硅晶体中位错的检测论文

我只能描述以下缺陷：实际晶体的空间点阵和理想的空间点阵不同，它不完全有规则周期排列，而是点阵在排列上有这样或那样不规则性，存在着点阵畸变，偏离空间点阵。那些偏离点阵的结构或地区通称晶体缺陷。根据缺陷相对晶体尺寸或影响范围大小，可分为以下几类。1、点缺陷点缺陷特征是三个方向的尺寸很小，只有几个原子间距，如各种溶质原子引起的周围畸变区；空位，间隙原子以及这几类点担风险的复合体。固溶体中大小(a)和(b)溶质原子引起的点阵畸变示意图(c)图表示原子跑到阵间隙中，这样产生的空位称为弗兰克（Фpehkelb）空位，(d)图表示原子跑掉晶体表面去，这样产生的空位称肖脱基（Schottky）空位。2、线缺陷线缺陷特征是缺陷在两个方向上尺寸很小（与点缺陷相似），第三个方向上的尺寸很大，可以贯穿整个晶体，属这一类缺陷主要是位错。位错有三种基本类型：刃型位错、螺型位错、混合位错。3、面缺陷面缺陷的特征是一个方向上尺寸很小（相同点缺陷），在其它两个方向上的尺寸很大，晶体的外表面及各种内界面—一般晶界、孪晶界、亚晶界、相晶界以及层错等属于这一类。 4、体缺陷体缺陷是三堆缺陷，在三个方向上尺寸部较大，不是很大，例如晶体孔晶、漩涡条纹、杂质条纹，包裹体，慢沙（由包裹体组成的层状分子）。在拉制单晶硅因为生长环境：如温度场、机械传动、杂质浓度等因素都会造成硅片的质量缺陷，具体如何去避免那只能靠相关的经验啦.