中国科学院半导体研究所机构知识库(SEMIOpenIR)以发展机构知识能力和知识管理能力为目标，快速实现对本机构知识资产的收集、长期保存、合理传播利用，积极建设对知识内容进行捕获、转化、传播、利用和审计的能力，逐步建设包括知识内容分析、关系分析和能力审计在内的知识服务能力，开展...
半导体封装技术分析与研究毕业论文毕业,论文,和,毕业论文,半导体技术设计（论文）题目：半导体封装技术分析与研究毕业设计（论文）任务书专业微电子技术班级微电081姓名一、课题名称：半导体封装技术分析与研究二、主要技术指标：1．封装的工艺流程；2．封装的技术分类；3．封装...
这项技术称为分子层刻蚀（molecularlayeretching,MLE），相关论文已在ChemistryofMaterials杂志发表（链接见后文）。为了将微电子器件造得更小，制造商必须把越来越多的电路塞进更小的薄膜和3D结构中，现如今是用薄膜沉积和刻蚀技术来实现的，这种技术可以一次生长或去除一层膜。
半导体技术论文高分子材料论文：半导体材料的发展现状摘要在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg>2.3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。
研究论文1CsPbBr3/PbS单晶薄膜异质结的外延生长及光电性能研究由高质量的单晶薄膜构筑的半导体异质结因具有独特的光学特性和突出的电学特性，大大拓展了半导体材料在现代微电子学和光电子学中的应用范围。
书名:半导体薄膜技术与物理.作者：叶志镇吕斌.出版社：浙江大学出版社.出版时间：2008年09月.ISBN:9787308066174.开本：16开.定价:36.00元.编辑本段内容简介.《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种技术及其相关的物理基础。.
半导体传感器的原理技术论文.半导体传感器的原理、应用及发展作者摘要：本文主要评述半导体传感器例如磁敏，色敏，离子敏，气敏，湿敏的传感器的原理，在机械工程中的应用及目前的发展前景。.关键词：半导体传感器，磁敏、色敏、离子敏、气敏、湿...
透明N/P型半导体薄膜晶体管的研究.刘妮.【摘要】：薄膜晶体管(TFTs)是新型平板显示技术的核心器件,随着显示技术的不断创新与突破,对TFTs的性能要求也日益增高。.硅基TFTs已经无法满足市场的需求,氧化物薄膜晶体管具有透明、廉价、低温工艺、高迁移率等...
【摘要】：近年来,基于氧化物半导体的薄膜晶体管(TFTs)因在未来大尺寸、高帧率和高分辨率的平板显示器中的潜在应用而备受关注。现今的有源矩阵液晶显示器(AMLCD)和有源矩阵有机发光二极管显示(AMOLED)普遍采用的是非晶硅的TFT技术。和非晶硅TFT技术相比,氧化物半导体TFT技术存在诸多优…
麻省理工的工程师们开发出一种新的技术，这种技术除了硅以外还可以使用其他一系列特殊材料制成超薄半导体薄膜。为了展示他们的技术，研究人员使用砷化镓、氮化镓和氟化锂制成了多种柔性…
半导体薄膜技术与物理[毕业论文].ppt,*若两种反应物处在同一能量状态,则Ti、Zn和O2的反应活化能Ea大约分别为0.2eV和0.17eV,但常温基板表面的氧分子完全处于钝...
薄膜技术与工艺论文.doc,AZO薄膜光电性能的研究AZO薄膜的应用和发展及其主要性质作为新型太阳能电池窗口层应用的AZO薄膜,是性质优良的Ⅱ一Ⅵ族掺杂宽带隙直接...
与制造技术非常成熟和制造成本相对较低的硅半导体材料相比,第三代半导体材料目前面临的最主要挑战是发展适合GaN薄膜生长的低成本衬底材料和大尺寸的GaN体单晶...
知识水坝为您提供优质论文、导体薄膜特性实时检测技术的研究第二章半导体薄膜特性实时检测的相关理论及方法§多光束偏转测量法§简述在半导体薄膜生长过程...
半导体薄膜技术与物理.第2版喜欢0阅读量:40作者:叶志镇展开出版时间:2014被引量:1收藏引用批量引用报错分享求助全文通过文献互助平台发起求助,成功...
《薄膜半导体太阳能电池光电特性毕业设计论文.doc》由会员分享,可免费在线阅读全文,更多与《薄膜半导体太阳能电池光电特性毕业设计论文》相关文档资源请在帮帮...
半导体技术论文高分子材料论文:半导体材料的发展现状在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材...
期刊论文MnSi1.7半导体薄膜材料研究进展侯清润,-0001,():URL:摘要/描述关键词:问答暂无问题,成为第一个提问者我要提问全部问题【免责声明】以下全部内容由[侯清润...
【摘要】:在半导体薄膜生长过程中,需要对半导体薄膜的特性(如薄膜应力、生长率、厚度、折射率等)进行实时检测,以实现对其生长过程进行精密控制。国内的薄膜特性检测技术大多...
半导体用钨硅薄膜的技术及应用研究进展-钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使...