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光刻工艺5.1 光刻工艺与光刻胶 5.2 曝光原理 5.4 掩膜版制造 5.5 光刻技术的发展 本章内容 5.3 影响光刻质量的因素 刻蚀 Lithography：石（平，金属）版印刷术 匀胶、曝光、显影、坚膜光刻的确切含义是图形转移： Pattern Transfer ——把（掩膜版上的）图形转移到硅片上 …
光刻工艺过程. 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。. 1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）. 方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～2500C,1～2分钟，氮气保护 ...
光刻工艺流程一览图 1. 衬底预处理（Substrate Pre-treatment）：： ① 去除表面污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）以及水蒸气；② 预烘烤至 100~200℃可有助于增强光刻胶与衬底的黏附性；③ 对于亲水性衬底（如，SiO2、玻璃、贵金属膜、GaAs 等），使用增附剂（如，AR 300-80 或 …
在光刻工艺发展的过程中，除了对线条 定义的要求越来越严格，对图形缺陷的控制也越来越苛刻。. 本文的研究方向主要对以下几种典型图形缺陷的机理进行研究，并对工艺参数角 度进行试验和调整优化从而改善缺陷水平。. 1．线条剥离的问题研究与解决 在 ...
摘要 简要介绍关于光刻胶的显影过程和光刻工艺处理的一些相关内容。 引言 光刻工艺可用五个指标来衡量其效果：分辨率、灵敏度、套刻对准精度、缺陷率和硅片加工过程处理问题，其中有 3 个指标，分辨率、灵敏度和缺陷率是与涂胶显影的工艺精度有重要联系。
光刻是集成电路最重要的加工工艺，他的作用，如同金工车间中车床的作用。在整个芯片制造工艺中，几乎每个工艺的实施，都离不开光刻的技术。光刻也是制造芯片的最关键技术，他占芯片制造成本的35%以上。在如今的科…
光刻培训流程 到平台秘书处报名预约培训 理论培训 填写培训申请表 需付费人签字 上机培训 实习期内不得独立上机 操作，需相关人员陪同 实习期 正式授权使用 ?正式授权后如一年内未进行上 机操作者需从新授权使用 光刻简介 光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制
经有关的工艺分析资料表明，光刻引入的工艺缺陷几乎占整个工艺流程总缺陷的50%。 除了掩模版质量引起的缺陷外，大部分是在进行光刻工艺的操作过程中由于人流(人员的行为)、物流(操作介质)、气流(净化环境)等因素引起随机分布的点缺陷。
文题：光刻工艺中关键流程参数分析期刊：微处理机,2012,32(6):14-17.摘要：主要介绍了光刻工艺的基本流程，并分析了光刻工艺中的流程参数及影响光刻质量的主要... .new-pmd.c-abstractbr{display:none;}更多关于光刻工艺相关的期刊有哪些的问题>>
【摘要】:光刻胶剖面形貌和关键尺寸(CD)是光刻工艺的关键参数,而实际光刻工艺中受到前层次图形的影响,尤其是后端布线工艺受到前面工序高低台阶影响十分严重。文章基于光学干...
JournalofMicro-NanolithographyMEMSandMOEMS杂志是国际集成电路工艺研究领域的知名学术期刊,主要刊登关于半导体光刻、制造、封装和器件集成技术等方面的原创性学术论文。
项目共申请发明专利15项(包括国际专利5项),截止到目前,共获得授权专利10项(包括国际专利授权3项);培养了博士研究生9名,硕士研究生1名。结语光刻胶虽然在半导...
分析测试,百科网,不得不看的2月Nature杂志重磅级亮点研究,时间总是匆匆易逝,转眼间2月份即将结束,在即将过去的2月里,Nature杂志又有哪些亮点研究值得学习呢?小...
90nm与65nm光刻工艺各有千秋翁寿松【期刊名称】《半导体行业》【年(卷),期】2006(000)001【摘要】2003年下半年起英特尔等世界顶级IC公司陆续量产90nm芯片,比国...
正亚波长光刻当集成电路产业在1999年开始跨进0.18um特征尺寸阶段时,它也就进入了光刻工艺技术的亚波长时期。在此时期领先的集成电路制造商生产的器件,其特征尺寸短于光刻爆光...
作者:衍射极限附近的光刻工艺(高端集成电路制造工艺丛书)著出版社:清华大学出版社开本:16开ISBN:9786850867475出版周期:旬刊版权提供:清华大学出版社书...
【摘要】:比较了248nmKrF光刻工艺与i-Line工艺上的异同,利用工艺原理和光学原理分析了248nmKrF光刻工艺的特点。对一些光刻工艺中容易出现的问题进行了探讨,使248nmKrF光刻技...
半导体产业作为一个起源于国外的技术,很多相关的技术术语都是用英文表述。且由于很多从业者都有海外经历,或者他们习惯于用英文表述相关的工艺和技术节点,那就导致很多的英文术语被翻...