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静心观海一
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VV爱吃007

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根据2017年中国集成电路产业分析,我国在移动通信和计算机领域的国产芯片,占有比例接近为零,就算到了2020年占有率有所上升,但也很低,我国在芯片领域的发展落后,主要原因是因为缺少先进的光刻机,那何为光刻机呢,简单来说,光刻机是制造芯片的核心装备,它的工作原理有点像相片冲印,需要把集成电路的精细图形,通过光线曝光印到硅片上形成芯片,但一台光刻机的造价十分昂贵,通常在三千万至五亿美元之间,光刻机的优劣直接决定了芯片的性能,而世界上只有少数几个国家拥有高端的光刻机,我国于2018年研发的光刻机,光刻分辨率才22纳米,继续完善后也只能达到10纳米,而在芯片领域发达的国家,早就已经在制造7纳米、5纳米的芯片了。 阿斯麦是世界上能生产7纳米芯片的最大半导体供应商,我国中芯国际在2018年就进口了该类型的光刻机,但因为美国的打压,光刻机迟迟未到,中国制造芯片之路仿佛被人扼住了脖颈,没了芯片我国高 科技 的发展将会受到极大的影响,大到航天航空领域,小到人们手上的手机,就比如说华为基于5纳米工艺打造的,麒麟9000芯片可能成为绝版,而缺少芯片带来的恶劣后果,直接影响了我们的日常生活和国家 科技 发展,不过就算是这样,中国也有无数科研人员正在努力,让中国芯片绕开美国的封锁,比如正在研究的光子芯片的技术,让中国就算没有光刻机,也可以制造出高端的芯片,其中有一位年轻有为的青年科研家,他所带领的团队研究的光子芯片,已初有成效,为中国缺芯的局面带来曙光,他就是麻省理工学院毕业的沈亦晨,今天就和大家聊聊沈亦晨其人,以及他又是怎么用光子芯片打破美国封锁,让中国缺芯局面可解的。 沈亦晨出生在浙江杭州,从小便聪明伶俐,对电器十分感兴趣,喜欢将家里的小电器拆了又装,观察里面的构造,而这也得益于他父亲的影响,沈亦晨的父亲是一位电力工程师,当别的孩子都在玩玩具车时,沈亦晨的玩具就是父亲工作时的各种器材设备,当别的孩子在看漫画书时,沈亦晨看的书就是父亲书柜里那些晦涩难懂的电路图,和电力物理书,在父亲的耳濡目染下,沈亦晨对这一行业拥有着强烈的好奇心,他喜欢去学习去 探索 ,读完高中之后,沈亦晨就前往新加坡和美国,在新加坡南洋理工大学和美国霍普金斯大学,攻读物理专业,沈亦晨就像一条游进了宽阔大海的鱼,如鱼得水,他的知识系统迅速被扩展,并且在纳米光子学领域增长了学识,为后来的光子芯片研究,奠定了坚实的专业基础。 在沈亦晨求学之路上,无论是读研还是读博期间,沈亦晨积极参与光学研究,他在《科学》杂志上发表了论文得到了业界的好评,除此之外他还发表过25篇顶级期刊的论文,还拥有着10项美国专利,沈亦晨对光学研究的孜孜不倦,让他得了一个“追光者”的外号,其实关于光学的研究与应用,在数十年间一直有在进行,沈亦晨在研究中也也发现了光子比电子更快,而且耗能也更低,如果能用光子替代电子,那将是史无前例的进步,但是由于光像是一个难以琢磨的孩子,行为难以预测,也就是光具有不可控性,所以关于光学计算的研究就十分具有挑战性,沈亦晨向来就是喜欢挑战的人,他喜欢一个个谜题在自己手中解开的感觉。 在2016年时沈亦晨创立了自己的第一家公司,主要立足于使用太阳能发电和移动电子显示的方向,接着沈亦晨觉得只研究表面无法得到突破,于是他又成立了一家公司 曦智 科技 ,该公司的目标是要生产出光子芯片,这也正式开启了沈亦晨研究光子芯片的道路,沈亦晨和团队在研究中,建立了一个光学神经网络架构技术,在此技术下架构出来的芯片,就是一个可以变成的纳米光子处理器,能够取代传统电子晶体管,改进电子晶体管的性能 延迟 功耗问题,如果这光子芯片能够研发成功,将会带来飞跃性的进步。 不仅是原电子芯片计算能力的一千倍,它的耗能还将低于电子芯片一百倍,可别小看这一百倍的降低耗能,现在 社会 追求的都是一个低耗能,节约一切资源长途发展,光子芯片能使得全球数据服务器的用电量大大减少,而且应用面也会更加广,对增强现实 自动化等领域助益极大,沈亦晨凭借着这个研究,在2017年将学术成果报告发表在了顶级期刊上,业界为之震动,纷纷夸赞,而沈亦晨在当年也拿下了,麻省理工和哈佛大学 科技 创新赛的第一名,2018年沈亦晨刚成立不到两年的曦智 科技 ,就获得了百度和美国半导体企业的投资,金额高达1000万美元,折合人民币6500万。 现在的沈亦晨还在继续研究光子芯片,他在前几年的突破性进展,为现在中国缺芯的僵持局面,撕开了一道裂口,力挽狂澜般辅助我国解决芯片问题,沈亦晨的曦智 科技 目前已经建立了,设备更为先进 功能更为齐全的光学实验室,全力研发光子芯片的相关技术,虽然一时半会儿还不能马上上线光子芯片,但是只要开始永远不晚,正是有像沈亦晨这样优秀的青年人才,有决心有毅力,热爱学术研究,并且能够将理论与实际结合,勇于担当起兴国重任,才让我国现有的芯片技术快速发展,如今我国7纳米GPGPU芯片已经面世,中芯国际也在进军7纳米SOC芯片的研究,相信在未来,我国一定会“芯心满满”。

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o0大鹏0o

“我们首次在基于集成光子芯片的掺铒波导放大器中,实现超过 145 毫瓦(>145mW)的片上连续光输出功率,比已报道的器件提高两个数量级。并在几平方毫米的芯片面积上,实现了超过 30 分贝的片上连续光增益,这相当于将输入信号放大 1000 倍,也能满足光通信在 C 波段以及部分 L 波段的应用需求。”瑞士洛桑联邦理工(EPFL,École Polytechnique Fédérale de Lausanne)物理系教授托拜厄斯·J· 基彭伯格(Tobias J. Kippenberg)团队表示。

他们谈论的这一成果,正是近期发表在 Science 的一篇论文[1]。研究中,该团队在最长达 0.5 米的超低损耗氮化硅集成光波导中,使用了高能铒离子注入的方法进行掺杂。这种稀土离子注入技术在 1991 年由当时在美国贝尔实验室的阿尔贝托·波尔曼(Alberto Polman)教授(现任职于荷兰原子分子国立研究所)在薄膜材料中验证。该团队在保证离子掺杂均匀性的同时实现了高达 0.3% 原子掺杂浓度,铒离子分布与光模场重叠因子高达 50%,相比于其他稀土离子掺杂方式具有明显的优势。

高温退火之后,离子注入后的波导仍然保持了小于 5 分贝每米的超低背景光损耗,相当于在 1 米长的光波导中光信号背景损耗小于 50%。课题组使用波长在 1480 纳米的泵浦光(约 245 毫瓦),实现了接近 60% 的最大片上光功率转换效率。

相关器件的放大性能,不仅能与最先进的硅基异质集成半导体光放大器的增益性能相媲美,还达到了一些部分商用掺铒光纤放大器的水平。此外,他们还展示了选择性离子注入技术,证明了任意定义芯片上铒掺杂区域的可行性,借此制备出在同一个集成光子芯片上同时实现光增益单元与低损耗的无源功能器件,为实现大规模复杂的单片集成有源光子芯片提供了技术基础。

在应用上,其最直接的一个应用前景是实现尺寸极紧凑的高性能波导光放大器,在对器件体积和重量敏感的部分应用场景中取代台式光纤放大器,比如在数据中心,移动设备,和机载、星载设备中。

进一步的,该器件可以与其他片上光子功能器件集成在同一个光子芯片上,实现更复杂的、集成度更高的功能器件和系统,比如低噪声激光器、波长可调激光器、光子雷达引擎等,以满足光通信、集成微波光子学、量子信息存储等重要领域的研究和应用需求。

其中,该团队的博士后刘阳博士、博士生邱哲儒、博士生纪歆茹是论文主要作者;两位 EPFL 前同事——目前就职于南京航空航天大学的何吉骏博士、和就职于深圳国际量子研究院刘骏秋博士,也参与了该工作。

论文题为《基于光子集成电路的掺铒放大器》(A photonic integrated circuit–based erbium-doped amplifier),发表之后还得到了 Science 的亮点报道[2]。

亟待解决的难题:在集成光子芯片中实现高性能、低串扰的光信号放大

据介绍,作为一个可将微弱的光信号直接进行光放大的器件,掺铒光纤放大器被广泛用于长距离光纤通信网路和各种光纤激光中。掺铒光纤放大器的实现,是通过在光纤纤芯中注入了铒(Er)离子这种稀土元素,使得在泵浦光源的激励下,可直接对通信波段的光信号进行放大。

近二十年来,集成光子芯片技术得到了迅速发展,也极大降低了光子信号处理器件的尺寸和功耗。然而,一直以来在集成光子芯片中实现高性能、低串扰的光信号放大,是一个亟待解决的难题。

而本次团队将高浓度稀土铒离子直接注入到集成光子芯片中,实现了集成光波导放大器,首次达到了与商用光纤放大器相当的性能, 解决了实现集成高功率光放大器、低噪声激光器、高脉冲功率锁模激光器等重要光子器件的关键难题。

其研究背景要从 20 世纪 80 年代说起。当时,国际著名光子学专家、英国南安普顿大学光电子中心的佩恩爵士(Sir D. N. Payne),以及美国贝尔实验室的物理学家埃曼努尔·杜苏庇尔(Emmanuel Desurvire)等研究人员发明了掺铒光纤放大器,它的诞生是光纤通信技术的革命性突破。

而华裔物理学家、诺贝尔物理学奖得主高锟发明的光纤,奠定了光通信的基础。但是,只有在光纤放大器取代了传统的、性能受限的电中继器之后,光通信技术才得到了飞速发展,人们才能通过遍布全球的长距离、跨洋光纤通信网络与世界各地通信交流。

稀土离子比如铒、镱、铥等具有独特的 4f 壳层电子结构,这让它们在宿主材料中有长达几个毫秒的激发态寿命,有利于实现粒子数反转从而能放大光信号。同时,毫秒级的长激发态寿命能大大减低不同波段光信号之间的串扰,从而能在一个放大器中对处于多个波长的光信号进行放大,进而极大地增加信道容量。

如今,商用光纤放大器的噪声系数,已能非常接近于量子力学决定的非相敏光放大的极限噪声性能(3分贝)。凭借这些特性,基于稀土离子掺杂的光纤放大器,成为了光通信技术中的理想增益介质。

此外,光纤放大器几乎在所有光纤激光器应用中都发挥着至关重要的作用,例如光纤传感、频率计量、激光雷达、激光加工等应用。在目前世界上最精确的原子钟里,光学频率梳是用于将光学频率转换为射频频率的关键组件,其中也运用了基于稀土离子掺杂的光纤放大器。

正因为基于稀土离子的光纤放大器的性能优势和在应用上的巨大成功,在集成光子芯片上实现基于稀土离子的波导放大器,很自然地成为了一个重要研究目标,这将对于集成光子学的发展具有相当重要的意义, 能填补集成光子芯片上低噪声光放大技术的空白。

在过去 30 年里,全球许多团队都对稀土离子掺杂的波导放大器的研发做出了尝试。例如,在 20 世纪 90 年代,美国贝尔实验室展开了关于掺铒波导放大器的开创性研究,但由于当时采用的基于低折射率的玻璃的波导器件受体积大、损耗高,无法与现代集成光子芯片微纳加工工艺兼容等限制,相关研究逐渐相继停滞。

近十年来,集成光子学的快速发展和器件加工工艺的不断提升,对在主流集成光子材料平台上实现掺铒波导放大器,研究人员重新产生了浓厚兴趣,此前已有团队制备出掺铒氧化铝和掺铒锂酸铌放大器等。

然而,已报道的基于集成光子波导放大器的输出功率远低于 1 毫瓦(

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寻找茉莉花

近日,纳米光子学研究院严佳豪副教授、刘心悦助理教授等在范德瓦尔斯异质结构建米氏共振器的研究中取得重要进展,他们提出异质纳米狭缝结构实现对散射光和光致发光的调控与增强,相关成果发表在国际学术期刊 ACS Nano (IF: 15.881)。 基于过渡金属硫族化合物(TMDCs)的范德瓦尔斯异质结构具有可调控的激子跃迁和谷电子自旋特性,在构建光子或光电子器件方面具有重要的应用前景。另外,基于TMDCs的范德瓦尔斯异质结所具有的高折射率、激子诱导洛伦兹色散等预示着其还可以作为光学共振器实现亚波长光局域,然而这一特性常常被研究人员忽视。 基于此,严佳豪副教授等提出利用多层二硫化钨(WS2)和六方氮化硼(hBN)为基体构建高/中折射率混合共振器,并在异质结上引入具有电磁多极共振的纳米狭缝,实现了广义Kerker效应下的光谱裁剪和方向性光散射。进一步将单层WS2与纳米狭缝结合,实现了50% - 800%的光致发光调控,该调控范围和增强因子可与常见金属等离激元或全介质结构纳米单元的最佳性能媲美,有望为可见光范围内的纳米光电子器件设计提供新思路。

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