没人回答，怎么办？
晶体分为以下几种:1.离子晶体:阴阳离子之间依靠离子键形成的晶体.2.原子晶体:原子之间依靠共价键形成的晶体.3.分子晶体:分子间依靠分子间作用力形成的晶体.4.金属晶体:金属间依靠金属键形成的晶体.5.混合型晶体:晶体内部结构包含有两种或两种以上键型的晶体.
分为：离子晶体，原子晶体，分子晶体，金属晶体。 离子晶体：一般由活泼金属和活泼非金属元素组成， 大多的盐（除ALCL3外，它是分子晶体）， 强碱， （碱）金属氧化物。 特例：NH4CL（氯化铵）是有非金属组成的离子晶体，你看是铵根，有金字旁，所以把铵根看做是金属根（也许这样说不是很准确，大概就是这个意思） 原子晶体：高中阶段记住有单质硅，碳化硅，金刚石，石英。最好要晓得B硼，会在元素的对角线法则里出题，你知道一下就行了。 分子晶体：由共价键组成，非金属或不活泼（非）金属形成（HCL，ALCL3）。主要包括 气态氢化物 ，含氧酸 ，非金属氧化物。 有三种键：非极性共价键（同种原子），极性共价键（不同种原子），配位键（提供电子对，要知道NH4-） 金属晶体 ：金属单质。由金属阳离子与自由移动的电子组成。 晶体有三个特征：(1)晶体有一定的几何外形；(2)晶体有固定的熔点；(3)晶体有各向异性的特点。 固态物质有晶体与非晶态物质(无定形固体)之分，而无定形固体不具有上述特点。 组成晶体的结构粒子(分子、原子、离子)在空间有规则地排列在一定的点上，这些点群有一定的几何形状，叫做晶格。排有结构粒子的那些点叫做晶格的结点。金刚石、石墨、食盐的晶体模型，实际上是它们的晶格模型。 晶体按其结构粒子和作用力的不同可分为四类：离子晶体、原子晶体、分子晶体和金属晶体。 具有整齐规则的几何外形、固定熔点和各向异性的固态物质，是物质存在的一种基本形式。固态物质是否为晶体，一般可由X射线衍射法予以鉴定。 晶体内部结构中的质点(原子、离子、分子)有规则地在三维空间呈周期性重复排列，组成一定形式的晶格，外形上表现为一定形状的几何多面体。组成某种几何多面体的平面称为晶面，由于生长的条件不同，晶体在外形上可能有些歪斜，但同种晶体晶面间夹角(晶面角)是一定的，称为晶面角不变原理。 晶体按其内部结构可分为七大晶系和14种晶格类型。晶体都有一定的对称性，有32种对称元素系，对应的对称动作群称做晶体系点群。按照内部质点间作用力性质不同，晶体可分为离子晶体、原子晶体、分子晶体、金属晶体等四大典型晶体，如食盐、金刚石、干冰和各种金属等。同一晶体也有单晶和多晶(或粉晶)的区别。在实际中还存在混合型晶体 关于范德华力，首先，它不是一种化学键。它结合的是分子，（化学键列如共价键是结合原子）。分子的熔沸点与范德华力有关。分子半径越大（分子量越大），范德华力越强，分子融沸点越高。范德华力改变三态，不改变分子原有性质。 有阴离子就有阳离子，有阳离子不一定有阴离子（金属晶体）。 除了分子晶体有分子式，别的都没有，像NACL是NA离子与CL离子之间个数的比值为一比一。 一般就这些了，其实要延伸的话还要到氢键，分子的极性问题需要的话就作为问题补充上来，希望能帮到你
关于晶体管的原理文献有哪些相关资料如下本文是为大家整理的有机场效应晶体管主题相关的10篇毕业论文文献，包括5篇期刊论文和5篇学位论文，为有机场效应晶体管选题相关人员撰写毕业论文提供参考。1.[期刊论文]基于不同浓度PVA为绝缘层有机层为PCBM的有机场效应晶体管的分析期刊：《内蒙古科技与经济》 | 2018 年第 014 期摘要：阐述了制备器件结构从下到上依次为氧化铟锡玻璃基底、PV A为绝缘层、PCBM为有机层、铝为源漏电极的有机场效应晶体管(OFET).研究不同浓度的溶液PVA绝缘层对OFET的影响.实验证明40mg/ml的PVA溶液制备绝缘层时对OFET性能有所改善.关键词：有机层；绝缘层；有机场效应晶体管链接：.[期刊论文]交联PMMA修饰的PVA绝缘层对P3 HT有机场效应晶体管性能的影响期刊：《发光学报》 | 2018 年第 011 期摘要：利用1,6-二(三氯甲硅烷基)己烷(C6-Si)交联的聚甲基丙烯酸甲酯(C-PMMA)修饰聚乙烯醇(PVA)绝缘层(C-PMMA/PVA),并研究了修饰前后绝缘层的表面性质和电学性能.结果表明:经C-PMMA修饰后,虽然绝缘层表面粗糙度从 nm增加到 nm,电容由 nF/cm2减小到 nF/cm2,但绝缘层的水接触角显著变大,从36°增加到68°,表明修饰后表面极性显著下降;此外,C-PMMA修饰的绝缘层的漏电流密度降低了约2个数量级.用纯PVA和C-PMMA修饰的PVA两种绝缘层制备了具有底栅顶接触结构的3-己基噻吩(P3HT)有机薄膜场效应晶体管,C-PMMA修饰PVA后器件性能显著提高,开关比提高了约20倍,迁移率增大了约4倍,分别达到～102 cm2·V-1·s-1和×10-2 cm2·V-1·s-1,而且回滞现象明显降低.关键词：界面修饰；交联；有机薄膜场效应晶体管；回滞链接：
晶体缺陷是指晶体中原子排列的不规则性和局部区域的缺陷所造成的物理化学性质的改变，因此防止晶体缺陷对于晶体材料的稳定性和性能的保证具有至关重要的作用。以下是几种常见的防止晶体缺陷的方法：1. 控制晶体生长条件：晶体缺陷的产生与晶体的生长条件密切相关，例如温度、压力、溶液浓度等。因此，通过合理的调节晶体的生长条件可以有效地降低晶体缺陷的发生率。2. 优化晶体结构设计：在设计晶体的结构时，可以通过优化晶体的化学成分、晶体的晶胞参数、晶体的缺陷浓度等方面来控制晶体缺陷的生成。3. 精细制备和处理：精细制备和处理过程中采用高纯度原料、严格控制制备和处理条件，避免非晶质杂质存在和晶体的机械损伤等，可有效减少晶体缺陷的产生。4. 晶体缺陷修复技术：在晶体材料制备和使用过程中，如果出现晶体缺陷，可以采用一些修复技术如加热、离子注入等来恢复材料的性能。总之，针对不同类型的晶体缺陷，我们需要采取不同的方法来防止缺陷的产生，并保证晶体材料的稳定性和性能。
晶体缺陷（crystal defects）是指晶体内部结构完整性受到破坏的所在位置。按其延展程度可分成点缺陷、线缺陷和面缺陷。
在理想完整的晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。
晶体缺陷是晶体中的不规则位置，如杂质、空位和间隙。这些缺陷可能会严重影响晶体的性能，因此防止晶体缺陷是非常关键的。以下是一些防止晶体缺陷的方法：1. 清洁原料：杂质是晶体缺陷形成的主要原因之一。因此，在晶体生长过程中使用高纯度的原料以减少杂质的含量是非常重要的。2. 控制生长条件：晶体生长的条件包括温度、压力、物质浓度、pH值等。通过控制这些条件，可以减少晶体缺陷的发生。此外，选择合适的晶体生长方法也可以提高晶体的质量。3. 加入掺杂物：有些元素或化合物可以加入到晶体中，改变其结构和性质，从而减少晶体缺陷的形成。例如，硼可以用来减少晶体的空位。4. 合理的处理：在晶体生长和加工过程中，需要注意合理的处理方式，如控制温度和压力，并使用适当的工艺流程，避免由于处理不当而导致的晶体缺陷。5. 特定技术：在一些特殊情况下，可以采用一些特定的技术来防止晶体缺陷，如控制晶体生长的速度和方向、使用有序的层状结构等。总之，防止晶体缺陷需要综合考虑多种因素。通过合理的选材、严格的生长条件控制和加工工艺保证，以及特定的技术手段应用，可以大幅度减少晶体缺陷的发生，提高晶体的质量和性能。
晶体缺陷:类型有点、线、面。通常工业上应用的多晶体材料通过增加缺陷数目都可以提高材料的机械性能。比如加入合金元素形成固溶体可以产生固溶强化，提高强度，这主要是增加了点缺陷造成的；金属经过冷加工变形也可以提高强度，这是通过增加线缺陷--位错数目来实现的；金属通过细化晶粒提高强度的原因：增加了面缺陷：晶界的数目。
你说的是人工晶体学报吧，如果是人工晶体学报的话，它的信息如下：刊名： 人工晶体学报 Journal of Synthetic Crystals主办： 中材人工晶体研究院周期： 双月出版地：北京市语种： 中文;开本： 16开ISSN： 1000-985X现用刊名：人工晶体学报曾用刊名：人工晶体创刊时间：1972该刊被以下数据库收录：CA 化学文摘(美)(2011)SA 科学文摘(英)(2011)CBST 科学技术文献速报(日)(2009)EI 工程索引(美)(2011)中国科学引文数据库(CSCD—2008)中文核心期刊(2008)中文核心期刊(2004)中文核心期刊(2000)中文核心期刊(1996)影响因子：不是SCI是EI。
《人工晶体学报》现为中文核心期刊、EI核心期刊，2011年中国期刊引证报告（核心版）发布的影响因子为，清华知网发布的影响因子为.
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毕业论文题目的选定不是一下子就能够确定的，那通信类的毕业论文的题目要怎么选择呢?下文是我为大家整理的关于通信工程毕业论文选题的内容，欢迎大家阅读参考!
通信工程毕业论文选题
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可选单片机相关的
自然界中形成的晶体叫天然晶体，如钻石、红宝石、蓝宝石及各种矿石，而人们利用不同方法生长出来的晶体则叫人工晶体。目前，人们不仅能生长出许多自然界中存在的晶体，还能生长许多自然界中没有的晶体，如激光晶体、电光晶体、非线性晶体、声光晶体、热释电晶体等，它们在不同的技术领域中起着重要的作用。晶体不但美丽、奇妙而且十分有用。它既具有特殊的结构，又有着优异的性能。但是，迄今为止，人们对它的认识还只是冰山之一角，还有许多未知领域等待着我们去探索。那么，你有兴趣来揭开这个未知世界的帷幕吗?山东大学晶体材料研究院(晶体材料国家重点实验室)拟定于2022年7月在泉城济南举办为期两天的2022年“未来晶体之星”暑期夏令营(具体时间及活动日程安排另行通知)，欢迎同学们通过网络来参观学习。本次活动旨在为同学们提供与专家、学者进行交流的机会，加深对晶体材料的认识与了解。山东大学晶体材料研究院...在山大考察时，对晶体材料国家重点实验室称赞道：你们这个实验室，不仅是山大的宝贝，也是国家的宝贝 。硕士和博士研究生是山东大学晶体材料国家重点实验室的重要科研力量，他们在导师的指导下，参与了大部分国家级项目，军工项目和高技术开发项目，不仅为完成项目做出了重要贡献，而且在项目研究中开阔了眼界，得到了锻炼，成长了自己，成为他们科学人生的重要组成部分。许多优秀研究生以此为基础，已成为国内外知名技术专家和成绩卓著的科学家。本次活动涵盖我院研究生招生专业目录中所有硕士生专业，包括：凝聚态物理、无机化学、材料物理与化学、材料学、材料与化工。夏令营面向全国高校招收营员100人。采用远程线上形式进行。一、申请条件1、申请者为2023年毕业的全日制在校本科生，所学专业为物理、化学、材料、光学及相关学科;2、成绩优秀，预计能取得推免资格，或有意报考山东大学晶体材料研究院(晶体材料国家重点实验室);3、英语水平良好，通过国家四级或六级考试;4、对晶体研究有浓厚的兴趣，具有较强的科研潜能。二、申请材料1、本科阶段成绩单和前两年半总评成绩排名证明(由学校教务部门或所在学院盖章)。2、国家英语四、六级考试成绩等体现自身英语水平的证明。3、其他支持材料：获奖证书等其他证明材料、已发表的代表性学术论文等。注意：以上材料需扫描并打包压缩后通过电子邮箱发送。请申请人务必保证提交材料的真实性，如有不实一经发现直接取消参营资格。三、申请方式1、通过山东大学研究生招生信息网夏令营报名系统()进行报名(系统将于6月13日开放)，登录后按照要求填写相关信息，所有申请材料的扫描件打包压缩后以姓名+学校命名发送至邮箱：见官网，不需要寄送纸质材料。2、申请人请同时加入QQ群：见官网(入群需备注姓名+学校)。后续相关通知将在群内公布。3、报名截止时间：06月25日。四、审核及录取报名结束后，我院将对申请人材料进行审核筛选，接收的夏令营营员名单将于7月5日前在申请系统里发送通知，申请人可在个人界面看到申请是否通过，审核通过的学生请于7月8日前在系统回复确认，逾期未回复确认者视为放弃参营资格。未入选者，不再另行通知。五、奖励根据参加者的综合表现，本次夏令营将评选出一定比例的优秀营员，颁发优秀营员证书。取得所在学校“推免资格”的优秀营员，学院将根据2023年推免计划，按照优秀营员成绩排序依次免予复试录取。六、联系方式咨询电话：见官网，联系人：李老师系统支持电话：见官网未尽事宜请关注晶体材料研究院网站：热烈欢迎各位同学报名参营!山东大学晶体材料研究院(晶体材料国家重点实验
国家重点实验室建立以来,先后有LAP、KTP、双掺杂TGS、KNSBN、KTN、NdPP、NYAB、LT、DKDP、KDP、MHBA、BN等晶体材料的创新性研究工作受到了国际同行的广泛关注,获得了包括国家发明奖一等奖1项、 国家发明奖三等奖3项、国家发明奖四等奖2项、国家科技进步奖二等奖1项、国家科技进步奖三等奖1项在内的多项奖励 。 序号获奖名称主要研究人员获奖时间所获奖励1 人工合成优质高频石英晶体 韩建儒 陈焕矗 国家教育部科技进步奖二等奖 2 1999-2000学年度省级三好学生 史伟 山东省教育厅 3 实时测定晶体生长固液/液界面和边界层结构的方法和结晶器 于锡玲 世界发明家国际协会国际发明金奖 4 功能晶体中缺陷的同步辐射白光形貌术和光学显微术研究 胡小波 王继扬 魏景谦 刘耀岗 刘宏 省教育厅理论成果二等奖 5 晶体热效应对高功率端面泵浦Nd:YVO4. Nd:GdVO4激光器的影响研究 刘均海 邵宗书 王长青 祝莉 王继扬 省教育厅理论成果一等奖 6 (八六三计划)先进个人 高樟寿 国家科学技术部中国人民解放军总装备部 7 全国优秀博士学位论文 史伟 2002 中华人民共和国教育部 国务院学位委员会 8 一种规模化生长激光核聚变用大KDP晶体的新方法-四槽循环动法 高樟寿 鲁智宽 李毅平 王圣来 刘加民 教育部科技成果完成者证书 教育部 9 钒酸酸钇（掺钕）单晶生长技术 孟宪林 祝俐 张怀金 董春明 徐炳超 魏景谦王长青 程瑞平 刘训民 省科技进步奖二等奖 10 高抗光损伤磷酸钛氧钾晶体和大功率绿光激光器 邵宗书 王继扬 刘均海 刘耀岗 魏景谦 刘恩泉 省技术发明奖二等奖 11 山东省科学技术最高奖 蒋民华 省长、韩寓群最高 12 电荷转移的对称性与分子的双光子吸收/辐射（荧光、激射）性能关系的研究 王筱梅导师：蒋民华 全国优秀博士学位论文 13 半导体发光材料外延工艺与器件制造技术 山东华光光电子有限公司：黄柏标 徐现刚张晓阳 秦晓燕 省科技进步奖一等奖 14 硅酸镓镧功能晶体及其电光Q开关器件 孔海宽导师：王继扬 第八届“挑战杯” 全国大学生课外学术科技作品竞赛 二等奖 15 用纳米四氧化三钴制备锂电子电池正极材料钴酸锂 孙 洵（第五位） 省科学技术进步奖一等奖 16 KDP（DKDP）晶体中散射颗粒的研究 孙询 许心光 房昌水 高樟寿 省教育厅自然科学类三等奖 17 具有上转换发光性质的新型有机光功能化合物 方奇 刘志强 崔月芝 蒋民华 省教育厅自然科学类一等奖 18 双金属硫氰酸盐配合物晶体的生长和性质研究 王新强 山东省优秀博士学位论文 19 有机非线性光学材料和有机导体的分子工程及晶体工程 方奇 蒋民华 刘志强 任燕 省科学技术奖：自然科学类一等奖 20 国家重点实验室计划先进 国家重点实验室 中华人民共和国科学技术部 21 国家重点实验室计划先进个人 蒋民华 中华人民共和国科学技术部 22 中国硅酸盐学会第六届青年科技奖 孙询 中国硅酸盐学会 23 双金属硫氰酸盐配合物晶体的生长和性质研究 王新强 教育部、国务院学位委员会、全国优秀博士学位论文 24 有机硼（Ⅲ）化合物的合成与三阶非线性光学性质 刘志强 山东省学位委员会、2004年山东省优秀博士学位论文 25 电光聚合物光波导薄膜的制备及其物性研究 秦志辉 山东省学位委员会 2005年山东省优秀硕士学位论文 26 新型纳米发光材料的制备、表征及发光机理的研究 吕孟凯 省科学技术奖：自然科学奖三等奖 27 三硼酸铋晶体的生长和非线性光学性能研究 王继扬 省科学技术奖：自然科学奖三等奖 28 含有硼氮硫杂原子的新型分子基光电功能材料 刘志强等 山东高等学校优秀科研成果奖二等奖 29 硅酸镓镧系列单晶的生长和性能研究 袁多荣 山东省高等学校优秀科研成果奖二等奖 30 山东省优秀研究生指导教师 房昌水 山东省学位委员会、山东省教育厅、山东省财政厅 31 Yb及其它稀土元素掺杂四硼酸铝晶体的生长及性质研究 李静 山东省优秀学位论文、山东省学位委员会、山东省教育厅 32 山东省优秀研究生指导教师 蒋民华 山东省学位委员会、山东省教育厅、山东省财政厅 33 星型有机氮、硼光电子材料的研制 袁茂森 山东省首届研究生优秀科技创新成果奖二等奖 34 求是杰出科技成就集体奖 蒋民华 香港求是科技基金会 35 半导体纳米材料的制备及发光性质的研究 顾锋导师：吕孟凯 山东省学位委员会、山东省教育厅2006年山东省优秀博士学位论文 36 新型纳米发光材料的控制合成及其光学性质的研究 周广军 山东高等学校优秀科研成果奖三等奖 37 光学级硅酸钾澜晶体生长及其新型电光Q开关 王继扬 建筑材料科学技术奖一等奖 38 新型半导体纳米材料控制合成及光电性能 吕孟凯 上海市科学技术奖二等奖 39 两类硼酸盐激光自倍频晶体生长及激光应用基础研究 王继扬 自然科学奖 教育部一等奖 40 系列钒酸盐晶体生长和激光应用基础研究 张怀金 教育部自然科学奖一等奖 41 新型系列钒酸盐晶体生长及其脉冲能量增强效应研究 于浩海 山东省优秀学位论文 42 KBBF族深紫外非线性光学晶体的发现、生长和应用 王继扬 北京市科学技术奖（第4位）一等奖 43 移动通讯用滤波器关键技术及产业化 王继扬 国家科学技术进步二等奖 44 高品质铌酸锂系列晶体生长、后处理技术研究与开发 刘宏 建筑材料科学技术奖一等奖 45 第三代（宽禁带）半导体军用电子材料和器件基础研究 胡小波 国防科学技术进步奖一等奖 46 基于化学工程原理与方法的纳米材料合成与结构调控 吕孟凯、周广军 教育部自然科学奖（2）一等奖 47 硼酸盐激光自倍频晶体制备技术及其小功率绿光激光器件商品化应用 王继杨、张怀金等 国家技术发明奖二等奖 资料来自晶体材料国家重点实验室