《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。《半导体学报》1980年创刊。现为月刊，每期190页左右，国内外公开发行。每期均有英文目次，每篇中文论文均有英文摘要。《半导体学报》主编为王守武院士。国内定价为35元。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。国内读者可直接到全国各地邮局订阅。
半导体学报事实上应该是sci。
《电子学报》为中国电子学会主办的高级学术刊物, 刊登电子与信息科学及相邻领域的原始性（original）科研成果。为中国自然科学核 心期刊之一；科技部科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库来源期刊。《Chinese Journal of Electronics》（以下简称《CJE》）系中国电子学会主办的英文学术期刊。《CJE》创刊于1992年（季刊），由《CJE》编辑部向中国大陆发行、香港科讯交流公司向海外发行。 《CJE》已被国际著名的检索系统CA、EI、SCI-Expanded、SA等收录。《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。《电子测量与仪器学报》被国家科委中国科学技术信息研究所《中国科技论文统计与分析》列为中国科技核心期刊；被中科院文献情报中心《中国科学引文数据库》列为技术类核心期刊；被《中国核心期刊（遴选）数据库》收录；被众多国内知名理工科大学、研究生院的学位评定委员会推荐为重点学术期刊；同时也是国家教委指定的286种核心期刊之一。《微波学报》创刊于1980年，由中国电子学会主办，南京电子技术研究所（信息产业部电子第14研究所）承办，是目前国内唯一微波学术性专业刊物。《电波科学学报》是中国科协主管、中国电子学会主办、中国电波传播研究所承办的国内外公开发行的刊物。也是我国电波科学领域唯一的专业性学术刊物。《信号处理》期刊是由中国科学技术协会主管，中国电子学会主办，信号处理专业委员会承办的学术性刊物，于1985年创刊。《数据采集与处理》是中国科协主管，由中国电子学会、微弱信号检测学会和南京航空航天大学联合主办，并向国内外公开发行的技术刊物。《电子元件与材料》创办于1982年3月，是中国电子学会、中国电子元件行业协会、宏明电子股份有限公司主办，电子科技大学微电子学和固体电子学院，中国电子学会元件分会和信产部电子陶瓷专业情报网协办的学术技术性科技刊物。《软件》杂志由中国科协主管，中国电子学会、天津电子学会主办期刊，《软件》杂志被《中国学术期刊综合评价数据库来源期刊》、《中国核心期刊（遴选）数据库收录期刊》、《万方数据—数字化期刊群全文收录期刊》、《中文科技期刊数据库（全文版）收录期刊》、美国《剑桥科学文摘》、波兰《哥白尼索引》收录期刊、美国《乌利希国际期刊指南》等国内外数据库收录。
《物理学报》是由中国物理学会主办的，创刊于1933年，原名“ChineseJournal of Physics”，创刊初期用英、
确实是的，这个学报的文章已经纳入了sci的文章范畴里面的。半导体学报这个应该是按字按这个应该能更好地将学习，如果不随机的话，他们这个应该是就很难，有一些技术应该是不不能刚刚好的技能先搬下来的东西，所以应该是学习的。
医学期刊常规来说只分为 SCI 核心期刊 和普通期刊但是有一些省份会自己把期刊划分为一类二类三类，比如浙江省一类期刊是国家级的核心期刊，二类的是除国家级核心期刊之外的其它核心期刊，三类的就是普通期刊。还有河南、陕西、四川 等地也把期刊分为A类B类或者一类二类也有的是一类为中文核心或者中华牌，二类为科技核心
分两种：
网上投稿就是期刊有网上投稿系统，将论文在网上提交。
纸质投稿一般需要将稿件打印几份，邮寄给期刊编辑部，有的期刊还要求需要论文的软盘或光盘；EMAIL投稿就是将论文以附件形式发给编辑；
很简单，首先确定你写的是什么类型的文章：
电子电工能从事各类电子设备维护、制造和应用，电力生产和电气制造、维修的复合型技术人才的学科。下面是我为大家整理的电子电工技术论文例文，希望你们喜欢。
浅谈电子设备的维护
摘要: 本文作者介绍了电子仪器设备的日常维护方法和要求，以及在使用中的注意事项、安全用电等问题。
关键词：电子设备;维护
中图分类号: V443文献标识码：A 文章编号：
电子设备在长期的使用过程中，需要维护。认真做好电子仪器的维护，对延长设备寿命、减小设备故障，确保安全运行以及保证仪器设备精度等方面具有十分重要的作用。仪器保管的环境条件一般为:环境温度: 0～40 ℃;相对湿度: 50%～80%(温度 20 ℃±5 ℃);室内清洁无尘，无腐蚀性气体。电子设备的维护措施大致可归纳为下列几项。
1 防热与排热
因为绝缘材料的介电性能、抗电强度会随温度的升高而下降，而电路元器件的参数也会受温度的影响(例如，碳质电阻和电解电容器等往往由于过热而变质、损坏)，特别是半导体器件的特性，受温度的影响比较明显。例如，晶体管的电流放大系数和集电极穿透电流，都会随着温度的上升而增大。这些情况将导致电子仪器工作的不稳定，甚至发生各种故障。因此，对于电子仪器的“温升”都有一定的限制，通常规定不得超过 40 ℃;而仪器的最高工作温度不应超过 65 ℃，即以不烫手为限。通常室内温度以保持在 20～25 ℃最为合适。电子仪器设备说明书中会对使用环境温度作出规定。如果室温超过 35 ℃，应采取通风排热等人工降温措施，也可以缩短仪器连续工作的时间，必要时，应取下机壳盖板，以利散热。但应特别指出: 要禁止在存放电子仪器的室内，用洒水或放置冰块来降温，以免水气侵蚀仪器而受潮。对于内部装有小型排气风扇的仪器设备，应注意其运转情况，必要时应予以定期维护、加油、擦洗等。要防止电子仪器设备受阳光暴晒，以免影响仪器设备寿命。
许多电子仪器，特别是消耗电功率较大的仪器设备，大多在内部装置有小型的排气电风扇，以辅助通风冷却。对于这类仪器，应定期检查电风扇的运转情况。如果运转缓慢或干涩停转，将会导致仪器温升过高而损坏。此外，还要防止电子仪器长时间受阳光暴晒，以免使仪器机壳的漆层受热变黄、开裂甚至翘起，特别是仪器的度盘或指示电表，往往因久晒受热，而导致刻度漆面开裂或翘起，造成显示不准确甚至无法使用。所以，放置或使用电子仪器的场所如有东、西向的窗户，应装置窗帘，特别是在炎热的季节，应注意挂窗帘。
2 防振与防松
小型电子仪器设备的机壳底板上，一般装有防振用弹性垫脚，如果发现这些垫脚变形或脱落，应及时更新。对于大型电子设备，在安装时应采取防振措施。因长期使用运行或环境条件变化引起振动时，应及时报告有关部门，并会同有关部门采取防振措施，予以消除。在搬运或移动仪器时应轻拿轻放，严禁剧烈振动或者碰撞，以免损坏仪器的插件和表头等元件。
对于仪器设备内部接插式器件和印制电路板，通常都装有弹簧压片、电子管屏蔽罩、弹簧垫圈等紧固用的零件，在检修仪器设备时切不可漏装。在搬运笨重电子仪器设备之前，应检查把手是否牢靠，对于塑料或人造革的把手，应防止手柄断裂而摔坏仪器设备，最好用手托住底部搬运。
3 防腐蚀
电子仪器应避免靠近酸性或碱性气体(诸如蓄电池、石灰桶等)。仪器内部如装有电池，应定期检查以免发生漏液或腐烂。如果长期不用，应取出电池另行存放。对于附有标准电池的电子仪器(如数字式直流电压表、补偿式电压表等) ，在搬运时应防止倒置，装箱搬运时，应取出电池另行运送，以免标准电池失效。电子仪器如果需要较长时间的包装存放，应使用凡士林或黄油涂擦仪器面板的镀层部件(如钮子开关、面板螺钉、把手、插口、接线柱等) 和金属的附配件等，并用油纸或蜡纸包封，以免受到腐蚀，使用时，可用干布把涂料抹擦干净。在沿海地区，要经常注意盐雾气体对仪器设备的侵蚀。
4 防尘与防灰
要保证电子仪器处于良好的备用状态，首先应保证其外表的整洁。因此，防尘与防灰是一项最基本的维护措施。
由于灰尘有吸湿性，故当电子仪器设备内部有尘埃时，会使设备的绝缘性能变坏，活动部件和接插部件磨损增加，导致电击穿等，以致仪器设备不能正常工作。大部分的电子仪器都备有专用的防尘罩，仪器使用完毕后应注意加罩，无罩设备应自制防尘罩。防尘罩最好采用质地细密的编织物，它既可防尘又有一定的透气性。塑料罩具有良好的防尘作用，在使用塑料罩的情况下，最好要等待温度下降后再加罩，以免水汽不易散发出去，从而使仪器设备内部金属元件锈蚀，绝缘程度降低。若没有专门的仪器罩，应设法盖好，或将仪器放进柜厨内。玻璃纤维的罩布，对使用者健康有危害，玻璃纤维进入仪器内也不易清除，甚至会引起元器件的接触不良和干涩等问题，因此严禁使用。
5 防潮与驱潮
湿度如同温度一样，对元器件的性能将产生影响，湿度越大对绝缘性能和介电参数影响越大。防潮措施可采取密封、涂覆或浸渍防潮涂料、灌封等，使零部件与潮湿环境隔离，起到防潮作用。电子设备内部的电源变压器和其他线绕元件(如线绕电阻器、电位器、电感线圈、表头动圈等) 的绝缘强度，经常会由于受潮而下降，从而发生漏电、击穿、霉烂、断线等问题，使电子设备出现故障。因此，对于电子仪器，必须采取有效地防潮与驱潮措施。首先，电子设备的存放地点，最好选择比较干燥的房间，室内门窗应利于阳光照射、通风良好。在仪器内部，或者存放仪器的柜厨里，应放置“硅胶袋”以吸收空气中的水分。应定期检查硅胶是否干燥(正常应呈白色半透明颗粒状) ，如果发现硅胶结块变黄，表明它的吸水功能已经下降，应调换新的硅胶袋，或者把结块的硅胶加热烘干，使它恢复颗粒状继续使用。在新购仪器的木箱内，经常附有存放硅胶的塑料袋应扯开取出改装布袋后使用。
6 防漏电
由于电子仪器大都使用市交流电来供电，因此，防止漏电是一项关系到使用安全的重要维护措施，特别是对于采用双芯电源插头，而仪器的机壳又没有接地的情况。如果仪器内部电源变压器的一次绕组对机壳之间严重漏电，则仪器机壳与地面之间就可能有相当大的交流电压(100 ～ 200 V)，这样，人手碰触仪器外壳时，就会感到麻电，甚至发生触电事故。所以，对于各种电子仪器必须定期检查其漏电程度，即在仪器不插市交流电源的情况下，把仪器的电源开关扳置于“通”的部位，然后用绝缘电阻表(习惯上称兆欧表) 检查仪器电源插头对机壳之间的绝缘是否符合要求。
7 定性测试
电子仪器使用之前，应进行定性测试，即粗略地检查仪器设备的工作情况是否正常，以便及时发现问题进行检查或校正。定性测试的项目不要过多，测试方法也应简便可靠，只要能确定仪器设备的主要功能以及各种开关、旋钮、度盘、表头、示波器等表面元器件的作用情况是否正常即可。例如，对于电子电压表的定性测试，要求各电压档级的“零位”调节正常和电压“校正”准确即可;如果无“校正”电压装置，可将量程开关扳置在“3 V”档级，并用手指碰触电子电压表的输入端，如果表头有指示，即表明仪器仪表电压功能正常;又如，对电子示波器的定性测试，要求示波管的“辉度”、“聚焦”、“位移”等调节正常，以及利用本机的“试验电压”或“比较信号”能观测相应的波形即可;再如，对信号发生器，要求各波段均有输出指示即可。
8 结束语
综上所述，在电子设备实际使用过程中，应根据设备的具体情况，正确、合理地选择相关的维护措施，使电子设备能够正常的工作。
参考文献:
[1]毛端海，戚堂有，李忠义. 常用电子仪器维修[M]. 北京: 机械工业出版社，2008.
[2]陈梓诚. 电子设备维修技术[M]. 北京: 机械工业出版社，2007.
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年终 工作 总结 的写作过程，既是对自身 社会实践 活动的回顾过程，下面就让我带你去看看维修电工技术工作总结 报告 范文 5篇，希望能帮助到大家!维修电工技术 总结报告 120____年，也是本人在____物业有限公司工程部工作的第二年，在这一年的时间里，本人能够遵纪守法，认真学习，努力钻研，扎实工作，以勤勤恳恳，兢兢业业的态度对待本职工作，在运维岗位上发挥了应有的作用，作出了贡献，总结主要如下几方面：一、 爱岗敬业 ，扎实工作，协助领导完成接收工作今年，根据公司工作的按排，本人在____月份由____调至____新闻中心运维组，从事电工维修。在岗位变动过程中，本人能够顾全大局，服从领导按排;接收期间，执行领导的指示，对所负责的交接项目进行认真检查，对异常，损坏，故障等有问题的设备第一时间上报，要求原单位物业及时处理，协助领导做好接收工作。二、熟悉地理位置以及各区域机房，电房设备初来新闻中心，对这里的环境，设备都是完全不熟悉，而原百花物业也不配合，所以很多东西都是靠自己以往的 经验 通过摸索，思考和总结，再加上____主管、____主管的亲自讲解，培训以及按排一些有非常丰富经验的师傅前来讲解，现在对这里的地理位置、中央空调系统、高低压电路系统、消防系统、生活用水和园林绿化系统、电梯系统等都相当熟悉，可以独立上岗。三、做好中央空调和高低压电路系统的运行和保养工作中央空调方面，根据客户的需求，季节、天气情况，合理控制中央空调，并做好运行记录工作，对各项参数认真看，发现异常认真分析原因并上报，通知保养单位迅速前来处理。保养方面，因原物业公司对以前的中央空调系统完全没有做保养工作，致使冷却系统内壁生锈，损坏，根据领导的按排，严格执行领导的要求，加强外单位的保养监督工作，按排班员专人监督跟进，要求做到每星期定期清洗，每月定期加药水，有保养不到位的地方要求其立刻处理，防止外单位保养人员，马虎了事，致使冷却系统进一步损坏，保证空调主机正常运行。而另一方面，在____主管的制定下，每月按排班员对机房地面、空调主机，冷却泵，冷冻泵的表面进行了清洁，并定期对冷却泵，冷冻泵轴承进行加雪油等保养工作。高低压系统方面，加强了高压保养单位的保养工作，要求每星期进行检查俩次，发现问题及时前来处理，低压方面刚接手时，公用电房2号电容补偿柜接触器曾出现线路松脱，致使相线触碰电柜外壳对地烧毁接触器现象，根据领导的按排，严格执行领导要求，对所有电房的电容补偿柜内所有的触点进行了全面加固处理，对有问题的电容进行更换，对公用电房(没有空调)的电容柜作开门并用风扇散热。以及对各楼层的电井进行清洁，触点加固，更换损坏的指示灯等全面排查，还对所有电房的地面卫生定期清洁，保证设备在良好的环境下运行。四、对运维组人员进行中央空调培训在领导的按排和支持下，本人对运维组人员进行了简单的中央空调讲解，一些对空调不熟或者部分完全没有接触过空调的员工都收到了少少效果，而自己在表达能力，自信心等方面都得到了较大的提升，也对自己的空调知识进一步加固，在此多谢____主管、____主管等领导对本人的信任和支持。五、做好班员的管理工作、做好上级按排的任务和新闻单位的来电报修工作本人以身作则，要求班员遵纪守法，遵纪公司的 规章制度 ，做到不迟到，不早退，加强班员的责任心培训，认真做好设备的检查工作和运行记录工作。对上级按排的工作，合理按排，调动班员，迅速处理。对新闻中心的来电报修，认真听讲，记录来电的单位，报修内容以及故障的位置等，迅速调动班员迅速处理，对较大的故障或不能处理的问题认真向客户解释并上报处理。以上主要是这一年来的主要工作情况，有可喜的也有需要提高的，喜的是在这里做了班组的负责人，得到了少少的管理经验，而且在这个接收过程中也学会了很多知识，技能也得到了进一步的提升，而需要提高的是管理的水平，人际关系处理以及技术技能也需要进一步提高，所以我一定会更加努力，争取明年更上一层楼。维修电工技术总结报告2维修电工工作总结本人自年月参加工作，经厂三级 教育 后分到电器车间维修班，从事电器维修工作，工作中严格要求自己，虚心向师傅、同事请教，并能通过理论结合实践，使自己的业务水平不断提高，曾多次参加或独立承接电器设备的安装改造项目，并连续多年被单位授予先进工作者、 安全生产 者等荣誉。1992年因生产需要厂内新上两台氮氢压缩机，电器部分是1250kw/6kv同步电机，我很荣幸地参加了工程安装的全过程，从线槽的定位、铁件的制作到高低电缆的布线，从电机的检测、接线，到高压开关柜的安装调试，以及现场控制柜的机械调试，辅助开关的调整以及高压电缆头的制作，首次接触到kglf-11型励磁柜的安装调试，并从中学到了一些同步电机安装的技术要点，使自己有了新的提高。在工作中不墨守成规，敢于创新是一个优秀维修工必须具备的优点，我所在的合成维修班所负责的电器设备的供电负荷大约占全厂总负荷量的60%左右，光是6kv的高压同步电机620kw至3100kw大小不等的电机就有15台，再加上为之匹配的各种异步电动机等200多台，这对于只有六、七个人的维修班来说，每天的工作量可想而知，特别是到夏天因环境温度升高而造成的同步励磁柜故障，经常困扰着我们，在繁琐重复的工作中，我注意到同步机励磁柜中的变压器运行时，散发出的高温是使励磁控制电路电子元件参数发生变化的主要原因，从而导致系统失控，引起设备故障，因此我向车间领导提出了改造励磁柜的想法，经领导反复论证后进行了整改，把原有励磁柜中的变压器从柜子中分离出来，放置在一个专门的变压器室内进行统一散热，控制回路中用38w的轴流风机取代原来800w的风机进行降温，这样既降低了噪音，又优化了操作环境，这样困扰我们多年的难题迎刃而解了，到现在为止，我们已经完成了用智能模块控制器取代原有的电子插件模拟控制，彻底解决了设备运行中存在的问题，稳定了生产。业务水平的不断提高，来源于实际工作中经验积累的过程。____年至____年企业因扩大生产，我先后参加了75吨锅炉电器高压部分的安装、4.4米变换项目、1200kwa变压器及低压配电室的安装项目、1.6米合成1300kw电炉的安装项目等，在安装合成塔电炉的项目中我经反复试验，摸索出组装合成塔小盖电极杆的一套成功经验，用我们预先制造好的模具放入装有云母管的电极杆小盖，绕上细石棉绳抹上硅胶(耐高温)在模具与电极杆之间用5吨千斤顶一次压制成型，而后烘干，这样用顶压法取代螺母拧压法。保证了电极杆组装过程中的稳定性，从而在使用中既经受的起320公斤高压其他的冲击，又能耐受490°高温的考验，我们厂也从此结束了聘请外来技术人员解决难题的历史。____年9月因工作表现突出，我被调到尿素维修班担任班长，这期间，我先后组织安装了6kv/850kv高压电机项目，____年我们班先后承接了厂里新上变压吸附配电室，包括1600kva变压器在内的全套工程项目以及新上620kv/6kv变脱泵电机的安装调试，空压站90kw空压机plc的安装与调试等，由于尿素工序环境腐蚀性强、电气设备散乱，____年我组织人员对一、二尿配电室内所有变频器进行了整改，分别组建了专门的变频器室，净化了环境，也减少故障，并实现了总控室操作人员的屏面检测与集中控制，使原有的操作简单易行，一目了然，还方便了维修人员的检修、维护。企业生产，安全第一。这特别对我们从事危险行业的工作人员来说，意义更为重大。运用所掌握的技术来解决生产中存在的问题，是一个技术人员义不容辞的责任。____年夏天，我在尿素包装工段巡检时发现操作工脚下的缝包机控制开关是380v的电源电压，于是我萌发了把原来380v控制回路改成36v安全电压的控制，改造后解决了潜在的安全隐患，达到了安全生产的目的。二十多年的工作经验告诉我，做一个优秀的技术人员，不仅要有吃苦耐劳、精益求精、不断进取的精神，还必须具备胆大心细、灵活多变、敢于创新的性格，我为自己成为一名优秀的技术工人而深感自豪。维修电工技术总结报告3维修电工技术总结转眼件，____年已经过去，回想来敬业工作中的这段时间，使我认识到了供电车的重要性和自己业务技能欠缺的主观事实，让我从心里认识到了自己只有学好专业技能才能保证生产的正常用电、安全用电。记得出徒考试那天，敬业站4#变突然停电，造成了南区班组管辖范围内的：65㎡带烧1段、7#8#炉2段及新1#炉配电室的1段2段母线全部停电。这次停电事故不紧影响了大面积正常生产，最严中的是因为停电在新1#炉发生了安全事故，这次事故充分证明了供电的重要性，所以作为供电的维修工的自己，要有高度的责任心，来保证供电系统的正常运行。在每次设备检修时，看到每位师傅胸有成竹的样子，使自己感觉到自己知识浅薄，为不能做好师傅的帮手感到内疚。所以，我因该加强学习，争取在短时间内赶上去，在工作中做上级领导和师傅的好帮手。这几个月的工作中，其实还发现自己还有很多问题，如：做事标准底、责任心欠缺、做事懒散等能直接影响工作的问题，所以，在以后的工作和生活中要加劲努力，改掉自己不足，让自己的工作上个新台阶。维修电工技术总结报告4一、目的和意义通过实训，为学生今后的专业实验、 毕业 设计准备必要的工艺知识和操作技能，同时培养学生严谨的工作作风和良好的工作习惯。既是基本技能和工艺知识的入门向导，又是创新实践的开始和创新精神的启蒙。二、实训内容实训项目一：安全用电(一)必须认识到安全用电的重要性安全用电知识是关于如何预防用电事故及保障人身、设备安全的知识。在电子装焊调试中，要使用各种工具、电子仪器等设备，同时还要接触危险的高电压，如果不掌握必要的 安全知识 ，操作中缺乏足够的警惕，就可能发生人身、设备事故。所以必须在了解触电对人体的危害和造成触电原因的基础上，掌握一些安全用电知识，做到防患未然。(二)触电及相关防护策施1.触电的种类：(1)电伤，电伤通常有灼伤、电烙伤、皮肤金属化三种。电伤对人体造成的危害一般是非致命的。(2)电击，是指电流流过人体，严重影响人体呼吸、心脏和神经系统，造成肌肉痉挛、神经紊乱，导致呼吸停止，严重危害生命的触电事故。触电死亡大部分是电击造成的。决定电击强度的是流经人体的电流，而非电压。2.影响触电造成人体伤害程度的因素：电流的大小、电流种类、电流作用时间、电流途径、人体电阻。人体电阻会随着人体皮肤的干燥程度和人的年龄而变化。干燥时可呈现100 000欧姆以上，二潮湿时，电阻可降到1000欧姆以下，并且随着人的年龄的增加而变大。3.触电原因：直接触电、间接触电、静电触电、跨步电压引起的触电。4.防止触电的技术 措施 ：(1)保护接地和保护接零(2)触电保护装置还有一点比较重要就是若真的看到别人发生触电，该采取些什么样的措施。先保证把电源断开或用绝缘体把电线从触电者身上移开，若触电者呼吸停止但有心跳，应对其进行人工呼吸或胸外心脏挤压。实训项目二：常用工具的使用(一)、照明电路的组装常用工具(一)的实训内容：熟悉和掌握常用电工电子工具的结构、性能、使用 方法 和操作规范。有螺丝刀、钳子、电工刀等。照明电路的组装的实训内容：(一)一灯一开关控制的白炽灯照明电路组装。线路上依次火线接开关，白炽灯、之后接零线，便构成回路。(二)日光灯照明电路的组装：其主要由开关、启辉器、镇流器和日光灯等部分组成。(三)双控照明电路的组装：两个开关中的任何一个无论处于什么状态，另一个开关都能独立地控制电灯的开、关。实训项目三：常用电子仪器的使用1.实训项初步掌握SS4323直流稳压电源的使用方法 2.初步掌握UT58D数字万用表的使用方法 3.初步掌握AS101E函数信号发生器的使用方法 4.初步掌握SS-7802A模拟示波器和TDS1012数字存储示波器的使用方法。实训项目四：常用电子元器件的认识与检测(一)通过静态和动态的方法，初步认识电阻及掌握其检测方法(二)通过静态和动态的方法，初步认识电位器及掌握其检测方法(三)通过静态和动态的方法，初步认识电容及掌握其检测方法(四)通过静态和动态的方法，初步认识电感及掌握其检测方法(五)通过静态和动态的方法，初步认识二极管及掌握其检测方法(六)通过静态和动态的方法，初步认识三极管及掌握其检测方法。实训项目五：常用工具的使用(二)、焊锡训练常用工具的使用(二)的实训内容：继续来熟悉和掌握常用电工电子工具的结构、性能、使用方法和操作规范：电烙铁。焊锡训练的实训内容：印制电路板的焊接练习。其内容：在万用板上焊接一个如书上的图的无稳态多谢振荡电路并通电测试，若两个发光二极管能轮流发光，则表明电路焊接正确。实训项目六：印刷电路板(PCB)的制作与电路调试，制作一个555振荡电路。三、实训总结或体会第一周的时候我进行了电子电工的实训，师傅给我们讲了安全用电的有关知识，这个跟我们的日常生活都有关，而且让我们对如何安全用电等的知识在原有的基础有了进一步的了解，通过师傅的讲解，我学习到了安全用电的基本知识，懂得安全用电的重要意义，并且这为电工电子实训和以后的学习、工作、生活中安全用电奠定基础。为期一周的电子电工实训，师傅也大致的向我们叙述了一下今后的实训计划并且说明了一些要求和注意事项，这也让我对往后的实训充满期待和好奇。第二周我们进行了照明电路的组装，在听师傅介绍我们这节课的内容后，我们开始动手。我们是两个人一组，自己动手把线路连接好，然后接通电路，让电灯亮。看到自己组装的灯亮了，很开心，师傅过来签名时也许也觉得我们像个小孩，分享着我们的喜悦，微笑着帮我们签了名。这次我们组进行的很顺利，虽然过程中也有遇到一些些小难题，但在师傅的耐心并且细心的讲解下我们及时改正也是不成阻碍，师傅总是能一针见血的指出我们的问题所在，并且给与我们正确的引导，并且同时教会了我们如何去找出出错的地方。在这次实操过程中让我初步亲身体验到电子电工是怎样的。通过这次的组装让我们了解到了什么是白炽灯、日光灯以及白炽灯、日光灯照明电路的基本组成。第三周我们进行常用电子仪器的使用这个项目。我们在师傅的讲解下了解了直流稳压电源、万用表、信号发生器、示波器等常用电子仪器的功能后开始操作。我在使用示波器提进行校准信号方波的测量得到以下数据：峰值为0.44V，周期为10.4mA，频率为0.096Hz;测得1.5KHz、10dB的正弦波的峰峰值为5.5V，则峰值为2.75V，周期为17mA，则由周期计算出频率，与显示的频率比较相差较小。通过这节课我掌握了直流稳压电源、万用表、信号发生器、示波器的基本使用方法，这也为我后续的实训打下了基础。f为2.75Hz实训的第四周我们进行的是常用电子元器件的认识与检测。在一开始通过师傅的讲解我们简单的了解了电阻、电位器、电容、电感二极管、三极管、集成电路路芯片等元器件的功能以及与它们相关的一些 其它 知识。在实训的过程中我通过实物认识各种常用的电子元器件并且掌握了常用电子元器件参数的识读方法以及使用万用表测量常用电子元器件参数的方法。在色环阻值识读中我识读了一个其色环为橙黑红银的四环电阻的阻值为30__100±5%并且用万用表测得其阻值为2.9千欧姆，则可以比较得出相差不多，也就证明前面的读数是正确的;然后用万用表测得电位器的最大阻值为0.01毫欧姆;用万用表和多用转接插头座测得电容得电容量为0.01毫欧姆，并且 我在这节课学会了二极管与三极管管脚的判别。做完上述步骤后，我们又制备了一个二极管的实验线路，我连接好线路，接通电源，二极管就亮了，所以电路的连接是成功的。通过这个简单的实验，让我了解了常用电子元器件的功能并且加深了对线路连接的认识。第二大节课我们在第一大节课的基础上开始我们的焊接工艺与焊接训练。同样在师傅的详细认真的讲解下。我们熟悉了电子装焊工艺的基础知识和要求后开始动手操作。我们要进行的是印制电路板的焊接练习。我们在万用电路板上按照电路图进行元器件的焊接，我刚开始焊接第一个元器件是二极管，手拿着那个电烙铁和锡一直不受控制的抖动，我一直对自己说要稳，可还是手很抖，也许是第一次接触紧张在所难免。我的第一次焊接尝试就在我手不停的抖动下结束了。但是也许是真正了解到焊接是怎么一回事了，知道了心里有底了，第二次焊我就焊得好多有了，手也不多抖了，并且越焊越熟手。有经验后，之后的我都焊接的很好。上午时间到时，同事们都还没有焊完，我也一样，师傅说先回去，下午来再继续。第五周我们继续焊接工艺与焊接训练，同时老师也讲了AS-06FM收音机的制作，做完上一个项目的同事就可以接着去做这个项目。下午我们都提早到了，一到就坐下来继续进行上午的焊接，没有了上午的害怕和紧张，这次我一拿起电烙铁就上手了，别说还真的`是还有模有样的，这时的我们经过这些天的实训都有电工的架势了，我们来到时看到还有比我们早到的同事在焊接时都觉得仿佛进了电工厂了，这跟刚开始的感觉是不一样的。课上了不太久，我还在努力认真的焊接着，就有同事成功了。虽然我比其它同事慢了点，但我还是很稳的，我想不能在最后的时候没弄好才来出差错啊，所以我不紧不慢的一点点的认真的焊着。经过差不多一下午的努力我终于焊接好了无稳态多谐振荡电路的焊接，这时候最关键的时刻到来了，因为然后就是要用先前学习使用过的直流稳压电源进行通电测试，我带着紧张和期待的心情接通连接电路，按下output键，这时我看到两个发光二极管在轮流放光，一闪一闪的，我觉得真是很好看啊，我这时的心情真的可以用心花怒放来形容。那种认真努力得到收获的感觉那种成就感真的都很好。这个实训内容较之前面的内容花费的时间较多收获也较多。我觉得经过这次焊接以后叫我焊什么我都不怕了。并且呢我对电子装焊工艺及常用焊接、装配工具有了一个初步的认识，掌握了焊接工具及常用工具的正确使用以及手工电子焊接技术，为以后的制备收音机的实训产品安装打下了基础。电子电工实训第六周也是实训的最后一周。今天我们实训的内容是印刷电路板(PCB)的制作与电路调试，在师傅的讲解下我们了解了制作PCB板电路图的基本流程，按照师傅所说的流程，我们顺利而且成功的完成了任务，让那我熟悉了制作PCB板的基本操作，掌握了使用热转印来制作PCB板的操作。最后在我怀着留恋的情绪下这次的就这样结束了。在师傅的精心指导和同事们的积极帮助和我的认真努力下，实训圆满结束。接得进入工作岗位!
集成电路芯片封装技术浅谈 自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位;主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz;CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上;半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到 ULSI。封装的输入/输出（I/O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。 对于CPU，读者已经很熟悉了，286、386、486、Pentium、Pentium Ⅱ、Celeron、K6、K6-2 ……相信您可以如数家珍似地列出一长串。但谈到CPU和其他大规模集成电路的封装，知道的人未必很多。所谓封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁--芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用。新一代CPU的出现常常伴随着新的封装形式的使用。 芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。 下面将对具体的封装形式作详细说明。 一、DIP封装 70年代流行的是双列直插封装，简称DIP(Dual In-line Package)。DIP封装结构具有以下特点: 1.适合PCB的穿孔安装; 2.比TO型封装(图1)易于对PCB布线; 3.操作方便。 DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式)，如图2所示。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。以采用40根I/O引脚塑料包封双列直插式封装(PDIP)的CPU为例，其芯片面积/封装面积=3×3/15.24×50=1：86,离1相差很远。不难看出，这种封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。 Intel公司这期间的CPU如8086、80286都采用PDIP封装。 二、芯片载体封装 80年代出现了芯片载体封装，其中有陶瓷无引线芯片载体LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封装SOP(Small Outline Package)、塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)，封装结构形式如图3、图4和图5所示。 以0.5mm焊区中心距，208根I/O引脚的QFP封装的CPU为例，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1：7.8，由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小。QFP的特点是: 1.适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线; 2.封装外形尺寸小，寄生参数减小，适合高频应用; 3.操作方便; 4.可靠性高。 在这期间，Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四边引出扁平封装PQFP。 三、BGA封装 90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，硅单芯片集成度不断提高，对集成电路封装要求更加严格，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大。为满足发展的需要，在原有封装品种基础上，又增添了新的品种--球栅阵列封装，简称BGA(Ball Grid Array Package)。如图6所示。 BGA一出现便成为CPU、南北桥等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/O引脚封装的最佳选择。其特点有: 1.I/O引脚数虽然增多，但引脚间距远大于QFP，从而提高了组装成品率; 2.虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，简称C4焊接，从而可以改善它的电热性能: 3.厚度比QFP减少1/2以上，重量减轻3/4以上; 4.寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高; 5.组装可用共面焊接，可靠性高; 6.BGA封装仍与QFP、PGA一样，占用基板面积过大; Intel公司对这种集成度很高(单芯片里达300万只以上晶体管)，功耗很大的CPU芯片，如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ采用陶瓷针栅阵列封装CPGA和陶瓷球栅阵列封装CBGA，并在外壳上安装微型排风扇散热，从而达到电路的稳定可靠工作。 四、面向未来的新的封装技术 BGA封装比QFP先进，更比PGA好，但它的芯片面积/封装面积的比值仍很低。 Tessera公司在BGA基础上做了改进，研制出另一种称为μBGA的封装技术，按0.5mm焊区中心距，芯片面积/封装面积的比为1:4，比BGA前进了一大步。 1994年9月日本三菱电气研究出一种芯片面积/封装面积=1:1.1的封装结构，其封装外形尺寸只比裸芯片大一点点。也就是说，单个IC芯片有多大，封装尺寸就有多大，从而诞生了一种新的封装形式，命名为芯片尺寸封装，简称CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封装具有以下特点: 1.满足了LSI芯片引出脚不断增加的需要; 2.解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题; 3.封装面积缩小到BGA的1/4至1/10，延迟时间缩小到极短。 曾有人想，当单芯片一时还达不到多种芯片的集成度时，能否将高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片(用LSI或IC)和专用集成电路芯片(ASIC)在高密度多层互联基板上用表面安装技术(SMT)组装成为多种多样电子组件、子系统或系统。由这种想法产生出多芯片组件MCM(Multi Chip Model)。它将对现代化的计算机、自动化、通讯业等领域产生重大影响。MCM的特点有: 1.封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化; 2.缩小整机/组件封装尺寸和重量，一般体积减小1/4，重量减轻1/3; 3.可靠性大大提高。 随着LSI设计技术和工艺的进步及深亚微米技术和微细化缩小芯片尺寸等技术的使用，人们产生了将多个LSI芯片组装在一个精密多层布线的外壳内形成MCM产品的想法。进一步又产生另一种想法:把多种芯片的电路集成在一个大圆片上，从而又导致了封装由单个小芯片级转向硅圆片级(wafer level)封装的变革，由此引出系统级芯片SOC(System On Chip)和电脑级芯片PCOC(PC On Chip)。 随着CPU和其他ULSI电路的进步，集成电路的封装形式也将有相应的发展，而封装形式的进步又将反过来促成芯片技术向前发展。
在中国知网上搜索： 当前位置：数字出版物超市 >> 中国学术文献网络出版总库 >> 通过来源检索文献(点击来源名称) 期刊收录源： EI工程索引（美） 左侧的领域，选择信息科技下面的“计算机硬件技术 ”和“计算机软件及计算机应用” 然后开始搜索： 然后得到了三个期刊： 1 软件学报 中国科学院软件研究所 中科双百期刊; 2 计算机辅助设计与图形学学报 中国计算机学会 第三届(2005)国家期刊提名奖期刊; 3 Journal of Zhejiang University-Science C(Computers and Electronics) 浙江大学出版社 呵呵，但是感觉这个不全。所以我扩大了领域，选择整个“信息科技”：得到了一大堆，给你以下答案，你自己看看刊物名称，细心的话可以去各家期刊的网站上看看他们接受稿件的内容范围：1 软件学报 2 计算机学报 3 计算机研究与发展 4 自动化学报 5 光电子.激光 6 电子学报 7 通信学报 8 控制与决策 9 计算机集成制造系统 10 机器人 11 红外与毫米波学报 12 电机与控制学报 13 控制理论与应用 14 计算机辅助设计与图形学学报 15 西安电子科技大学学报 16 电子与信息学报 17 北京邮电大学学报 18 真空科学与技术学报 19 红外与激光工程 20 电波科学学报 21 模式识别与人工智能 22 系统工程与电子技术 23 电子科技大学学报 24 Journal of Computer Science and Technology 计算机科学技术学报(英文版) 25 Optoelectronics Letters 26 Chinese Journal of Semiconductors 半导体学报 27 Journal of Systems Engineering and Electronics 28 The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications 中国邮电高校学报(英文版);29 Journal of Control Theory and Applications 30 Journal of Zhejiang University-Science C(Computers and Electronics) 这个肯定是最佳答案了吧。不用谢。
确实是的，这个学报的文章已经纳入了sci的文章范畴里面的。半导体学报这个应该是按字按这个应该能更好地将学习，如果不随机的话，他们这个应该是就很难，有一些技术应该是不不能刚刚好的技能先搬下来的东西，所以应该是学习的。
《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。《半导体学报》1980年创刊。现为月刊，每期190页左右，国内外公开发行。每期均有英文目次，每篇中文论文均有英文摘要。《半导体学报》主编为王守武院士。国内定价为35元。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。国内读者可直接到全国各地邮局订阅。
ICCSE \ ICSREI，你是要CA还是JA检索的？
锆钛酸铅(PbZrTiO3)缩写为PZT 压电应变常数 锆钛酸铅-4: 289m/V 锆钛酸铅-5: 372m/V 锆钛酸铅-8: 225m/V 压电电压常数 锆钛酸铅-4: 2.6Vm/N 锆钛酸铅-5: 2.48Vm/N 锆钛酸铅-8: 2.5Vm/N
O4 物理学类核心期刊表 纯粹物理 序号 刊 名 出版周期 出版地 主 办 单 位 ISSN 联系方式 1 物理学报 月刊 北京 中国物理学会 1000-3290 北京 603 信箱（ 100080 ）编辑部电话： 2 光学学报 月刊 上海 中国光学学会 0253-2239 上海 800-211 信箱（ 201800 ）编辑部电话： 3 高能物理与核物理 月刊 北京 中国科学院高能物理研究所 0254-3052 北京市 918 信箱（ 100039 ）编辑部电话： -2664 4 物理 月刊 北京 中国物理学会 0379-4148 北京海淀区中关村中国科学院物理研究所（ 100080 ）编辑部电话： 5 原子与分子物理学报 季刊 成都 中国物理学会原子与分子物理专业委员会 1000-0364 四川大学（西）原子与分子物理研究所 （ 610065 ）编辑部电话： -45234 6 低温物理学报 双月刊 合肥 中国物理学会 1000-3258 合肥市中国科学技术大学（ 230026 ）编辑部电话： 7 半导体学报 月刊 北京 中国电子学会等 0253-4177 北京 912 信箱（ 100083 ）编辑部电话： -277 8 声学学报 双月刊 北京 中国声学学会 0371-0025 北京海淀区中关村路 17 号（ 100080 ）编辑部电话： isx@ 9 波谱学杂志 双月刊 武汉 中国科学院武汉物理研究所等 1000-4556 武汉市 71010 信箱（ 430071 ）编辑部电话： 10 物理学进展 季刊 南京 中国物理学会 1000-0542 南京市南京大学（ 210008 ））编辑部电话： 11 高压物理学报 季刊 成都 四川省物理学会 1000-5773 成都市 523 信箱 60 分箱（ 610003 ）编辑部电话： 12 低温与超导 季刊 合肥 信息产业部合肥低温电子研究所 1001-7100 合肥市 1019 信箱（ 230043 ） 13 大学物理 月刊 北京 中国物理学会 1000-0712 北京师范大学物理系（ 100875 ）编辑部电话： 应用物理 1 人工晶体学报 双月刊 北京 人工晶体研究所等 1000-985X 北京市 733 信箱， 100018 ，电话： 6549332 2 光子学报 月刊 西安 中国光学学会 1004-4213 西安 80 号信箱 47 分箱《光子学报》编辑部， 710068 3 量子电子学报 双月刊 合肥 中国光学学会基础光学专业委员会 1007-5461 合肥 1125 号信箱 ,230031, 电话： 0551-559156 4 发光学报 季刊 长春 中国物理学会发光 分科学 会等 1000-7032 吉林省长春市东南湖大路 16 号 130033 电话： 5 红外与毫米波学报 双月刊 上海 中国光学学会等 1001-9014 上海市中山北一路 420 号 200083 电话： -24502 6 计算物理 双月刊 北京 计算物理学会等 1001-246X 北京市 8009 信箱 100088 电话： -2292 ， 62014411-2647 7 核技术 月刊 上海 中国核学会等 0253-3219 上海市 800-204 信箱 201800 电话： 8 金属学报 月刊 沈阳 中国金属学会等 0412-1961 辽宁省沈阳市文化路 72 号 110016 电话： 9 核聚变与等离子体物理 季刊 成都 核工业西南物理研究所 0254-6086 四川省成都市 432 信箱 610041 电话： 10 无机材料学报 双月刊 上海 中国科学院上海硅酸盐研究所 1000-324X 上海市定西路 1295 号， 200050 ， TEL ： 52411301 5241130 11 材料研究学报 双月刊 沈阳 中国材料研究学会等 1005-3093 辽宁省沈阳市沈河区文化路 72 号 110016 电话： 12 光谱学与光谱分析 双月刊 北京 中国光学学会光谱委员会等 1000-0593 北京市海淀区学院南路 76 号（ 100081 ） 13 强激光与粒子束 双月刊 绵阳 中国工程物理研究所，四川省核学会 1001-4322 四川省绵阳市 919-805 信箱 621900 电话： 14 真空 双月刊 沈阳 机械电子工业部沈阳真空技术研究所 1002-0322 辽宁省沈阳市沈河区万柳塘路 2 号 110042 电话： 15 原子能科学技术 双月刊 北京 中国原子能科学研究院 1000-6931 北京市 275 信箱 65 分箱 102413 电话： 16 中国激光 月刊 上海 中国光学学会，中国科学院上海光学精密机械研究所 0258-7025 上海市 800-211 信箱 201800
电机学报和电工学报都不太好发，电力系统及自动化和高电压技术相对容易发一点，非EI的核心更容易，比如电力电子技术、电工电能新技术、电力系统及其自动化学报、中国电力等一大堆。听说微电机比较好发呀！上品 优刊发吧，这家伙专业的，望采纳
锆钛酸铅(PbZrTiO3)缩写为PZT 压电应变常数 锆钛酸铅-4: 289m/V 锆钛酸铅-5: 372m/V 锆钛酸铅-8: 225m/V 压电电压常数 锆钛酸铅-4: 2.6Vm/N 锆钛酸铅-5: 2.48Vm/N 锆钛酸铅-8: 2.5Vm/N\1999年微电子学研究所发表的学术论文 一、器件研究室 锗硅微波功率异质结双极晶体管 张进书，贾宏勇，陈培毅 中国电子学，11，1999 我们开发了一种简单的与硅工艺兼容的平面工艺，并研制成功适合微波功率应用的SiGe异质结双极晶体管（HBT）。其电流增益为50-320，收集极和发射极击穿电压分别达到28V和5V。在共发射极接法及C类工作条件下，连续波功率输出达5W，收集极转换效率为63%，在此基础上900M赫下工作，功率增益达7.4dB。 用于通信领域中的MEMS器件 刘泽文，李志坚，刘理天 电子科技导报，7, 1999 微电子机械系统（MEMS）技术在未来的通信领域中有着广泛的应用，本文介绍了若干个用于通信线路中的MEMS器件。如微电容、微电感、微谐振器、滤波器、微开关等的典型结构形式及其主要性能。 用等离子体干法刻蚀制作用于淀积玻英合金微结构阵列的P-硅微模具 刘泽文，刘理天，谭智敏，王晓慧，李志坚 第二届亚欧等离子体表面工程国际会议，1999.9，北京 本文给出了一种利用等离子体干法刻蚀在P型硅上制作微模具，然后通过电化学方法填充模具。从而获得玻莫金属(80％镍、20％铁)微结构的方法。微结构玻莫合金作为一种软磁性材料在MEMS研究中有广泛的用途。为了获得100mm×100mm横向尺寸的微结构，首先用等离子体方法在已形成掩膜图形的硅片上刻出方型深槽。利用CF4和SF6相混合作为腐蚀气体。10分钟即可获得10mm的深槽，该工艺显示出对单晶硅有较高的刻蚀速度。随后把深槽作为模具进行选择性电沉淀。为了实现电解质和硅电极之间的电荷移动，对方槽的底部进行了硼原子掺杂，并利用一特殊夹具。这样直流电镀电流便可以从硅片的背面加入到被镀基底上，从而获得高度均匀一致的微结构。利用该方法已经成功地获得具有高磁导率（1700）的玻莫合金微结构。 高性能双轴微加速度传感器制作研究 刘泽文，刘理天，李志坚 第六届全国敏感元件与传感器学术会议，1999.10，北京 本文给出了将IC工艺与LIGA工艺相结合，在硅基材料上以镍金属为结构材料制作高性能微加速度传感器的研究结果。由于采用了金属材料，器件在较小的尺寸下可获得较高的灵敏度。采用特殊的结构形成，可使器件处于最佳阻尼状态。制作过程主要包括厚胶光学光刻，淀积电镀种子层，电化学淀积牺牲层、X射线曝光。 背面对准X射线光刻掩膜制作研究 刘泽文、刘理天、李志坚 10th National annual conference on electron beam, ion beam and photon beam, Nov. 1999, Changsha, Hunan 深X射线光刻是制作高深宽比MEMS结构的一个重要方法。由于大多数LIGA掩模支撑膜的光学不透明性，很难进行需要重复对准的多次曝光。我们通过使用背面对准X射线光刻掩膜，很好地解决了这一问题。给出了该掩膜制作工艺的研究结果。整个过程包括沉淀氮化硅、UV光刻、电化学淀积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑膜等。利用Karl Suss双面对准曝光机，可获得2mm的对准精度。 台面结构硅光电集成微马达的设计 齐臣杰，谭智敏，刘理天，李志坚 清华大学学报，39（S1），1999.4 为了解决凸极法兰盘结构的静电晃动微马达寿命短和测速困难的问题，提出了一种台面结构的光电集成晃动微马达。用单晶硅台面法兰盘代替悬浮的厚1.1 mm的多晶硅法兰盘，它具有机械强度高、摩擦系数小、抗磨损、不塌陷等优点。马达的轴也用实心轴取代2 mm空心轴，克服了轴因磨损和受力而变形的问题。使得马达的寿命大大提高。另一方面，在马达上还集成了光电测速电路，可以精确测量马达转速。并且还可以形成闭环控制系统，或用作斩光器，成为真正的微机械电子系统。新型马达工艺简单，与IC工艺完全兼容，可批量制作。 光电集成测速硅静电微晃动马达 齐臣杰，候 彧，刘理天 第六届全国敏感元件与传感器学术会议，1999.10，北京 本文采用微马达与光电二极管一起集成，组成光电测速系统。在马达转子下面集成几个光电二极管，利用反偏二极管的暗电流和亮电流的变化来测量马达的转速。它提高了马达的测速范围，解决了视频摄象测速系统测速低的问题。此外，它还具有测试方便，工艺兼容、准确等优点。还可以制成斩光器。成为光、机、电的MEMS系统。 铁电-硅微集成系统（FSMIS） 李志坚，任天令，刘理天 半导体学报，20（3），1999 铁电-硅微集成系统FSMIS是铁电材料与硅工艺相结合的产物，在微电子机械系统（MEMS），存储器等多方面具有极为重要的应用价值。本文介绍了几种重要的硅基铁电膜的制备方法和几种典型的FSMIS应用方向，并对FSMIS领域的未来发展作出展望。 铁电-硅集成微麦克风和扬声器研究 任天令，刘理天，李志坚 清华大学学报，39（S1）, 1999 目的是为实现高灵敏度的集成化的微麦克风和扬声器奠定基础。利用锆钛酸铅 (PZT) 铁电体具有的优良的力电耦合特性，提出将PZT铁电薄膜与硅工艺相结合，研制悬臂式铁电-硅集成微麦克风和扬声器。利用双膜片模型对PZT振膜结构进行了优化设计，并对其工艺流水过程进行了初步设计，从而为集成微麦克风和扬声器的最终实现奠定了设计基础。铁电-硅集成微麦克风和扬声器可望应用于多媒体语音输入及移动通信等方面。 二十一世纪的信息存储技术–––– 硅基铁电存储器 任天令，张盛，刘理天，李志坚 电子科技导报，9，1999 硅基铁电存储器是通过硅加工工艺在半导体集成电路中集成铁电体材料，以利用该材料在信息存储方面优势的新型存储器。这种新兴的存储器是铁电–硅微集成系统FSMIS一个重要的应用，有望在低操作电压、低功耗、高存储密度、优异的非挥发存储性能等多个方面超出单纯的半导体存储器，并很可能成为二十一世纪重要的信息存储技术。 硅基PZT微麦克风和扬声器的振膜设计 任天令，赵洋，刘理天，李志坚 第六届全国敏感元件与传感器学术会议，1999.10，北京 本文的目的是为高灵敏度、集成化的微麦克风和扬声器的核心结构—PZT悬臂式振膜的实现奠定基础。利用锆钛酸铅 (PZT) 铁电体具有的优良的力电耦合特性，提出将PZT铁电薄膜与硅工艺相结合，研制悬臂式铁电-硅集成微麦克风和扬声器。利用多膜片模型对PZT振膜结构进行了优化设计，从而为集成微麦克风和扬声器核心结构的最终实现奠定了设计基础。 p型ZnSe中的缺陷复合体补偿 任天令，朱嘉麟，Z. Zhu T. Yao Journal of Applied Physics, 86(3),1999 用离散变分局域密度泛函方法及团簇模型研究了 N和As掺杂 ZnSe中的缺陷复合体。基于两种复合体形成能的差异，发现在N掺杂的ZnSe中NSe-Zn-VSe 是更有效的受主补偿体，而在As掺杂的ZnSe中AsSe-Znint 则更为有效。确定了具有170meV受主能级的NSe-Zn-NSe 及具有88 meV 施主能级的NSe-NZn 复合体。证实了一种N分子施主态的概念。 HIP 红外探测器与硅MOS读出电路的单片集成 王瑞忠、陈培毅 清华大学学报，39（S1）, 1999 为了证明P+-Gex/Si1-x/P-Si HIP 红外探测器与硅MOS读出电路单片集成的可能性，本文对P+-Gex/Si1-x/P-Si HIP岸红外探测器与硅CMOS读出电路的工艺兼容性进行了分析，并提出一种可行的方案。P+-Gex/Si1-x/P-Si HIP 红外探测器与NMOS读出开关电路的单片集成试验芯片用硅3 mm NMOS工艺研制成功。在77K下，用分子束外延（MBE）方法生长的无介质光腔和抗反射涂层的P+-Gex/Si1-x/P-Si HIP器件黑体探测率达到11 Mm.Hz1/2.W -1，并成功实现了红外探测器信号通过NMOS读出开关的读出。 Cr-AlN界面的二次离子质谱研究* 岳瑞峰 分析测试学报，18（3），1999 采用电子束蒸发的方法在200oC抛光的AlN陶瓷衬底上淀积200 nm的Cr膜，并在高真空中退火。利用MCs+-SIMS技术(在Cs+一次离子轰击下检测MCs+型二次离子)对样品进行了深度剖析，给出了界面组分分布随退火温度与时间的变化关系。结果表明，MCs+-SIMS技术是研究金属-陶瓷界面扩散与反应的有效方法。 AlN陶瓷基板在空气中的热氧化行为探讨 岳瑞峰，王燕 Applied Surface Science，（148），1999 利用二次离子质谱(SIMS)和X射线衍射(XRD)研究了AlN陶瓷基板在850－1100oC空气中退火时的初始氧化行为。结果表明，未退火AlN陶瓷基板表面区存在很薄的富氧层。在10min退火条件下，随着退火温度的增加，富氧层迅速增厚。在1100 oC 退火20min条件下，AlN陶瓷基板表面区有连续的氧化层生成。最后，结合化学热力学，探讨了AlN陶瓷基板表面的初始氧化机理。 氮化铝和莫来石陶瓷衬底的SIMS和XRD研究* 岳瑞峰 硅酸盐通报，（4），1999 利用二次离子质谱 (SIMS) 和X射线衍射 (XRD) 研究了用于电子封装的以Dy2O3和CaO为添加剂的AlN和以堇青石、BaCO3为添加剂的莫来石陶瓷衬底的物相组成和表面成分，尤其是表面杂质，并利用SIMS尝试探讨了AlN表面热氧化问题。结果表明，AlN和莫来石陶瓷表面不同程度地存在Li、C、F、Na、K、Cl、Ti、Rb等杂质元素的污染；AlN表面存在富O层，在空气中经过850oC10分钟退火后，富O层明显展宽。 Ti/AlN 界面反应的SIMS, RBS and XRD研究 岳瑞峰，王燕 Surface and Interface Analysis, 27（2）, 1999 采用电子束蒸发的方法在抛光的200oC AlN陶瓷衬底上淀积厚度为200nm的Ti膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱(SIMS）、卢瑟福背散射谱(RBS)和X射线衍射分析(XRD)技术，研究了从200～850oC温区内Ti与AlN的固相界面反应，给出了界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发现了三元铝化物并观测到铝化物产生与发展过程。指出铝化物由Ti-Al二元和Ti-Al-N三元化合物组成。最后利用热力学理论解释了实验结果。 新型双桥结构集成压力传感器的研究与设计 岳瑞峰，刘理天，李志坚 第六届全国敏感元件与传感器学术会议，1999.10，北京 在利用有限元法分析硅杯结构应力分布的基础上，设计了两种新型双桥结构集成压力传感器。其中压阻电桥位于膜片上的高应力区，补偿电桥位于膜片对角线上或膜片附近逐渐增厚的体硅区，并且组成每个电桥的四个电阻集中设置在同一区域。将压阻电桥和补偿电桥的输出信号相减，可望明显减小压力传感器的失调与温漂。该压力传感器还设置了片内信号处理电路，采用PMOS工艺实现集成制造。 模糊神经网络及其VLSI实现的研究 陈曦，靳东明，李志坚 第十一届全国IC、硅材料学术会议论文集，1999.9，大连 为了克服模糊逻辑与神经网络的缺点，模糊神经网络成为当今的热点研究领域之一。本文回顾了模糊神经网络的提出和发展，讨论了模型研究的两种主要方法和成果：一种称为基于神经网络的模糊逻辑系统，另一种称为模糊神经元网络。模糊神经网络的VLSI实现是一个比较新的课题。本文首先介绍模糊逻辑与神经网络的VLSI实现，然后讨论了模糊神经网络VLSI实现的研究成果和发展状况。 一种实用模糊控制器的研制* 王淳，靳东明 清华大学学报，39（S1），1999 针对一个磁场中悬浮金属小球的控制问题，设计了有两输入一输出有九条规则的模糊控制器。控制器采用了一种新的模糊化和去模糊方法，它克服了通常的模糊化方法中由于把精确量分等级而带来的信息损失。模拟结果表明该方法具有过渡时间短、超调量小和稳定性好的特点。用CMOS电流型电路进行了设计，并用改进型CMOS工艺流水，结果表明该电路较好地达到了设计要求。全部电路近300个MOS管，面积为1.1 mm2，功耗为10.7 mW。 可编程模糊逻辑控制器芯片的设计* 沈杰，靳东明，李志坚 电子学报，27（8），1999 本文提出了一种由模拟电路实现的通用可编程模糊逻辑控制器PFLC，针对两输入变量、一输出变量的控制对象，允许有81条控制规则。该控制器是由电流型CMOS多值器件构成，采用2mm标准CMOS工艺制造。PFLC有方便的输入/输出接口，其模糊推理过程是并行的，每时钟周期完成一次，最高时钟频率可达1MHz。 双MOS晶体管等效电阻* 沈杰，靳东明，李志坚 清华大学学报，39（S1），1999 用两个源端接地、漏端接在一起的MOS管，使其分别工作于饱和区和非饱和区，可组成等效电阻，即用有源器件实现了电阻的功能。模拟及测试结果表明，当工作电压在1～4 V范围内时，阻值变化在5％以内。双MOS管电阻实际上是对单MOS管线性区电阻的补充和改进，结构简单，阻值从1 kW到几十kW且易于调整，采用标准CMOS工艺制作。 Si1-xGex材料和双极型器件的进展 贾宏勇，孙自敏，陈培毅， 半导体情报，36（3），1999 Si1-xGex材料具有许多优良的性质，高质量的应变外延层可以把能带工程的概念引入到IV族器件之中。外延Si1-xGex基区的异质结双极型晶体管（HBT）获得了优良的性能，并且，其具有可以同硅工艺兼容的优点，把Si1-xGex同Si集成的BiCMOS工艺取得了很大的发展，已经达到了工业应用的水平。Si1-xGex工艺的发展，电路速度的提高，也促进了微波集成电路的进步，提高了Si MMIC的应用频段。从目前的发展现状来看，已经达到了在射频（RF）通信中广泛应用的阶段。 Si1-xGex HBT技术：射频和微波领域中的新秀 贾宏勇，陈培毅，钱佩信 集成电路设计，（8），1999 本文回顾了过去几年中Si1-xGex材料和器件的发展，展示了其在微波电路中的应用。外延Si1-xGex基区的异质结双极型晶体管（HBT）以其优良的性能，并具有可以同硅工艺兼容的优点，促进了微波集成电路的进步，提高了Si MMIC的应用频段。从目前的发展现状来看，已经达到了在射频（RF）通信中广泛应用的阶段。 SiGe/Si超高真空化学气相外延工艺的研究 金晓军，贾宏勇，张进书，钱伟，韩勇，刘荣华，林惠旺，陈培毅，钱佩信 清华大学学报，39（S1），1999 为了研制出高性能的Si1-xGex/Si异质结器件，生长出适合器件应用的应变Si1-xGex材料，利用自行研制的超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）设备，进行了Si1-xGex/Si 异质外延生长工艺的研究。研究了Si1-xGex生长速度以及组份随GeH4流量的变化规律。实验结果表明：Si1-xGex生长速度随GeH4流量明显增加，且外延层中的Ge组份约为气相中GeH4浓度的2.5倍。提出了一个简单的生长动力学模型，解释了组份与流量的关系。Raman谱分析结果表明外延层为完全应变的。利用该材料制作出了性能良好的二极管。 新型硅微加速度传感器的设计与制作 李军俊,，刘理天，杨景铭 清华大学学报，39（S1），1999 本文研究了一种新型的谐振式硅微加速度传感器，对其结构和工艺进行设计，并制作出了一系列不同结构和尺寸的这种器件。该加速度传感器在制作支撑梁的同时制作了用于检测信号的谐振梁，并采用电阻热驱动、压阻桥同步检测的方法来获得信号输出。设计方案利用了压阻传感技术和体硅微加工技术，又拥有谐振原理所带来的高分辨率，高稳定性和易于与信号处理电路结合的优点，以较低的成本获得了很高的器件性能。其结构尺寸从3mm×4mm到6mm×6mm不等。 量子化效应对深亚微米MOSFET亚阈区特性的影响 马玉涛，刘理天，李志坚 清华大学学报，39（S1），1999 本文通过在三角势垒近似下求解薛定谔方程,应用费米统计建立了MOSFET亚阈区经典的和量子力学的载流子分布模型，并从器件开启的实质出发，提出了一种适用于量子力学理论的开启电压定义，进而计算了经典理论和量子力学理论下的亚阈区载流子分布和亚阈区电流，首次系统研究了量子化效应对深亚微米MOSFET亚阈区特性的影响。计算结果表明：在高衬底掺杂浓度时，量子化效应导致载流子浓度和亚阈区电流的显著降低和开启电压的升高，而对亚阈区斜率因子(S)没有明显的影响。本文的工作表明：在深亚微米MOSFET器件亚阈区特性的模型工作和器件设计中，必须考虑量子化效应的影响。 包含多子带结构的MOS器件开启电压量子力学效应修正模型 马玉涛，刘理天，李志坚 半导体学报，20（3），1999 量子力学效应对于深亚微米MOSFET特性的影响随着衬底浓度的增加和栅氧层厚度的减小而日益显著。实验结果表明：量子力学效应能够导致开启电压明显的漂移。本文通过比较薛定谔方程在抛物线势垒下的数值解和三角势垒下的解析解验证了MOS结构弱反型区量子力学效应三角势垒近似的正确性。在计算弱反型区量化层内子带结构的基础上，提出量子化有效态密度和经典有效态密度的概念，分析了载流子在子带中的分布情况，讨论了量子力学效应影响开启电压的两个因素，并在此基础上给出了开启电压的量子力学修正模型。该模型准确地揭示了量子力学效应影响开启电压的物理实质，并给出了与实验数据吻合的结果。 关于MOSFET's反型层迁移率全局一致性的讨论 马玉涛，刘理天，李志坚 IEEE Trans. ED，146（9），1999 在已有的关于MOSFET反型层载流子迁移率的全局一致特性的研究中[1-4]，涉及到沟道非均匀掺杂的情况时的结论，存在明显的不统一。通过仔细研究文献[1]中的数据和文献[2]中的参数提取方法，我们发现：这种不统一仅仅是由于文献[1]中的耗尽层电荷的定义与其他文献中不同。同时我们发现文献[2]中从实验数据提取参数的方法是不适用的。本文的研究表明，在非掺杂沟道情况下，在流子迁移率有着与均匀掺杂沟道相同的规律。 表面有效态密度及其在MOS结构建模中的应用 马玉涛，刘理天，李志坚 第十一届全国IC、硅材料学术会议论文集，1999.9，大连 本文从载流子在MOS结构反型层内的分布特性出发，提出了表面有效态密度(SLEDOS: Surface Layer Effective Density-of-States)的概念。利用表面有效态密度的概念建立了经典理论框架和量子力学框架内的电荷分布模型。该模型引入了一种高效的迭代方法，具有较高的计算效率和很强的稳定性。在模型基础上，研究了量子化效应对反型层载流子浓度和表面电势的影响。进而利用SLEDOS的概念建立了一个开启电压量子化效应的修正模型。 不同温度下量子化效应对MOS结构反型层载流子浓度的影响 马玉涛，刘理天，李志坚 第十一届全国IC、硅材料学术会议论文集，1999.9，大连 低温MOS器件因为其固有的高迁移率和优越的亚阈区特性而受到人们的重视。量子化效应对MOSFET反型层载流子浓度和开启电压等特性会产生显著影响。本文首次对不同温度下量子化效应对MOS结构反型层载流子浓度的影响作了系统研究。在较宽的温度范围内 (77K~400K) 和较大的衬底掺杂浓度范围内（1016cm-3~1018cm-3）计算了经典理论分布和量子理论分布两种情况下反型层载流子浓度与栅电压的关系。 计算结果表明: 随着温度的降低， 量子化效应对载流子浓度的影响将会明显增大。在计算中发现：在包含进量子化效应后， MOS器件依然能够保持低温时的优良的亚阈区特性。较弱的反型区域内， 量子化效应对载流子浓度的影响更大。 现代MOSFET器件开启电压比较研究 马玉涛，刘理天，李志坚 第十一届全国IC、硅材料学术会议论文集，1999.9，大连 衬底非均匀掺杂器件因为其良好的短沟效应而成为MOSFET器件结构设计中的必要结构之一。而沟道杂质分布对开启电压的影响至关重要。本文针对衬底非均匀掺杂的MOSFET器件提出了表面强反型开启电压和恒定载流子浓度开启电压的概念，并在数值求解的基础上验证了两种定义的等效性。进而系统地对衬底杂质均匀分布、台阶状分布和高斯分布三种典型的沟道掺杂结构器件的开启电压进行了比较研究。计算结构验证了台阶状杂质分布结构降低开启电压的作用，以及非均匀掺杂结构相对于均匀掺杂结构减小开启电压的特性。计算结果表明，对于台阶状分布的结构，当低掺杂区域的宽度小于耗尽层厚度时，耗尽层厚度与低掺杂区域的宽度基本无关。文中同时给出了一个适用于台阶状杂质分布的MOS器件开启电压的解析模型。 集成微流量控制系统的研究 庞江涛，刘理天，李志坚 第六届全国敏感元件与传感器学术会议，1999.10，北京 将微流量控制器件与微流量传感器以及相关的信号处理和控制电路相结合的微型化、集成化的微流量控制系统，已经成为MEMS研究的热点之一。本文介绍了集成微流量控制系统的结构与工作原理，制作工艺流程。测试结果表明系统制作工艺简单，与标准MOS工艺完全兼容，为微流量控制系统的实用化奠定了基础。 微流量泵微小流量控制特性的研究 庞江涛，刘理天，李志坚 第十一届全国IC、硅材料学术会议论文集，1999.9，大连 微流量泵是一类典型的微执行器，在医学、化学、生物工程和电子工程等领域都有着广泛的应用前景。在不同的应用中对微流量泵的流量控制有不同的要求，其中在化学分析系统的应用中要求微流量泵能够实现稳定可控的微小流量，因此，需要对微流量泵的流量控制特性进行深入研究。目前，已经研制出各种驱动方式下工作的微流量泵[1-7]，其中铝硅双金属驱动方式因为它所具有的制作工艺简单，易于与电路集成的特点，得到了较为深入的研究[8]。本文对铝硅双金属驱动微流量泵的流量控制特性，尤其是微小流量控制特性进行了研究。分析以及测试结果表明在各种控制因素中频率是一种最佳的微小流量控制方法。 一种谐振式微加速度传感器的设计与制作 李军俊，刘理天，杨景铭 第六届全国敏感元件与传感器学术会议，1999.10，北京 本文报道了一种新型体硅结构谐振式微加速度传感器的设计与制作。该器件采用电流热激振、压阻电桥同步检测的方法来获得信号输出，其敏感结构为高度对称的四角支撑形式，并在质量块四边与支撑框架之间制作了四根谐振梁用于信号检测。该加速度传感器为三层硅结构，制作全部采用硅微机械加工工艺，对制作出的芯片样品，进行了封装测试，并给出了谐振子的性能测试结果。 一种新结构的压阻式加速度传感器 李军俊，刘理天，杨景铭 第十一届全国IC、硅材料学术会议论文集，1999.9，大连 本文对压阻式加速度传感器的不同结构进行了分析比较。得出了加速度场中敏感结构的应力集中区分布，给出了优化设计的准则，并据此进行了压敏电桥的设计，提出了一种高性能的四边环绕支撑新结构，并对制作成功的加速度传感器进行了封装测试，结果表明其具有好的性能。 硅集成微型泵系统的优化设计和兼容工艺研究 庞江涛，刘理天，李志坚 清华大学学报，39（S1），1999 介绍了一种新型硅集成微型泵系统的工作原理、结构优化、电路设计、制作工艺流程和初步的实验结果。该系统为三片式结构，其中两片由体硅微机械加工技术形成，结构微止回阀门，另一片为集成铝硅双金属驱动结构。驱动结构的结构参数得到了优化设计，提高了工作效率。利用铝硅双金属驱动结构制作工艺的特点，在驱动结构上集成制作了微流量传感器和信号处理电路，实现了系统集成。该集成系统的制作工艺简单，所采用的微机械加工工艺与标准MOS工艺完全兼容。集成微型泵的外形尺寸为6mm×6mm×1mm，最大输出背压力为10 kPa，最大流量可达倒44mL/min。