后,不同试样中化学键的变化,判断可能发生的反应.操作条件:采用KBr压片法制样,测量的波长范围为***4 000~400*** cm-1.

采用扫描电子显微镜***SEM,JSM6700F,Jeol***表征微观形貌,观察奈米颗粒在复合材料中的分散情况.

用STA449C综合热分析仪研究试样的热稳定性.操作条件:样品质量为25~35 mg,Ar流量为50 mL?min-1,升温速率为10 ℃?min-1,温度变化范围为***0~800*** ℃.

介电常数是指介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,在相同的原电场中某一介质中的电容率与真空中的电容率的比值. 介电损耗是电介质在交变电场中,由于消耗部分电能而使电介质本身发热的现象.SiO2改性环氧树脂复合材料的介电常数和介电损耗采用美国安捷伦公司生产的Agilent 4991A高频阻抗分析仪测试,测试频率为1 M~1 G,测试夹具为美国安捷伦公司生产的Agilent16453A介电效能测试夹具.

2、结果与讨论

2.1FTIR分析

图1为3种试样的红外图谱.对改性奈米SiO2而言,位于1 103 cm-1左右的一个宽强峰及812 cm-1附近的一个尖峰属于Si-O-Si键的对称振动峰***νSi-O-Si*** .波数为1 395 cm- 1 的吸收峰属于νSiO-H的伸缩振动峰;波数为1 637 cm-1 处的吸收峰属于νC = C 的伸缩振动峰,波数为1 606 cm-1 处的吸收峰归属于νC-C的收缩振动峰,这两种化学键均来自于矽烷偶联剂KH570,从这几个吸收峰来看,矽烷偶联剂已经成功地连线在SiO2表面[11-12].同时由于改性奈米SiO2中仍存在Si-OH键振动峰,表明偶联剂在奈米SiO2表面的反应进行得并不完全,偶联剂用量对SiO2改性效果的影响有待进一步研究.

由于聚酰亚胺固化EP材料的官能团较多,本文重点分析新增改性SiO2后,相应官能团的变化.对比新增改性奈米SiO2前后EP的红外吸收,可知奈米SiO2在1 395 cm- 1处的峰消失,同时EP材料中出现于1 628 cm-1处的δCO-H和1 405 cm-1处的δN-H的强度降低甚至消失,表明矽烷偶联剂和改性奈米SiO2与EP树脂材料发生了化学反应,导致δCO-H和δN-H吸收峰强度降低或者消失.

波数/cm-1

2.2奈米SiO2新增量对EP热稳定效能的影响

图2为不同样品在Ar气氛下的热重***TG***曲线和微分热重***DTG***曲线.从图2***a***所示TG曲线可以看出,不同组成的试样在Ar气氛中的热失重过程相似,在300~500 ℃,在相同的温度下,随SiO2含量的增加,失重率显著升高;而当失重率相同时,随SiO2含量的增加,复合树脂对应的温度升高,表明其热稳定性增加.表2给出了不同试样一定失重率对应的温度.

从图2***b***所示DTG曲线可以看出,0#试样有两个峰值,这表明EP基体的分解可大致分为两个步骤,这两个失重峰对应的分别是环氧树脂基体的热分解和裂解残碳的氧化[13-14].随着新增量的增加,第一个峰值逐渐变平缓直到最后消失,而失重速率最大时对应的峰值温度***见表2***则逐渐升高,这也表明随新增量的增加,偶联剂的官能团和改性奈米SiO2表面残留的Si-OH与基体树脂的官能团发生了化学反应,从而提高了树脂基体的“牢固度”[15].新增量越多,“牢固度”增加的程度越大,从而导致基体材料的热稳定性逐渐提高.

由于环氧树脂及其固化剂含有较多的氧,因此尽管在惰性气氛中进行热分解研究,但其裂解后的残炭量几乎完全消失,残余质量与新增在其中的SiO2量相一致[14].

2.3奈米SiO2新增量对EP微观形貌的影响

图3为新增不同奈米SiO2颗粒的SiO2/EP复合材料的微观形貌图谱.从图3***a***中可以看出,未新增SiO2的试样断面较为粗糙;从图3***b***~***e***可以看出,随SiO2新增量的增加,其在EP中的分布由分散均匀,团聚少***图3***b*** 和3***c******,逐步改为团聚明显,分散均匀性差***图3***d*** 和3***e******.当新增量为4%时,奈米SiO2均匀地分散在EP基体中,粒径约为30 nm,对比原始SiO2尺寸,奈米颗粒还存在微弱的团聚现象.随新增量的增加,奈米SiO2团聚现象明显增加,当新增量增加到16%时,奈米颗粒出现严重的团聚现象,这将影响其介电效能.这种团聚一方面是由于奈米颗粒有很高的比表面积,同时由于偶联剂与奈米SiO2颗粒表面Si-OH反应得并不完全,导致奈米颗粒表面仍存在Si-OH,这些官能团彼此之间可以发生缩合反应导致颗粒团聚.

2.4奈米SiO2新增量对EP基体介电效能的影响

2.4.1奈米SiO2新增量对EP介电常数的影响

图4为不同试样的介电常数与测试频率的关系曲线图.从图4可以看出,5组试样的介电常数均随着频率的升高呈下降趋势.同时随着奈米SiO2新增量的增加,试样的介电常数呈先降低后升高的趋势.当新增量为4%时,试样的介电常数具有最低值.

log***f/Hz***

析认为,当奈米SiO2的新增量小于4%时,奈米SiO2新增到树脂基体后,形成了“ 核壳过渡层”结构,以“核”作为交联点使得复合材料的交联度提高,其极性基团取向活动变得困难, 因而复合材料的介电常数下降.而当奈米SiO2的新增量大于4%时,奈米SiO2本身介电效能较高的影响超过了其对树脂基体极性基团的“束缚”作用而产生了介电效能降低效应,这就导致复合材料介电常数的增加.

2.4.2奈米SiO2新增量对EP介电损耗的影响

图5为5种试样的介电损耗随频率的变化曲线.从图5可以看出,试样的介电损耗均随测试频率的增加先升高后降低;随着奈米SiO2加入量的增多呈现先降低后升高的趋势.同一测试频率下,当奈米SiO2的新增量为4%时,材料的介电损耗最低;当奈米SiO2的新增量为6%时,材料的介电损耗开始增加;当奈米SiO2的新增量为16%时,材料的介电损耗接近纯EP试样的介电损耗.

分析认为,复合材料的介电损耗取决于环氧树脂极性基团的松弛损耗和极性杂质电导损耗的共同作用.加入奈米SiO2后,一方面改性奈米SiO2表面的官能团可以与聚酰亚胺固化EP中的官能团反应,束缚了树脂基体中极性基团的运动,从而降低了松弛损耗;另一方面,改性后的奈米颗粒表面不可避免地存在一些极性基团,这些基团同时增加了电导损耗,复合材料的介电损耗正是这二者共同作用的结果.当奈米SiO2的新增量小于6%时,试样的松弛损耗的降低效果高于电导损耗的增加效果,所以试样的介电损耗均比纯EP的小.而当奈米SiO2的新增量为16%时,奈米SiO2出现明显的团聚现象,这就导致松弛损耗的效果迅速降低,从而导致试样总体的介电损耗接近纯EP试样.

3、结论

利用矽烷偶联剂对奈米SiO2进行表面改性,通过共混法制备了不同奈米SiO2含量的SiO2/EP奈米复合材料,研究了SiO2的新增对复合材料微观结构、耐热性和介电效能的影响.结论如下:

1 *** 当奈米SiO2含量在0~16%时,随着奈米SiO2含量的增加,SiO2/EP奈米复合材料的热稳定性逐渐升高.

2*** SiO2/EP奈米复合材料的介电效能随着测试频率的升高呈下降趋势.同一测试频率下,随着奈米SiO2新增量的增加,试样的介电常数呈先降低后升高趋势.

3***当奈米SiO2含量为4%时,复合材料的综合性能最优.其耐热性较好,介电效能最优***频率为1 GHz时,介电常数为2.86,介电损耗为0.023 53***.

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