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曲率效应对PN结击穿电压的有效作用. 【摘要】： PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,其雪崩击穿电压直接决定了相关器件的工作电压范围。. 在实际制造中PN结的结面不是理想的平面,一般认为结面的曲率效应将导致结的击穿电压低于同等条件下的平行平面 ...
PN一、PN结的形成 二、PN结的单向导电性 三、PN结的击穿特性 四、PN结的电容效应 五、PN结的温度特性 PN结是构造半导体器件的基本单元。其中，最简单的晶体二极管就是由PN结构 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型 ...
穿通型pn结二极管的击穿电压-提出了一种确定穿通型二极管轻掺杂区一系列参数的方法．在大量数值计算基础上，获得了有效 ...
半导体专业实验补充silvaco器件仿真 (毕业论文) 实验2 PN 结二极管特性仿真 1、实验内容 (1)PN 结穿通二极管正向I-V 特性、反向击穿特性、反向恢复特性等仿真。. (2)结构和参数:PN 结穿通二极管的结构如图 所示,两端高掺杂,n-为耐压层,低掺杂,具体参数:器件宽度4μ m ...
栅控PN结击穿特性的理论研究及实验分析. 赵文雫. 【摘要】： 本文用实验验证了栅控PN结击穿特性的效应.得到比较完整的实验曲线,并对此进行了分析.通过求介一个特定条件下的二维泊松方程,建立了完美的V_B～V_G特性的理论模型,求得在正栅压区的分析表达式 ...
PN结的形成及其特性_应用物理学专业论文范文,应用物理学专业论文范文 目录摘要iAbstractii第一章绪论11.1研究动机与目的11.2论文内容概述1第二章半导体的基础知识22.1本征半导体22.2杂质半导体22.3半导体中的电流4第三章PN结63.1PN结的形成63 ...
超结的击穿机理与特性分析（论文）. 下载积分： 1500. 内容提示： 第31卷第3期2008年6月电子器件Chi ne∞J ournal ⅨEl ectron D evi cesV01．31J un．2008N o．3Anal …
PN结的击穿特性.ppt42页内容提供方:zhongshanmen002大小:543KB字数:约3.86千字发布时间:2019-06-28浏览人气:32下载次数:仅上传者可见收藏次数:0...
下面关于PN结的反向击穿特性,描述正确的是:()。A、PN结有齐纳击穿和雪崩击穿两种电击穿。电击穿后会产生大量的电子-空穴对,使反向击穿电流激增B、高浓度的掺入杂质且耗尽层...
PN结特性及击穿特性_物理_自然科学_专业资料。PN结的击穿特性:当反向电压增大到一定值时,PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增加,这种现象称为PN结的击穿,反向电...
意思是加电压的时候N比P高？那是反向偏置，蓝圈的地方就是反向击穿。纵轴是log坐标吗？正向那边太小了...
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述PN结的反向击穿特性。点击查看答案进入题库练习您可能感兴趣的试卷你可能感兴趣的试题1由于PN结交界面两边存在电位差,...
摘要针对AlGaInPDH-LED的pn结特性进行了理论分析,得出电流密度J与电压V的关系。通过Matlab进行模拟分析,结果表明:当温度(300K)一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线...
通过对半导体PN结内场强E的讨论,指出了电磁学中的一个结论表述不够全面,并从理论上进一步加以证明,给出了完整的结论.著录项来源《湖北理工学院学报》|2007年第002期|62-6...
摘要:PN结及其特性详细介绍1.PN结的形成在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:扩散...
具有场板和限制环的P+N二极管击穿特性的研究王荣;尚士奇;等【期刊名称】《微处理机》【年(卷),期】1995(000)001【摘要】本文从实验的角度研究了具有场板...
浮体n型沟道器件关态击穿电压由5·2升高到6·7V,而H型栅体接触n型沟道器件关态击穿电压从11·9降低到9V.通过测量寄生双极晶体管静态增益和漏体pn结击穿电压,对部分耗尽绝缘体...