硅的霍尔系数及电阻率的测量实验报告.北京大学近代物理实验I物理学院实验题目硅的霍尔系数及电阻率测量院系物理学院学号:1200011357本实验通过在不同温度条件下对高阻p型Si的霍尔系数和电阻率的测量，了解半导体内存在本征导电和杂志导电两种导电...
实验二四探针法测试硅片的电阻率一、实验目的1.掌握方块电阻的概念和意义；2.掌握四探针法测量方块电阻的原理；3.学会操作四探针测试仪。二、实验原理1.方块电阻对任意一块均匀的薄层半导体，厚W，宽h，长L。图1薄层半导体示意图如果电流沿着垂直于宽和厚的方向，则电阻为，当…
实验二扩散硅压阻式压力传感器实验模块2.1实验目的：实验2.1.1：了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和方法。.工作原理：是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。.单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量...
扩散硅压阻式压力传感器差压测量实验报告.docx,扩散硅压阻式压力传感器差压测量实验报告实验六扩散硅压阻式压力传感器的压力测量实验一、实验目的：二、实验仪器(略)三、实验原理在具有压阻效应的半导体材料上用扩散或离子注入法，形成4个阻值相等的电阻条。
本期ISSCC论文解读有幸邀请到中科院半导体所的祁楠教授。.祁楠师兄博士毕业于清华大学微电子所，并随后在美国的高校、企业实验室工作，主要研究光通信电路和硅光电集成芯片，学术界和工业界的经验都非常丰富。.目前他的课题组跨光、电两个领域，主要...
上海交通大学物理实验报告（大二上）硅光电池特性的研究.docx,硅光电池特性的研究【实验目的】了解硅光电池的工作原理及其应用。研究硅光电池的主要参数和基本特性。【实验原理】硅光电池的照度特性硅光电池的短路电流与照度关系当光照射硅光电池时，将产生一个由N区流向P区的光生电流...
大学物理实验报告（a4手写版）.你知道我不知道.凛冬散尽，星河长明.2,321人赞同了该文章.突发奇想写这篇文章，是因为自己今年上学期有物理实验这门课程，又因为疫情的原因，我们不得不在网上做实验，而且还要手写实验报告，emmmm所以吧(*￣m￣)，我就...
液体表面张力系数的测定实验报告.[实验目的]1．用拉脱法测量室温下液体的表面张力系数.2．学习力敏传感器的定标方法.[实验原理]测量一个已知周长的金属片从待测液体表面脱离时需要的力.面张力系数的实验方法称为拉脱法．若金属片为环状吊片时，考虑...
硅的霍尔效应实验报告实验名称:硅的霍尔系数及电阻率的测量物理学院刘纩00904149实验仪器:BWH—I型霍尔效应测试仪,I型—PMMR永磁魔环(参数:d=1.000.02mm,B=0.402T...MgB_2和Mg_0_93_Li_0_07_B_2的电阻率与霍尔效应研究_免...
半导体芯片为什么一定要用硅？.生活在现代社会，没有谁能离得开半导体芯片。.半导体芯片真的是上得了厅堂，超级计算机离不开它；也下得了厨房，电饭煲、冰箱里也有它。.社会越发展，对半导体芯片的胃口越大，我们国家不仅是石油进口大国，…