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MOSFET器件与工艺分析定稿.doc,155****8081原创作品,原创力文档版权提供，违者必究，XFCGZJ设计（论文）中文摘要MOSFET器件与工艺分析摘要：横向双扩散MOS管具有易集成，频率不易改变，增益较大等特性。由此它已经变成了高压...
本论文基于解释NBTI效应的反应扩散理论及其经典模型，针对DC应力和低频AC应力下纳米工艺代MOS器件的NBTI退化行为，研究并提出用于描述器件阈值电压退化量随时间变化关系的新型解析模型，并通过实测数据验证了上述模型的有效性。.总结本文取得主要...
Trench+DMOS器件研究与工艺设计.docx,东南大学硕士学位论文TrenchDMOS器件研究与工艺设计姓名：苏巍申请学位级别：硕士专业：软件工程（集成电路）指导教师：时龙兴;滕敬信20070615摘要Trench摘要TrenchMOS是微电子技术和电力...
功率DMOS是在MOS集成电路工艺基础上发展起来的电力电子器件,具有输入阻抗高,开关速度快,驱动功率小等优点。.近些年,国内已有多家企业掌握了功率器件生产技术,市场竞争日趋激烈,企业必须提高产品良率,降低生产成本,缩短生产时间才能在激烈的市场竞争中...
毕业论文SilvacoTCAD基CMOS器件.本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014青岛大学毕业论文(设计)任务书学生姓名:同组学生:指导教师:下发日期:2014MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研摘要...
最新博士论文—《40纳米CMOS器件的应变技术与器件工艺研究》摘要第1-6页Abstract第6-11页第一章绪论第11-26页1.1研究背景第11-13页1.2国内外研究现状
第10卷第4期Vol.10No.42017年2月February2017沟槽MOS势垒肖特基二极管器件刻蚀工艺优化研究徐晨余*（上海交通大学微电子学院，上海200240）摘要：主要阐述了沟槽MOS势垒肖特基（trenchMOSbarrierSchottky，TMBS）二极
等离子体工艺对MOS器件的损伤研究.唐瑜.【摘要】：为了提高电路的速度和缩小电路耗散功率,半导体器件的尺寸不断的缩小,减小尺寸通常要依靠刻蚀技术来实现。.等离子刻蚀是目前VLSI中最常用的方法。.由于等离子体工艺的优点,在集成电路制造中而被广泛的...
王利祥;;白光高分子材料与器件研究进展[A];中国化学会第26届学术年会应用化学分会场论文集[C];2008年9;中国科学院物理所太阳能材料与器件研究团队简介[A];第二届新型太阳能电池学术研讨会论文…
电路设计人员也应该对制造工艺中使用的各层掩膜的作用以及如何使用掩膜来定义片上器件的各种特性有清楚地了解。数字集成电路设计2在硅衬底上制作MOS晶体管MOS集成电...
摘要论文研究以120V高压BCD集成电路工艺制作低压器件,主要是对NMOS管、PMOSNPN管的设计与建模。高压芯片中的低压器件,是系统中的逻辑器件,控制驱动电...
机械毕业设计论文高压doubleresurfldmos器件设计与工艺模拟.doc,本科毕业论文题目高压DoubleRESURFLDMOS器件设计与工艺模拟作者:金光明专业:电子科学...
LC2MOS工艺中关键器件研究论文下载积分:2000内容提示:重庆大学硕士学位论文中文摘要摘要A/D、D/A转换器的几项关键指标是转换速度、转换精度、分辨率以...
内容提示:毯料双栅氧LDMOS器件工艺技术的研究与改进王文博,宋李梅,王晓慧,杜寰,韩郑生(中国科学院微电子研究所北京100029)摘要:双栅氧LDMOS...
【摘要】:应变硅材料、结构、器件是探索后硅CMOS时代新型超高速低功耗集成电路最有发展前景的技术之一,本论文对双轴应变硅材料和MOS器件制作工艺进行了研究。开发出不同结构...
围栅Si纳米线器件结构具有最佳的栅控能力和优良的输运特性,被视为可以将MOS器件尺寸缩短到极限尺寸的最理想的器件结构。本文对纳米尺度MOS器件中的电子束曝光、硅的干法...
随着集成电路工艺制程技术的不断发展,为了提高集成电路的集成度,同时提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不断缩小,MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应(Short...
本科毕业论文题目高压DoubleRESURFLDMOS器件设计与工艺模拟作者:金光明专业:电子科学与技术指导教师:罗向东完成日期:2008.6南通大学毕业设计论文...
摘要:主要阐述了沟槽MOS势垒肖特基(trenchMOSbarrierSchottky,TMBS)二极管器件形貌改善的经过及结果,并详细介绍了该类型器件围绕刻蚀工艺变更而对各项工艺...