半导体所学位论文

中科院半导体所博士3年毕业，因为博士研究生基本学习年限为3年，硕、博连读生和提前攻博生为5年。 对于确因客观原因等不能在学制规定时间内按期毕业的博士研究生，根据学习和论文工作完成情况，需要在应毕业的当年4月30日前填写“延期毕业申请表”，经导师同意、所在实验室批准后，报研究生部递交主管所领导审批，可延长三个月、半年至一年的论文工作时间，申请材料由研究生部存档备案。延期一年仍不能毕业的博士研究生，需要在当年4月30日前向研究生部提交“延期毕业研究生论文工作情况检查表” ；研究生部组织考核小组进行考核，考核结果上报学科小组签署意见后报告给所学位评定委员会。如果研究生的学位论文工作经考评被认为不适合继续进行或研究生本人无能力完成，应按照研究生肄业办理终止学籍手续。提前完成学业，德、智、体全面合格者，按有关规定可提前毕业，但一般情况下，最多只能提前半年。 延期申请获得批准后，在延长期内学生的所有费用由导师承担，助学金是否发放以及发放标准由导师确定。

据中国科学技术信息研究所、国家工程技术数字研究馆信息：1999年至2004年期间，郑有炓共培养6名学生获得博士学位，硕士11名，基本情况如下 ：【杨红官】 学位类别：博士 ；授予学位日期 2004年04月01日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器【邓咏桢】 学位类别：硕士 ；授予学位日期 2004年03月20日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：AlN和SiGeC的应变和深能级研究【卢佃清】 学位类别：博士 ；授予学位日期 2004年04月08日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：GaN材料HVPE生长研究【刘杰】 学位类别：硕士 ；授予学位日期 2003年05月20日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN异质结构材料物性研究【席冬娟】 学位类别：硕士 ；授予学位日期 2002年11月20日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：硅基Ⅲ族氮化物宽带隙半导体界面性质研究【陈平】 学位类别：硕士 ；授予学位日期 2002年06月04日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：Si、SiC异质外延生长研究【郑泽伟】 学位类别：博士 ；授予学位日期 2002年05月28日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：Ⅲ族氮化物AlGaN/GaN异质结构输运性质研究【徐剑】 学位类别：硕士 ；授予学位日期 2002年05月20日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：氮化镓的激光分离技术及稀释磁性半导体的研究【谢世勇】 学位类别：硕士 ；授予学位日期 2001年06月01日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：注Mg:GaN的光学性质与GaN高温输运特性的智能化测试【赵作明】 学位类别：硕士 ；授予学位日期 2001年05月20日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：Si基GaN材料及其光电探测器的研究【陈克林】 学位类别：硕士 ；授予学位日期 2001年05月19日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：GaN湿法腐蚀及HVPE生长系统研究【袁晓利】 学位类别：博士 ；授予学位日期 2001年05月10日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：硅纳米晶粒浮置栅MOS存储器特性的研究【陈鹏】 学位类别：博士 ；授予学位日期 2000年11月01日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：Si基Ⅲ-族氮化物生长和Ⅲ-族氮化物MIS结构研究【罗志云】 学位类别：硕士 ；授予学位日期 2000年06月01日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：Si基Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,Y>体系近红外探测器的研究【程雪梅】 学位类别：硕士 ；授予学位日期 2000年06月01日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：硅基富Ge-SiGeC合金薄膜热氧化发光和退火性质研究【陈志忠】 学位类别：博士 ；授予学位日期 2000年05月01日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：GaN薄膜材料光学、电学性质及微结构研究【臧岚】 学位类别：硕士 ；授予学位日期 1999年06月01日； 授予学位单位：南京大学；学位论文：GeSi合金体系及GaN材料与器件研究

半导体射线探测器最初约年研究核射线在晶体上作用, 表明射线的存在引起导电现象。但是, 由于测得的幅度小、存在极化现象以及缺乏合适的材料, 很长时间以来阻碍用晶体作为粒子探测器。就在这个时期, 气体探测器象电离室、正比计数器、盖革计数器广泛地发展起来。年, 范· 希尔顿首先较实际地讨论了“ 传导计数器” 。在晶体上沉积两个电极, 构成一种固体电离室。为分离人射粒子产生的载流子, 须外加电压。许多人试验了各种各样的晶体。范· 希尔顿和霍夫施塔特研究了这类探测器的主要性质, 产生一对电子一空穴对需要的平均能量, 对射线作用的响应以及电荷收集时间。并看出这类探测器有一系列优点由于有高的阻止能力, 人射粒子的射程小硅能吸收质子, 而质子在空气中射程为, 产生一对载流子需要的能量比气体小十倍, 在产生载流子的数目上有小的统计涨落, 又比气体计数器响应快。但是, 尽管霍夫施塔特作了许多实验,使用这种探侧器仍受一些限制, 像内极化效应能减小外加电场和捕捉载流子, 造成电荷收集上的偏差。为了避免捕捉载流子, 需外加一个足够强的电场。结果, 在扩散一结, 或金属半导体接触处形成一空间电荷区。该区称为耗尽层。它具有不捕捉载流子的性质。因而, 核射线人射到该区后, 产生电子一空穴载流子对, 能自由地、迅速向电极移动, 最终被收集。测得的脉冲高度正比于射线在耗尽层里的能量损失。要制成具有这种耗尽层器件是在年以后, 这与制成很纯、长寿命的半导体材料有关。麦克· 凯在贝尔电话实验室, 拉克· 霍罗威茨在普杜厄大学首先发展了这类探测器。年, 麦克· 凯用反偏锗二极管探测“ 。的粒子, 并研究所产生的脉冲高度随所加偏压而变。不久以后, 拉克· 霍罗威茨及其同事者测量一尸结二极管对。的粒子, “ , 的刀粒子的反应。麦克· 凯进行了类似的实验, 得到计数率达, 以及产生一对空穴一电子对需要的能量为土。。麦克· 凯还观察到,加于硅、锗一结二极管的偏压接近击穿电压时, 用一粒子轰击, 有载流子倍增现象。在普杜厄大学, 西蒙注意到用粒子轰击金一锗二极管时产生的脉冲。在此基础上, 迈耶证实脉冲幅度正比于人射粒子的能量, 用有效面积为二“ 的探测器, 测。的粒子, 得到的分辨率为。艾拉佩蒂安茨研究了一结二极管的性质, 载维斯首先制备了金一硅面垒型探测器。年以后, 许多人做了大量工作, 发表了广泛的著作。沃尔特等人讨论金一锗面垒型探测器的制备和性质, 制成有效面积为“ 的探测器, 并用探测器, 工作在,测洲的粒子, 分辨率为。迈耶完成一系列锗、硅面垒型探测器的实验用粒子轰击。年, 联合国和欧洲的一些实验室,制备和研究这类探测器。在华盛顿、加丁林堡、阿什维尔会议上发表一些成果。如一结和面垒探测器的电学性质, 表面状态的影响, 减少漏电流, 脉冲上升时间以及核物理应用等等。这种探测器的发展还与相连的电子器件有很大关系。因为, 要避免探测器的输出脉冲高度随所加偏压而变, 需一种带电容反馈的电荷灵敏放大器。加之, 探测器输出信号幅度很小, 必需使用低噪声前置放大器, 以提高信噪比。为一一满足上述两个条件, 一般用电子管或晶体管握尔曼放大器, 线幅贡献为。在使用场效应晶体管后, 进一步改善了分辨率。为了扩大这种探测器的应用, 需增大有效体积如吸收电子需厚硅。采用一般工艺限制有效厚度, 用高阻硅、高反偏压获得有效厚度约, 远远满足不了要求。因此, 年, 佩尔提出一种新方法, 大大推动这种探测器的发展。即在型半导体里用施主杂质补偿受主杂质, 能获得一种电阻率很高的材料虽然不是本征半导体。因为铿容易电离, 铿离子又有高的迁移率, 就选铿作为施主杂质。制备的工艺过程大致如下先把铿扩散到型硅表面, 构成一结构, 加上反向偏压, 并升温, 锉离一子向区漂移, 形成一一结构, 有效厚度可达。这种探测器很适于作转换电子分光器, 和多道幅度分析器组合, 可研究短寿命发射, 但对卜射线的效率低, 因硅的原子序数低。为克服这一点, 采用锉漂移入锗的方法锗的原子序数为。年, 弗莱克首先用型锗口,按照佩尔方法, 制成半导体探测器,铿漂移长度为, 测‘“ 、的的射线, 得到半峰值宽度为直到年以前, 所有的探测器都是平面型, 有效体积受铿通过晶体截面积到“和补偿厚度的限制获得补偿厚度约, 漂移时间要个月, 因此, 有效体积大于到” 是困难的。为克服这种缺点, 进一步发展了同轴型探测器。年, 制成高分辨率大体积同轴探测器。之后, 随着电子工业的发展而迅速发展。有效体积一般可达几十“ , 最大可达一百多“ , 很适于一、一射线的探测。年以后广泛地用于各个部门。最近几年, 半导体探测器在理论研究和实际应用上都有很大发展。