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集成电路技术持续发展 原子层刻蚀（ALE）技术成行业趋势. 晶圆生产工艺主要包括热处理、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨和清洗。. 刻蚀是通过移除晶圆表面材料，在晶圆上根据光刻图案进行微观雕刻，将图形转移到晶圆表面的工艺，分为湿 ...
原子层蚀刻技术新的市场机遇. 半导体行业正在开发下一波原子层蚀刻（ALE）应用，希望能在一些新的新兴市场站稳脚跟。. ALE 是下一代蚀刻技术，可去除原子级材料，是晶圆厂里制造先进器件所需的几种工具之一。. 在 2016 年前后，因为特定应用，ALE 开始投入 ...
第五讲 非晶硅薄膜. 带硅材料硅棒要经过切片工艺得到硅片，一般硅片200~500μm，内 圆切割所用的刀片的厚度为250~300μm，所以有近50%的 硅材料被浪费，线切割线宽度一般为180 μm，也会有30% 的硅材料被浪费。. 所以人们考虑直接生长带状硅，省去切 片过程，降低 ...
通过原子层沉积（ALD）沉积的氧化物阻挡层和隧道氧化物（30 nm和7 nm）均由高 κ 介电HfO 2 组成，实现半导体通道内电场的有效调制。 最后，漏源接触点由Ti/Au（2 nm/100 nm）叠层组成，以获得具有高电荷载流子注入效率的类似欧姆的接触 图1.
扩散&离子注入重点分析.ppt,2）机械扫描：离子束固定，硅片机械移动。一般用于大电流注入机。 扫描外半径 扫描内半径 溢出杯 旋转 离子束 3.10 离子注入设备 3）平行扫描：离子束先静电扫描，然后通过一组磁铁， 调整它的角度，使其垂直注入硅片表面，从而减小阴影效应。
原子层沉积在半导体先进制程的应用 随着集成电路工艺技术的不断提高，晶体管的特征尺寸及刻蚀沟槽不断减小，沟槽及其侧壁的镀膜技术面临严峻的挑战，物理气相沉积（PVD）及化学气相沉积（CVD）工艺已经无法满足极小尺寸下良好的台阶覆盖要求，而控制纳米级别厚度的高质量超薄膜层制备也 ...
专利内容由知识产权出版社提供专利名称:用于原子层沉积的动态前体投配专利类型:发明专利发明人:普鲁肖塔姆·库马尔,阿德里安·拉沃伊,钱俊,康胡,伊时塔克·...
ALD原子层沉积设备重要文献lei114375关注原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)工艺讲解01-25
【摘要】:原子层沉积(ALD),是一种通过连续的饱和表面自限制反应沉积成膜的技术。相比传统制备技术得到的薄膜,原子层沉积制备薄膜具有优越的复形性、均匀性和致密性等特点,因...
集中性现在这10种期刊共载文占期刊刊载论文总的39.4%,每种期刊平均载文235.5是全部期刊平均载文率的11.8因此,可以将这10种期刊作为原子层沉积研究的主要...
catalyticsites.Inzeolites,ALDofaluminiumspeciesenablesthegenerationofacidcatalyticactivity.下载提醒:APP中打开可直接下载,点击下载一些原子层沉积综述...
原子层沉积技术开发者获2018年“千年技术奖”新华社赫尔辛基5月22日电(记者李骥志徐谦)芬兰技术学会22日宣布,将2018年“千年技术奖”授予芬兰物理学家图奥莫...
以下收审稿费期刊：《辽宁工程技术大学学报.自然科学版》；《东南大学学报》（哲学社会科学版）；《安徽...
首先回顾了原子层沉积(ALD)发展历史,介绍了ALD的基本工艺和ALD薄膜具有的优良特性,并与传统的薄膜制备工艺进行了对比研究.重点阐述了ALD在微电子技术,微电子机械...
自20世纪70年代原子层沉积技术及其设备由芬兰Suntola博士开发出来并成功应用于电致发光平板显示器薄膜材料的制备以来,原子层沉积技术经过四十多年的发展,无论是在沉积材料的种类还是...
嘉兴科民、无锡迈纳德是国产ALD设备公司，北京郎铭是代理剑桥仪器的，中科院山西煤化所覃勇老师自己有设计...