大电流功率MOS的控制和驱动IC.赵念.【摘要】：MOSFET表示金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是一种电压控制电流型器件,具有输入阻抗高、开关速度快、驱动简单等优点,在电子继电器、开关电源、逆变器等电路中得到了广泛的应用。.虽然功率MOS具有如此多的...
1．4论文的主要内容和工作安排本课题主要工作是设计一个性能优良的C类大功率MOSFET射频振荡器，其技术指标主要有三个方面：一，‘输出功率，功率射频振荡器的主要用途是作为射频功率源使用，因此应具有较高的输出功率和带载能力。.二，效率，提高...
提供浅谈大功率MOSFET管在调频发射机中的应用文档免费下载，摘要:文章编号:1006-5628(2006)06-0054-035西部广播电视62006年第6期浅谈大功率MOSFET管在调频发射机中的应用曾肖业(广东省信宜732台广东省信宜市525300)摘要:在无线电领域、高速大功率
功率MOSFET应用指南MOSFET的驱动功率MOSFET驱动电路有两个特点：功率MOSFET是一种电压控制型器件，在功率MOS管导通后，栅极不再需要驱动电流。功率MOS管的栅极输入端相当于一个容性网络，由于工作速度与驱动源的内阻抗相关，同一MOS管如果希望开关时间越短，则所需的驱动电流峰值越大。
种实用的功率MOS管电机驱动电路康少华王爱荣解亚杨成禹吴学深军事交通学院天津300161摘要:在分析了MOS管导通原理的基础上,结合功率放大电路的原理,提出了一种电机MOS管的驱动电路,该电路适合髙频信号开关控制电路。利用Multisim
大功率IGBT驱动电路设计——毕业论文.doc,武汉理工大学本科生毕业设计（论文)任务书学生姓名专业班级：指导教师：工作单位：设计(论文)题目:设计（论文）主要内容：要求完成的主要任务:、集电极电流、射集电压、集电极功耗）；3．具体了解IGBT模块分别在低压小电流驱动和高压大电流驱…
低频功率放大器本科生毕业设计（论文）.doc,四川职业技术学院毕业设计题目：低频功率放大器系别：电子电气工程系1专业：电子信息工程技术1班级：08级电信1班1姓名：刘海泉1学号：0810120410101指导教师：刘力完成时间...
提供MOS管大功率可调稳压电源word文档在线阅读与免费下载，摘要:制作名称：MOS管大功率可调稳压电源1、设计要求1）利用TL431（精密电压基准）和IRF640（MOS管）设计一个大功率可调线性稳压电源。2）输入采用24V变压器，前级线圈接市电220V。3...
功率场效应管(MOSFET)特性与驱动电路研究.浙大电气学院电力电子器件实验一实验报告.1.2跨导gm测量.根据公式计算跨导如下表：.1.3转移特性测量.转移特性曲线如下：.上一页第3页下一页.
提供功率场效应管(MOSFET)特性与驱动电路研究文档免费下载，摘要:（2）电阻电感性质负载时，MOSFET开关特性测试（3）RCD缓冲电路对MOSFET开关特性及VDS波形的影响测试（4）栅极反压电路对MOSFET开关特性的影响测试（5）不同栅极...
大功率LDMOS射频功率晶体管的探索与研究-职业技术教育论文大功率LDMOS射频功率晶体管的探索不研究(贵州省广播电影电视技术管理中心,贵州贵阳550002)【摘要...
mos场效应晶体管论文晶体管论文导读:就爱阅读网友为您分享以下“晶体管论文”资讯,希望对您有所帮助,感谢您对92to的支持!1947年12月23日,美国新泽西...
综述功率MOSFET的国内外发展概况,应用前景及研究意义,并对本论文的主要工作进行了概述。第二章,阐述了功率MOSFET相关的理论知识,参数计算,并进行了。第三...
内容提示:武汉理工大学毕业设计(论文)MOS管应用基础研究学院(系):自动化学院专业班级:电气学生姓名:畾指导教师:副教授目录摘要...IABSTRACT...
【摘要】:射频功率器件性能直接决定了无线信号发射与传输的质量。本文围绕自主研发的大功率LDMOS器件,从其结构特点、特性参数等方面进行了阐述,并从其封装、测试和内匹配设计...
(2015专业论文)功率mos管rds(on)负温度系数对负载开关设计的影响,大功率mos管,功率mos管,大功率mos管型号,大功率mos管驱动电路,小功率mos管,mos管功率放大电路,...
找到一个讲大功率MOS\IGBT软开关技术博士论文(弗吉利亚理工)，比较全面。奉上！
内容提示:大功率LDMOS射频功率晶体管的探索与研究-职业技术教育论文大功率LDMOS射频功率晶体管的探索与研究夏体荣(贵州省广播电影电视技术管理中心,贵...
关键词:功率转换电路;MOSFET;漏极电流;栅极;双极型晶体管;MOS场效应管;防护技术;安全工作区;大功率;漏感;期刊名称:声学与电子工程issn:年卷期:1986年004...
本设计的目标是获得一款大功率RFLDMOS器件,该器件采用双层源极场板和背面源结构,利用半导体软件优化设计器件结构和各区域杂质注入剂量,使器件具有较好的直流特性和频率...