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通过第一性原理计算，他们发现在平衡态，YPdBi具有其它half-Heusler合金所不具备的特殊能带结构：其费米面附近同时存在无能隙的二次型和线性能带色散关系（图1）。基于这种特殊的的能带特性，他们预测该材料极有可能表现出与众不同的物理性能。
点击次数： 论文类型： 期刊论文 第一作者： 薛晓晚 合写作者： 杨影影,秦圆,吴爱民,王旭东,黄昊,姚曼 发表时间： 2018-12-10 发表刊物： 原子与分子物理学报 收录刊物： PKU 卷号： 36 期号： 2 页面范围： 342-348 ISSN号： 1000-0364 关键字： …
拓扑绝缘体读书笔记. 修罗短剑. 凝聚态物理. 199 人 赞同了该文章. 作者南方科技大学（塘朗男子技校）物理系大三凝聚态砖工一枚，主要方向为单晶生长和材料表面性质表征；包括扫描隧道显微镜（STM）和角分辨光电子能谱（ARPES）技术。. 根据自己读过的一些 ...
Laughlin 于1981 年运用物理学的基本原理规范 不变性对该问题进行了论述 [15] 。. 1982 年，Thouless 等人给出了整数量子霍尔效应的 拓扑绝缘体表面态调控的第一性原理研究 ne的严格证明，用 TKNN 不变量 (也称为第一陈数) 来表示n 。. 第一陈数是表征整数量子霍尔效应 ...
如利用第一性原理方法精确地计算了贝里相位对反常霍尔效应(PRL 2004)、自旋霍尔效应(PRL 2005)、反常热电效应（PRL 2006）等的影响。 在多年的研究基础上，最近他在第一性原理程序中首次实现了拓扑不变量Z2的普适计算，进而可以直接判断一个材料是否为拓扑绝缘体。
通过第一性原理计算:在不考虑自旋轨道耦合的情况下,两种化合物都是拓扑节点线半金属;当考虑自旋轨道耦合之后,节点线半金属KAu S的费米能级附近能带会打开带隙,KAu S转变为拓扑绝缘体材料;节点线半金属KAu Se发生拓扑相变成为狄拉克半金属材料。
第一性原理计算在固体物理中应用[J].中国西部科技,2015,14(6):3-4. 6 马静,雷玉玺,周剑平.拓扑绝缘体Bi_2Te_3薄膜电子结构第一性原理研究[J].宁夏大学学报：自然科学版,2016,37(2):182被引量：1
摘要 运用第一性原理方法，研究了拓扑绝缘体Bi2Se3块体和薄膜中的层堆垛对其结构、电子态、拓扑态和自旋劈裂的影响。 发现不同的堆垛会引起Bi2Se3层间的相互作用，改变系统的中心对称性。块体的ABC和AAA堆垛都具有中心对称性和相似的能带结构。 ABA ...
问题：对于算Bi2Te3薄膜的时候1-5层时候，在OPT的时候并未加入vdw_kernel.bindat得到200步都不收敛，我组陈博士建议考虑结构问题；但是我没有变化该结构继续进行SCF时，在进行SCF时候加入单独含vdw计算得出的vdw_kenerl.bindat，可以很快的完成该工作 ...
毕业论文题目:Sb2Te3拓扑绝缘体材料的第一性原理计算院(系):___数理学院___年级:___2010级___专业:___毕业论文题目:Sb2Te3拓扑绝缘体材料的第一性原理计算院(系...
权威出处:《广东建材》2012年04期集成电路应用高k材料/金属栅电极迈向大规模量产到了45纳米技术节点,高介电常数绝缘材料和金属栅电极将被...(本文共6页)阅读全文>>权威出处:《集成电路应用...
【摘要】:热电材料是一种新型能量转换材料,在温差发电或通电制冷等领域具有广泛应用。热电优值ZT值是衡量热电材料能量转换效率的关键参数,ZT值要求热电材料具有优异的电输运...
p型透明导电材料basno_3的第一性原理研究下载积分:800内容提示:物理学报ActaPhys.Sin.Vol.60,No.10(2011)107105p型透明导电材料BaSnO3的第一性...
【尖键词】:Sb2Tea;第一性原理;电子结构引言;近几年凝聚态物理学中出现的一个最新的研究领域-拓扑绝缘体,他是一种新型的量子物质态。在拓扑绝缘体中,电子能带的拓扑性质...
论文是对上述成果的一个系统性总结,证明了广域量子保密通信技术在实际应用中的条件已初步成熟。...阅读全文强电场作用下绝缘材料的破坏固体介质的电击穿理论是...
近来,英国研究中心海上可再生能源Catapult机构和科技公司GnoSysGlobal正展开一项合作,共同开发具有更大绝缘的新一代共混聚合物电缆,可提高电气连接可靠性,增加电力转换的能...
进一步针对该材料的能带结构,他们用第一性原理方法直接计算了它的Z2拓扑不变量(图3),发现Z2为1;(000),表明此材料是强拓扑绝缘体。本工作发表在《物理评论快报》(PhysicalReviewLet...
预言了一类新的强拓扑绝缘体材料系统(Bi2Se3,Bi2Te3和Sb2Te3),这是最简单的强拓扑绝缘体,便于理论模型研究,同时非常稳定且容易合成,有可能会成为实现室温低能耗的自旋电子学器件。...
近日,台积电联手台湾交通大学成功研制出了一种全球最薄、厚度只有0.7纳米的基于氮化硼的超薄二维半导体绝缘材料,可望借此进一步开发出2纳米甚至1纳米制程的芯片,该成果发表在最近的《自然》期刊上。