半导体 什么是半导体呢？顾名思义：导电性能介于导体与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）．物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与金属和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。 半导体的发现实际上可以追溯到很久以前，1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩——四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的有机物半导体等。本征半导体(intrinsic semiconductor) 没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带(conduction band)，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴(hole)，导带中的电子和价带中的空穴合称为电子 - 空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子(free carrier)，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，使电子-空穴对消失，称为复合(recombination)。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子 - 空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。杂质半导体(extrinsic semiconductor) 半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为n型半导体和p型半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质，相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级-施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为n型半导体。由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对，所以在n型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。相应地，能提供空穴载流子的杂质称为受主(acceptor)杂质，相应能级称为受主能级，位于禁带下方靠近价带顶附近。例如在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是受主能级。由于受主能级靠近价带顶，价带中的电子很容易激发到受主能级上填补这个空位，使受主杂质原子成为负电中心。同时价带中由于电离出一个电子而留下一个空位，形成自由的空穴载流子，这一过程所需电离能比本征半导体情形下产生电子空穴对要小得多。因此这时空穴是多数载流子，杂质半导体主要靠空穴导电，即空穴导电型，称为p型半导体。在p型半导体中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。
电路故障是指电路连接完成通电时，整个电路或部分电路不能工作。分析电路故障可以从电路中是否有电流入手，若电路或某一支路中无电流，则电路是开路；若电路中有电流，则是通路，但既存在故障，则电路中就有部分电路短路；而整个电路被短路时电路中的电流极大，将出现电流表打表现象，同时整体电路短路故障一般只出现在并联电路中。电流流过的回路叫做电路。最简单的电路由电源负载和导线、开关等元件组成按一定方式联接起来，为电荷流通提供了路径的总体；电路处处连通叫做通路。只有通路，电路中才有电流通过。电路某一处断开叫做断路或者开路。电路某一部分的两端直接接通，使这部分的电压变成零，叫做短路。
分为非破坏性和破坏性，非破坏性为电测，台架测试，全功能测试，SAM，X-ray等。破坏性是开盖后的物理分析包括deprocess,探针测试
直击前线科研动态
尽在 芯片揭秘 科研前线
在第27届 IEEE IPCF 会议上，IMEC发表了与欧洲名校KU Leuven和TU Wien的联合研究成果，其团队拓展了HCD（热载流子退化）效应的研究模型，综合考虑了HCD效应与自热效应两种现象之间的关联和相互影响，并在对纳米线晶体管的实测中获得了验证。
在先进集成电路器件中，器件尺寸的缩小幅度大于工作电压和偏置应力电压的减小幅度，从而造成高电场；除此之外，晶体管的通道长度与载流子的平均自由程相当或更短，载流子因散射耗散的能量随之大减。综上因素因素会导致载流子的大幅加速，进而导致显著的 热载流子退化* （Hot-carrier degradation，以下简称HCD）。在 纳米线（Nanowire） 晶体管器件和FinFET等10nm和亚10nm尺寸的集成电路器件中，HCD效应因自热效应（Self-Heating Effect）而进一步加剧，被认为是最为损害器件可靠性的问题。
而与HCD密切相关的 偏置温度不稳定性 （Bias Temperature Instability，以下简称BTI）现象，在晶体管中相比HCD破坏性要小。在近年的研究中，控制和缓解BTI的技术手段被提出并得到了验证，这些工作大多基于两点，一是通过 调整功函数 将缺陷带转移到载流子无法达到的能量区域，二是在 SiO层 和 high-k 层之间引入偶极子。然而，到目前为止，尚无能有效减缓HCD效应的手段，更好地了解导致HCD的物理机制将有助于 探索 减缓HCD效应的手段。
自热增强了HCD效应，一个精确的HCD预测模型应该考虑自热效应的影响，但目前模拟自热对HCD影响的模型都基于实验经验和孤立猜想和假设，存在片面性。为加深对HCD诱发机制的理解，建立更接近电路实际工作条件的研究模型， IMEC 与 鲁汶大学 （ KU Leuven ）和 维也纳工业大学 （ TU Wien ）联合实验团队提出并验证了新的物理模型。相关成果以“ Physical Modeling the Impact of Self-Heating on Hot-Carrier Degradation in pNWFETs ”为题发表于2020年举办的第27届IEEE国际集成电路物理与失效分析会议（IPFA, International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits），来自IMEC及两所欧洲名校的Stanislav Tyaginov, Alexander Makarov等10名研究成员为本文共同作者，项目受到“ 欧盟地平线2020 ”科研规划下的“ 玛丽居里学者 ”项目资助。
*热载流子退化 ：Hot-carrier degradation，也称热载流子降解，指器件内部的部分载流子受外部影响成为高能热载流子。这些热载流子会打断Si-H 键从而产生界面态，最终导致载流子平均自由时间减少，降低电子迁移率，从而使器件的源漏电流减小。器件关键电学特性的退化随着工作时间的增长而越来越明显，当退化量大于一定程度时便会引起器件乃至整个芯片的失效，带来严重的可靠性问题。
pNWFETs ：p型纳米线（nanowire）场效应晶体管，GAA环栅晶体管器件结构的一种。
研究团队提出并验证了一个基于物理学基本原理的自热与热载流子退化（HCD）的建模框架。研究表明，自热对HCD的影响因素是多方面叠加的：一是分布式温度下载流子输运特性，二是温度对化学键振动寿命的依赖关系，三是键解离的热贡献。为了求解自热效应引起的晶格温度变化，团队综合求解了漂移-扩散方程和热流两公式；而温度的非均匀分布对载流子输运的影响表明了使载流子能量分布函数趋向高能量区。本研究团队所扩展得到的框架能够精确再现实验环境下pNWFETs的热载流子退化过程，同时也发现，如果忽视自热效应的影响，那么模型计算所得的HCD效应的严重程度将会大大低于实际观测值。
*Minimos-NT ，是一款通用型半导体器件模拟软件，可提供任意二维和三维器件几何形状的稳态、瞬态和小信号分析。该软件由维也纳工业大学微电子研究所自主研发，用于集成电路器件的物理特性研究。
IMEC与知名高校KU Leuven和TU Wien通过建立创新物理模型，深入研究纳米线晶体管的自热效应与热载流子退化物理机制间的联系，Nanowire晶体管即将进入量产阶段，预计该成果将会对于未来纳米线晶体管的良率与器件可靠性提升有重要意义，基于该成果的拓展性研发也将会惠及未来Nanosheet和Forksheet器件的工艺研发。
团队带头人Stanislav Tyaginov博士出生于俄罗斯圣彼得堡，于2006年获物理学博士学位，IIRW和IRPS的技术计划委员会成员。他曾主导建设TU Wien微电子研究所的HCD模型开发小组，在科学期刊和会议论文集上发表论文100余篇。目前Tyaginov博士的研究领域包括：晶体管物理模型仿真、基于Si和碳化硅晶体管中的HCD效应研究、BTI和经时击穿的建模以及MOS器件中的隧穿现象。
IMEC，全称：Interuniversity Microelectronics Centre，即比利时微电子研究中心，是一家成立于 1984 年的 科技 研发中心， 总部设在比利时鲁汶。IMEC 的战略定位为纳米电子和数字技术领域全球领先的前瞻性重大创新中心，IMEC 从 2004 年起参与了从45nm到7nm的芯片前沿技术的研发。
维也纳工业大学（TU Wien），前身是维也纳帝国皇家理工学院，是一所作为奥匈帝国皇家学院的 科技 学院建立起来的综合性大学，是德语国家中的第一所 科技 型学府大学。在教学领域和研究领域都得到国际和国内的认可，是欧洲顶尖学府之一。
鲁汶大学（KU Leuven），是比利时最高学府、世界百强名校、欧洲十大名校之一，集成电路相关学科在欧洲名列前茅，与同在比利时的IMEC在集成电路技术研发方面有着深入、全面的合作。
论文原文链接：
好。1、工程失效分析这个期刊鼓励发表与工程材料的结构、性能和行为有关的论文，特别是那些还涉及材料参数详细应用于工程结构、组件和设计问题的论文。2、工程失效分析这个期刊重点放在材料的机械性能及其受结构、工艺和环境影响时的行为。金属、聚合物、陶瓷和天然材料都包括在内，应强调这些材料在实际工程情况中的应用。还鼓励使用基于案例研究的方法。
三区。工程失效分析是工程分析部门的失误导致的，因此是三区的sci。SCI意为串行通信接口，是相对于并行通信的，是串行通信技术的一种总称。
《机械设计》投稿须知 一、本刊主要栏目 1.设计领域综述(含动态、方针政策、随笔等)；2.专题论文(含设计方法、CAD、模块化设计、有限元、可靠性、失效分析、优化设计、并行设计、疲劳设计、反求工程、价值工程、人机工程、智能工程、专家系统、机构学、机械动力学、摩擦学、结构、传动、零部件、机电一体化等)；3.应用技术与实例分析(含专题论文中各种设计技术，在实际应用中的实例分析与经验)；4.新产品介绍(为单位及个人介绍新产品)；5.小改小革(小创造、小改革、小发明)；6.学习园地(讲座、标准、书评、名词解释等)。 二、来稿须知 来稿一式二份为打字稿或用方格稿纸誊写(最好是激光打印稿)；稿件用第三人称书写；字迹清楚，标点符号正确，文字符合“简化字总表”；外文字母要写清楚，易混字母请用铅笔加注；上、下角标位置标注要清晰；插图按工程图标准绘制，插图要简明、清晰、说明问题，去除不必要的多余部分。其大小一般比出版图大一倍，在正文中的位置用三行空格画一框线留空，图框下标注图号(用阿拉伯数字)、图题；图注放在图题上方。文中所用单位为国家法定计量单位 GB3100-93)，物理量符号应符合GB3101-93，数字用法符合GB／T15835-1995。来稿一般请控制在5 000字以内。各种基金资助项目论文，请标明项目名称与编号。稿酬35元／版(本刊所付稿酬包含刊物内容上网服务报酬)。来稿收到后，我刊立即通知作者稿件编号，半年内通知作者审查结果。来稿请自留底稿，稿件如不录用，本刊恕不退稿。稿件如被录用，必须提供与稿件内容完全相同的3″磁盘。 文章按以下顺序抄写：1 题名2 作者姓名3 作者工作单位、邮编、Email地址4 中、英文摘要(内容包含a.与文章同等量之主要信息，说明研究工作的目的、方法、结果、结论。200字右左为宜；b.题名、全拼音作者姓名、单位名称和关键词等)5 正文6 参考文献7 基金项目要写明项目名称，并在圆括号内注明其项目编号8 第一作者简介9 标明参考文献类型(以字母方式标识)：专著[M]；论文集[C];期刊文章[J]；学位论文[D]；报导[R]；标准[S]；专利[P]10 中图分类号 文章正文层次书写格式：1 ×××××(编号从1开始，一律用阿拉伯数字)1.1 ×××××1.1.1 ××××× 参考文献书写格式(GB7714-87)：1.专著:[顺序号]作者(姓在前，名在后).书名[参考文献类型].其他作者(如译者).版本(第1版不标注).出版地：出版者，出版年：起始页码.2.连续出版物:[顺序号]作者.题名 [参考文献类型].刊名，出版年，卷号(期号)：起止页码.3.论文集： [顺序号]作者.题名[参考文献类型].见(英文用In)：主编.文集名.出版地：出版者，出版年:起止页码.4.学位论文:[顺序号]作者.题名:[××学位论文][参考文献类型].地点：学位授予单位，年份：起止页码.5.专利:[顺序号]专利申请者.题名[参考文献类型].国别，专利文献种类，专利号.出版日期.6.技术标准:[顺序号]起草责任者(可略).标准代号标准顺序号—发布年标准名称[参考文献类型].出版地(可略):出版者(可略)，出版年(可略).
工程失效分析
《机械设计》投稿须知 一、本刊主要栏目 1.设计领域综述(含动态、方针政策、随笔等)；2.专题论文(含设计方法、CAD、模块化设计、有限元、可靠性、失效分析、优化设计、并行设计、疲劳设计、反求工程、价值工程、人机工程、智能工程、专家系统、机构学、机械动力学、摩擦学、结构、传动、零部件、机电一体化等)；3.应用技术与实例分析(含专题论文中各种设计技术，在实际应用中的实例分析与经验)；4.新产品介绍(为单位及个人介绍新产品)；5.小改小革(小创造、小改革、小发明)；6.学习园地(讲座、标准、书评、名词解释等)。 二、来稿须知 来稿一式二份为打字稿或用方格稿纸誊写(最好是激光打印稿)；稿件用第三人称书写；字迹清楚，标点符号正确，文字符合“简化字总表”；外文字母要写清楚，易混字母请用铅笔加注；上、下角标位置标注要清晰；插图按工程图标准绘制，插图要简明、清晰、说明问题，去除不必要的多余部分。其大小一般比出版图大一倍，在正文中的位置用三行空格画一框线留空，图框下标注图号(用阿拉伯数字)、图题；图注放在图题上方。文中所用单位为国家法定计量单位 GB3100-93)，物理量符号应符合GB3101-93，数字用法符合GB／T15835-1995。来稿一般请控制在5 000字以内。各种基金资助项目论文，请标明项目名称与编号。稿酬35元／版(本刊所付稿酬包含刊物内容上网服务报酬)。来稿收到后，我刊立即通知作者稿件编号，半年内通知作者审查结果。来稿请自留底稿，稿件如不录用，本刊恕不退稿。稿件如被录用，必须提供与稿件内容完全相同的3″磁盘。 文章按以下顺序抄写：1 题名2 作者姓名3 作者工作单位、邮编、Email地址4 中、英文摘要(内容包含a.与文章同等量之主要信息，说明研究工作的目的、方法、结果、结论。200字右左为宜；b.题名、全拼音作者姓名、单位名称和关键词等)5 正文6 参考文献7 基金项目要写明项目名称，并在圆括号内注明其项目编号8 第一作者简介9 标明参考文献类型(以字母方式标识)：专著[M]；论文集[C];期刊文章[J]；学位论文[D]；报导[R]；标准[S]；专利[P]10 中图分类号 文章正文层次书写格式：1 ×××××(编号从1开始，一律用阿拉伯数字)1.1 ×××××1.1.1 ××××× 参考文献书写格式(GB7714-87)：1.专著:[顺序号]作者(姓在前，名在后).书名[参考文献类型].其他作者(如译者).版本(第1版不标注).出版地：出版者，出版年：起始页码.2.连续出版物:[顺序号]作者.题名 [参考文献类型].刊名，出版年，卷号(期号)：起止页码.3.论文集： [顺序号]作者.题名[参考文献类型].见(英文用In)：主编.文集名.出版地：出版者，出版年:起止页码.4.学位论文:[顺序号]作者.题名:[××学位论文][参考文献类型].地点：学位授予单位，年份：起止页码.5.专利:[顺序号]专利申请者.题名[参考文献类型].国别，专利文献种类，专利号.出版日期.6.技术标准:[顺序号]起草责任者(可略).标准代号标准顺序号—发布年标准名称[参考文献类型].出版地(可略):出版者(可略)，出版年(可略).
好。1、工程失效分析这个期刊鼓励发表与工程材料的结构、性能和行为有关的论文，特别是那些还涉及材料参数详细应用于工程结构、组件和设计问题的论文。2、工程失效分析这个期刊重点放在材料的机械性能及其受结构、工艺和环境影响时的行为。金属、聚合物、陶瓷和天然材料都包括在内，应强调这些材料在实际工程情况中的应用。还鼓励使用基于案例研究的方法。
《中国集成电路》、《郑州工业大学学报》。中国集成电路杂志《中国集成电路》杂志是由工信部主管，中国半导体行业协会主办的全国性专业电子刊物，因此是混合集成电路可投稿的核心期刊；郑州大学学报工学版创刊于1980年，原名《郑州工业大学学报》，是郑州大学主办的国内外公开发行的综合性学术期刊，双月刊，混合集成电路可以投稿至这个期刊。
《中国集成电路》杂志。是由工信部主管，中国半导体行业协会主办的全国性专业电子刊物。自1992年创刊以来，一直致力于IC市场应用分析，混合集成电路、介绍先进的IC设计、制造、封装工艺和技术以及先进的组织形式和管理经验。在业界形成了一定影响和良好口碑。
集成电路应用杂志。1、集成电路应用杂志社10年期刊征稿经验，周期短，见刊快，赠样刊，快速出录用。2、集成电路应用杂志立足于中国电子信息产业，面向电子系统制造商与方案设计公司，致力于满足技术管理人员对新技术、新方案以及市场信息的需求。
朋友你好，现在有稿费的媒体已经少如凤毛麟角了。我每年都会在全国100多家报刊、网站发表文章上千篇（次），但收到稿件的媒体也就《人民公安报》《中国安全生产报》，其他的几十家都统统没有稿费的。至于你所说的媒体有没有稿费，由于没有这样的经历，不敢枉说，但愿会有。祝你成功！
南昌大学 是211. 南昌航空大学不是。麻烦请及时采纳回答,谢谢！
《机械设计》投稿须知 一、本刊主要栏目 1.设计领域综述(含动态、方针政策、随笔等)；2.专题论文(含设计方法、CAD、模块化设计、有限元、可靠性、失效分析、优化设计、并行设计、疲劳设计、反求工程、价值工程、人机工程、智能工程、专家系统、机构学、机械动力学、摩擦学、结构、传动、零部件、机电一体化等)；3.应用技术与实例分析(含专题论文中各种设计技术，在实际应用中的实例分析与经验)；4.新产品介绍(为单位及个人介绍新产品)；5.小改小革(小创造、小改革、小发明)；6.学习园地(讲座、标准、书评、名词解释等)。 二、来稿须知 来稿一式二份为打字稿或用方格稿纸誊写(最好是激光打印稿)；稿件用第三人称书写；字迹清楚，标点符号正确，文字符合“简化字总表”；外文字母要写清楚，易混字母请用铅笔加注；上、下角标位置标注要清晰；插图按工程图标准绘制，插图要简明、清晰、说明问题，去除不必要的多余部分。其大小一般比出版图大一倍，在正文中的位置用三行空格画一框线留空，图框下标注图号(用阿拉伯数字)、图题；图注放在图题上方。文中所用单位为国家法定计量单位 GB3100-93)，物理量符号应符合GB3101-93，数字用法符合GB／T15835-1995。来稿一般请控制在5 000字以内。各种基金资助项目论文，请标明项目名称与编号。稿酬35元／版(本刊所付稿酬包含刊物内容上网服务报酬)。来稿收到后，我刊立即通知作者稿件编号，半年内通知作者审查结果。来稿请自留底稿，稿件如不录用，本刊恕不退稿。稿件如被录用，必须提供与稿件内容完全相同的3″磁盘。 文章按以下顺序抄写：1 题名2 作者姓名3 作者工作单位、邮编、Email地址4 中、英文摘要(内容包含a.与文章同等量之主要信息，说明研究工作的目的、方法、结果、结论。200字右左为宜；b.题名、全拼音作者姓名、单位名称和关键词等)5 正文6 参考文献7 基金项目要写明项目名称，并在圆括号内注明其项目编号8 第一作者简介9 标明参考文献类型(以字母方式标识)：专著[M]；论文集[C];期刊文章[J]；学位论文[D]；报导[R]；标准[S]；专利[P]10 中图分类号 文章正文层次书写格式：1 ×××××(编号从1开始，一律用阿拉伯数字)1.1 ×××××1.1.1 ××××× 参考文献书写格式(GB7714-87)：1.专著:[顺序号]作者(姓在前，名在后).书名[参考文献类型].其他作者(如译者).版本(第1版不标注).出版地：出版者，出版年：起始页码.2.连续出版物:[顺序号]作者.题名 [参考文献类型].刊名，出版年，卷号(期号)：起止页码.3.论文集： [顺序号]作者.题名[参考文献类型].见(英文用In)：主编.文集名.出版地：出版者，出版年:起止页码.4.学位论文:[顺序号]作者.题名:[××学位论文][参考文献类型].地点：学位授予单位，年份：起止页码.5.专利:[顺序号]专利申请者.题名[参考文献类型].国别，专利文献种类，专利号.出版日期.6.技术标准:[顺序号]起草责任者(可略).标准代号标准顺序号—发布年标准名称[参考文献类型].出版地(可略):出版者(可略)，出版年(可略).
南昌航空大学不是211工程高校，学校是一所以工为主，工、理、文、管、经、法、教、艺等学科协调发展的多科性大学，是江西省人民政府与国家国防科技工业局共建高校，教育部卓越工程师教育培养计划实施高校，中国政府奖学金来华留学生接收院校，江西省一流学科建设高校，具有推荐优秀应届本科毕业生免试攻读硕士研究生资格。
学校肇始于1952年创办的汉口航空工业学校，1953年改名为中南第一工业学校。1954年迁址南昌，1956年改名为南昌航空工业学校。1978年更名为南昌航空工业学院。2007年更名为南昌航空大学。
学校秉承“日新自强、知行合一”的校训、“勤奋、文明、求实、创新”的校风和“团结自强、拼搏向上”的昌航精神,坚持“立足江西、面向全国,服务地方、服务国防”的服务面向,以航空国防需求为导向,积极服务国家航空工业和江西地方经济社会发展,学校已经初步建成工科优势明显、航空特色鲜明的本科高校
学校历史
1951年9月17日—22日，航空工业管理局在沈阳召开第一次航空工厂厂长会议,确定立即兴办航空教育，研究了 《中级技术人员教育计划》 和 《初级技术人员教育计划》，决定创建南京、 北京、 哈尔滨和汉口4所航空工业专科学校，并由各航空工厂开办技工训练班；12月，航空工业管理局决定将武汉311厂改建为汉口航空工业专科学校，并派干部到厂负责学校筹建工作。
1952年3月15日, 学校正式启用汉口航空工业学校印章，标志着汉口航空工业学校正式成立；10月，第二机械工业部第四局指示，学校正式改名为汉口航空工业学校。
1953年1月30日， 航空工业管理局通知学校，正式将学校从汉口迁至南昌昌，并指示学校立即进行筹备， 派人前往南昌选择校址；2月21日，第二机械工业部第四局决定各校更改校名，汉口航空工业学校改为武汉第六工业学校；9月17日，第二机械工业部第四局决定， 各航校和技工学校启用新的统一编号和校名，汉口航空工业学校改名为中南第一工业学校，简称“中南一校”。
1954年8月， 学校从武汉迁到南昌。
1955年6月，第二机械工业部决定中专学校更改校名，中南第一工业学校拟改为南昌工业学校；9月12日，第二机械工业部办公厅通知，部属各校从9月10日起改称新校名， 中南第一工业学校正式改称南昌工业学校。
1956年2月， 学校先后接到第二机械工业部第四局和第二机械工业部的通知和命令，将南昌工业学校改名为南昌航空工业学校；3月16日，正式启用南昌航空工业学校新校名。
1965年8月， 南昌航空工业专科学校的名称撤销，学校仍称南昌航空工业学校。
1969年6月10日，第三机械工业部军管会下达通知，将南昌航空工业学校改为国营赣江机械厂，代号为南昌 502 厂。
1978年4月1日， 经国务院批复，恢复和增设55所高等院校，其中南昌航空工业学校改建为 “南昌航空工业学院”。5月29日，第三机械工业部转发教育部 《关于同意恢复和增设普通高等学校的通知》，正式决定增设南昌航空工业学院，以南昌航空工业学校为基础改建。
1980年9月， 学院开办了电视大学无线电电子技术专业教学班；12月28日，经第三机械工业部批准， 成立 “南昌航空工业学院夜大学”。
2017年12月，入选江西省一流学科建设高校。
师资力量
截至2020年12月，学校有教职工近2100人，其中专任教师近1600人；具有博士和硕士学位教师占专任教师总数的92%；有双职双聘中国科学院院士和中国工程院院士7人；有国家杰出青年科学基金获得者、国家优秀青年科学基金获得者、国家百千万人才工程人选、中国科学院“百人计划”等国家级人才42人次；科技部中青年科技创新领军人才、教育部“新世纪优秀人才支持计划”、江西省“双千计划”人才、江西省“赣鄱英才555工程”人选、“井冈学者”特聘教授、“青年井冈学者奖励计划”人选、江西省百千万人才工程人选、江西省主要学术与学科带头人、江西省文化名家等省部级人才334人；拥有国家级教学团队1个。
学科建设
截至2022年3月，学校设有17个专业学院，有3个管理型学院，以及1个独立学院科技学院，有70个本科专业；6个国家级一流专业，5个国家级特色专业，1个国家级综合改革试点专业，20个江西省一流专业，8个省级特色专业，6个省级综合改革试点专业；1个国家级新工科研究与实践项目；获批6个国家级卓越工程师教育培养计划试点专业，6个江西省卓越工程师教育培养计划试点专业；拥有国家精品课程1门、国家级双语教学示范课程1门、国家级一流课程3门。
特色专业如下：
国家级一流专业：环境工程、材料成型及控制工程、焊接技术与工程、飞行器动力工程、软件工程、光电信息科学与工程
国家级特色专业：金属材料工程、测控技术与仪器、软件工程、电子信息工程、材料成型及控制工程
国家级综合改革试点专业：飞行器动力工程
国家级卓越工程师教育培养计划试点专业：焊接技术与工程、测试技术与仪器、材料成型及控制工程、环境工程、金属材料工程、自动化
江西省一流专业：经济学、英语、应用化学、机械设计制造及其自动化、测控技术与仪器、材料化学、金属材料工程、高分子材料与工程、电子信息工程、电子科学与技术、自动化、计算机科学与技术、网络工程、土木工程、飞行器设计与工程、飞行器制造工程、工业工程、电子商务、表演、动画
江西省特色专业：焊接技术与工程、电子科学与技术、英语、应用化学、环境工程、自动化、飞行器制造工程、计算机科学与技术
江西省综合改革试点专业：应用化学、新闻学、动画、工程管理等
江西省卓越工程师教育培养计划试点专业：焊接技术与工程、测试技术与仪器、环境工程、金属材料工程、软件工程、自动化
江西省一流学科：环境科学与工程、航空宇航科学与技术、仪器科学与技术
学生成绩
截至2020年12月，近五年，学校学生共获省部级以上科技竞赛奖4500余项，受理专利651件、授权359件，发表论文1000余篇，累计获得“国家级、省级大学生创新创业训练计划”项目195项；曾获“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛一等奖、“互联网+”大学生创新创业大赛银奖、中国国际飞行器设计挑战赛总决赛暨科研类全国航空航天模型锦标赛一等奖、全国大学生光电设计竞赛全国一等奖金奖、全国大学生机器人大赛RomoMaster机甲大师赛全国赛总冠军、全国大学生数学建模竞赛一等奖、“西门子杯”中国智能制造挑战赛特等奖、ACM国际大学生程序设计大赛一等奖、中国教育机器人大赛一等奖、全国大学生电子商务“创新、创意及创业”挑战赛一等奖等荣誉。“天宫开悟”项目获“青年红色筑梦之旅”实践活动新锐创意奖；大学生科技创新团队“环境光催化及资源循环利用团队”获“小平科技创新团队”称号；大学生创新创业基地获批江西省第二批大众创业万众创新示范基地，并确定为全国“大学生KAB创业教育基地”。
学术科研
截至2020年12月，学校拥有1个博士后科研工作站、1个博士后创新实践基地；1个国家级工程实验室，1个国家级工程研究中心，30个省（部）级重点实验室（研究中心）和省级重点基地。
截至2020年12月，学校近年来获国家技术发明奖二等奖1项，国家科技进步奖1项（参与），何梁何利基金科学与技术创新奖1项，全国创新争先奖1项以及省部级社科成果奖20余项、省部级科技成果奖80多项；在中国国内外学术刊物上发表论文5000多篇，出版论著180余部；获批国家自然科学基金重点项目、国家杰出青年基金、国家优秀青年基金、其他类别国家自然科学基金及国家重点研发计划等250余项，国家社科基金重大项目1项以及其他国家级社科项目近20项；承担江西省科技重大专项、江西省社科重大招标项目、行业科技项目等省部级科研项目800多项。
学术期刊
《南昌航空大学学报（自然科学版）》是由南昌航空大学主办的综合性自然科学类学术季刊；先后被《中国科技期刊引证报告（CJCR）》《中国核心期刊（遴选）数据库》《中国科技期刊数据库（维普）》《中国科技论文统计与分析用刊》《中国学术期刊（光盘版）》全文收录，同时还是《中国学术期刊综合评价数据库》和《中国科学引文数据库》的来源期刊，2007年被《美国化学文摘（CA）》全文收录，2009年入选中国科技核心期刊；在2007年进行的首次全省学报评估中，被评为“优良学报”。
《南昌航空大学学报（社会科学版）》是经国家新闻出版总署批准、由南昌航空大学主办的具有理论性和学术性的综合刊物，设有政治、哲学、经济、管理、文学、史学、法律、教育等栏目；已被众多数据库全文收录期刊收录，如中国核心期刊（遴选）数据库全文收录期刊、中国学术期刊（光盘版）全文收录期刊、中国科技期刊数据库（维普）全文收录期刊、中国学术期刊综合评价数据库来源期刊、中国人民大学书报资料中心期刊电子版全文收录期刊和中国台湾华艺（airiti）电子期刊数据库全文收录期刊，中国人文社会科学引文数据库收录期刊；2015年3月，被评为“RCCSE中国核心学术期刊”。
《失效分析与预防》是由江西省教育厅主管，南昌航空大学和北京航空材料研究院主办，无损检测技术教育部重点实验室、中国航空工业集团公司失效分析中心、中国航空学会失效分析专业分会承办的金属学与金属工艺类技术刊物，主要刊登与失效分析与预防有关的学术论文；被中国国内外多家数据库收录，其中包括权威的检索机构美国《剑桥科学文摘》（CSA）、美国《乌利希期刊指南》（UPD）、波兰《哥白尼索引》(Index Copernicus)、《中国期刊全文数据库》（CJFD），《中国科学引文数据库》（CSCD）等数据库和检索机构；是中国科技期刊引证报告（CJCR）、中国学术期刊综合引证报告的统计源期刊，并与中国知网、万方数据、维普资讯、台湾华艺数位等网络出版机构长期合作；在2010年江西省科技期刊评估中被评为“优秀期刊”。
合作交流
截至2020年12月，学校与美国、英国、澳大利亚、乌克兰等20个国家的70多所高校建立了稳定的校际合作关系；与英国、澳大利亚、美国、爱尔兰高校共同举办本科层次的中外合作办学项目，在校中外项目生突破1600人。学校是“中国政府奖学金”来华留学生培养院校，开设了航空工程（含航空维修）、工商管理、土木工程和计算机技术等4个本科全英文授课专业和多个研究生层次中英文授课专业；开展学生出国（境）交流工作，年均出境交流学生300余人，其中公派出国（境）100余人，先后获批国家公派《赴乌克兰专业人才培养计划》《优秀本科生交流计划》《国家建设高水平公派研究生项目》《赴俄白乌专业人才培养计划》《促进与俄白乌国际合作培养项目》《与匈牙利政府互换奖学金计划》等出国留学资助项目。
211工程 是指面向21世纪、重点建设100所左右的高等学校和一批重点学科的建设工程。于1995年11月经国务院批准后正式启动。
“211工程”是新中国成立以来由国家立项在高等教育领域进行的重点建设工作，是中国政府实施“科教兴国”战略的重大举措、中华民族面对世纪之交的中国国内外形势而作出的发展高等教育的重大决策。