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LNA的最好性能，甚至比同期GaAsHBTLNA的性能还要好，而占用的芯片面积也极大地减小[8]。2007年，国立大学研发了一款单片集成的六通道集成的六通道收发机，此设计方法能够达到低功耗，直流电压复杂性高带宽可重构的特点。接
文献期刊学者订阅收藏论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心GaAsHBT单片微波宽带功率放大器的研究与设计来自万方喜欢0阅读量:32作者:胡善文摘要:宽...
基于gaashbt的压控振荡器的研究与设计文档格式:.pdf文档页数:57页文档大小:1.36M文档热度:文档分类:论文--毕业论文文档标签:基于gaashbt的压控...
GaAsHBT工艺压控振荡器低相位噪声锁相环论文根据压控振荡器的基本原理对振荡器的相位噪声做了详细分析,从而提出了降低压控振荡器的相位噪声的一些方法,并在压控振荡...武岳...
IEEE上的LNA全套论文，有的展示最新的设计成果，也有详述设计要点的概括，还有论述基础的噪声理论，含金量...
基于GaAsHBT的压控振荡器的研究与设计.doc,摘要摘要近年来,无线通信系统的迅猛发展刺激了低成本、高性能、小型化射频集成电路的研究与设计,作为射频集成电路...
论文>期刊/会议论文>移动通信用GaAsHBT功率放大器移动通信用GaASHBT功率放大器南京电子器件研究所210016)19991025收稿20000418收改稿摘要该两级...
采用0.18μmCMOS工艺设计应用于802.11aWLAN的5.8GHzLNA.,给出了采用ADS的模拟结果:在中心频率5.8GHz处,LNA功率增益为16.97dB,阻抗匹配系数S11小于18dB,噪声系数(NF)为2.3dB...
【摘要】:分析了AlGaAs/GaAsHBT的原理和材料结构,详细介绍了AlGaAs/GaAsHBT的器件结构及工艺流程,并对两方面进行了优化,研制出了特性较好的AlGaAs/GaAsHBT,其电...
文献最终得到的LNA电路,测得4dBm,输入回波损耗优于-6dB,输出回波损耗低于.18dB,获得的性能优于国立大学的那款低噪声放大器,在当时是硅基毫米波LNA的最好性能,甚至比同期GaAsH...
InGaP–GaAsHBTMatchedImpedanceWideBandAmplifiersMultipleFeedbackLoopsIEEEJOURNALSOLIDSTATECIRCUITS20023769470119YiwenHuangWanrong...