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近日，我院功能分子材料实验室研究生蔡令波在高灵敏度氢气气敏传感器方面取得新进展，该研究采用水热法通过调节 ph 值的手段，首次合成了具有准一维结构，高比表面的 WO 3 纳米梭，而后在其表面复合上了具有高催化性能的 p 型半导体 PdO，制备出了 n-WO 3 /p -PdO 异质结构, 此异质结构对氢气 …
金属氧化物异质结由于费米能级效应、不同组分之间的协同作用,常被用来提高电阻型金属氧化物半导体气体传感器的气敏特性。本文简述了近年来国内外金属氧化物异质结材料的类别,主要分为混合氧化物结构、层状结构、第二相粒子修饰结构、一维纳米结构和核-壳结构;重点综述了金属氧化物异质 ...
金属氧化物pn异质结对光电响应与气体敏感特性的作用. 【摘要】： 金属氧化物半导体 (MOS)因其可以直接利用太阳能,而被广泛应用于气体探测、光催化、以及能量存储与转化等领域。. 其光气敏特性就是指因光生载流子与表而化学吸附物间的交互作用而引起电导 ...
较差的气敏选择性是半导体型气体传感器应用所面临的最大挑战，构建 p-n 异质结是改善其气敏选择性的重要方法。 我们合成了 Co 3 O 4 /SnO 2 复合材料，在气敏膜中构建 p-n 异质结，获得了对 H 2 为 p 型响应，对其他还原性气体 (如 CO，NH 3，H 2 S) 为 n 型响应的高 H 2 选择性气敏器件。
本工作开创性将两种聚合物半导体进行结合,首次实现了高稳定性和高导电性的积累型高分子p-n异质结,提出了一种全新的聚合物“掺杂”方法。这一发现定义了导电聚合...
201510952421.9,康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料的制备及其应用,本发明提供了一种康乃馨花状p-n异质结硫化铜纳米材料的制备,属于纳米材料技术领域。本发明...
进一步采用Raman和XPS对多级结构Co3O4-In2O3p-n异质结的表面结构进行研究,发现Co3O4-In2O3p-n异质结材料表面具有更多的缺陷位点和表面活性氧物种。气敏测试结果,多级结构Co...
(4)溶胶一凝胶法制备了LaPbFeCoO/SNO气敏材料,由于LaPbFeCoO是p型半导体,而SnO是n型半导体,两者之间会形成p-n异质结,引起材料电阻的增大:基于气敏元件互补...宋鹏-山东...
有机无机杂化钙钛矿太阳电池以其出色的光电转换效率、灵活简单的制备工艺以及优异的材料特性掀起了研究的热潮。近十年,钙钛矿电池的认证效率由最初的3.8%迅猛发展到23.7%。目前平面...
氧化铜是p型半导体，钒酸铋是n型半导体）的结合可以在界面产生p-n异质结，
半导体材料p-n异质结气敏响应随着时代的进步,人们越来越多地被环境污染所困扰,其中包括大气污染,因此对气敏传感器的需求也应运而生,希望能够通过其监测控制大气中的...刘海燕-北京化工大学被...
这些结果证明了Te/ReS2混维异质结在高性能光电器件和传感器中的制造和应用潜力。文章以“Fabricationof1DTe/2DReS2MixedDimensionalvanderWaalsp-nHeterojunctionforHig...
孙海定研究员团队在氮化镓(GaN)半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性...通过改变半导体材料本身带隙(如组分调控等手段),还可以实现从深紫外到近...相关成果发表在国际微电子器件...
气敏元件在空气中的电阻值Rg气敏元件在被测气体中的电阻值灵敏度tres响应时间trec恢复时间布拉格衍射角angle吸附氧电荷参数ppm广西大学学位论文静电纺...