linbo3论文参考文献

补充一下：铌酸锂（LiNbO3）晶体是重要的光电材料，是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用最广泛，最重要的基片材料之一。目前，铌酸锂晶体被广泛应用在声表面波、电光调制、激光调Q、光陀螺、光参量振荡、光参量放大、光全息存储等器件中，这些器件在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等以及军工技术中发挥着重要的作用。现在最先进的铌酸锂单晶薄膜晶格结构为单晶，完全保持体材料优秀物理性质，直径为3英寸，上层铌酸锂单晶薄膜厚度为微米，中层是1微米厚二氧化硅（SiO2）, 最下面是毫米厚铌酸锂晶片衬底。作为产业链的基础材料，主要应用于以下几个领域：1、光纤通讯，例如波导调制器等。用此薄膜材料生产的器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上，集成度大幅提高，响应频带宽，功耗低，性能更加稳定，制造成本降低。2、电子学器件，比如高质量滤波器，延迟线等。3、信息存储领域，可实现高密度信息存储，一片3英寸薄膜的信息存储容量为70T（相当于10万张CD）。

在外加电场的作用下，晶体的折射率光吸收和光散射特性发生了变化，由此而产生的效应称为电光效应.当晶体折射率的改变与所加电场成正比时，即电场的一次项 ，这种电光效应称为线性电光效应，由Pokels于 1893年发现，也称为Pokels效应，一般发生于无对称中心晶体中，该效应是电光调制的基础。当晶体折射率的改变与所加电场强度的平方成正比时，即电场的二次项 ，这种电光效应由Kerr在 1875年发现，称为二次电光效应或称为Kerr电光效应，二次电光效应存在于一切晶体中。对LiNbO3晶体来说，线性电光效应比二次电光效应显著的多，因此调制器主要利用其线性电光效应进行调制。铌酸锂电光调制器的工作原理简单的描述为，当晶体特定方向施加电场作用时，由于电光效应导致晶体折射率的改变，继而引起晶体中传输光波的额外相位变化，从而达到调制光波的目的。常见的电光强度调制器是马赫-曾德尔(MZ)调制器，光波在光波导中传输至第一个3dB耦合器处，光波被分成相等的两路，光波在每个支路路分别通过光波导传送至第二个3dB耦合器处，两列波最后相干叠加。

如果你数电学的还算比较好的话，LED或者遥控车还算是比较简单的题材，而且这种类型的题材无论是网上还是图书馆参考材料都比较多。

电子陶瓷和晶体的制备与性能研究。发表论文27篇、2项软件著作权登记和3项专利。其中多篇论文为SCI、EI检索收录，并被多次引用。在研项目：主持和参与的科研项目铌酸锶钙钠无铅压电陶瓷制备工艺和相关物理特性的研究 （北京市教委，主持）La-Ca-Mn-O陶瓷各向异性的研究 （北京工业大学博士启动基金，主持）新型介电材料(Nb2O5)1-x(TiO2)x掺杂改性规律及微观机理的研究 （数理学院基金，主持）晶体宏观物理性能随空间方向变化的研究 （北京工业大学青年基金，主持）各向异性陶瓷激光烧结生长技术研究 （北京市自然基金，参与） 无铅压电陶瓷激光烧结织构化机理研究 （国家自然基金，参与） 掺镓氧化锌晶体光学浮区法生长及其光学、电学性质调控（国家自然基金，参与）专著王越，蒋毅坚，《材料物理性能的各向异性》，化学工业出版社，2007 代表性论文, ., , , , The Elastic and Piezoelectric Properties of a Lithium Triborate Single Crystal,, 2462, Jiang, Yue Wang. Ling-Zhi Zeng, Analysis of Raman Spectra of LiB3O5Single Crystals, Spec. 27, 31,19963．王越、蒋毅坚、杨赤，铌酸锂与钽酸锂晶体压电性能随空间变化的研究，人工晶体学报，29(2): 152-156 (2000)4．王越、蒋毅坚、杨赤，PZT60/40晶体压电性能随空间变化的研究，压电与声光，23(3): 213-217(2001)5.王越，常兴安，刘国庆，蒋毅坚，ADP及KDP晶体纵向压电系数d33的计算及其验证，人工晶体学报，35(4): 702-704 (2006) Wang, Yijian Jiang, Composition dependence of dielectric properties of (Ta2O5)1-x(TiO2)xpolycrystalline ceramics,Materials Science and Engineering B99, P221-225, 20037. Yue Wang, Yijian Jiang, Crystal orientation dependence of piezoelectric properties in LiNbO3and LiTaO3,Optical Materials23, P403-408, 20038. Yue Wang，Yijian Jiang，Sintering and dielectric properties of (Ta2O5)1-x(TiO2)xpolycrystalline ceramics,Journal of Electroceramics21:577-580, Wang，Yijian Jiang，Dielectric and piezoelectric anisotropy of lithium niobate and lithium tantalate single crystals, 2009 18IEEE international Symposium on the Applications of Ferroelectrics(ISAF) Wang，Xuewen Zhu，Yijian Jiang，Enhancement of the Dielectric Constants of (Ta2O5)1-x(TiO2)xby DielectricAnisotropy in Polycrystalline Ceramics,Ferroelectrics403:175-180, Fan, Yue Wang, Hong Xu, Yijian Jiang, Floating zone growth and characterization of ruby single crystals,Cryst. Res. Technol. 46, No. 3, 221-226 , Fan, Yue Wang, Yijian Jiang, Structure and electrical properties of MnO2-doped Sr2-xCaxNaNb5O15lead-free piezoelectric ceramics，JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS，，，p6652-6658，JUN 9 2011代表性专利和计算机软件著作权1.王越，张秋林，蒋毅坚，Nb2O5-TiO2体系介电陶瓷烧结工艺，国家发明专利，专利号：ZL2005100852248，已授权2.王越，朱学文，蒋毅坚，快速烧结1-x(Ta2O5)x(TiO2)体系陶瓷的工艺，国家发明专利，专利号：ZL2005100647760，已授权3.蒋毅坚，王越，朱学文，一种提高1-x(Ta2O5)x(TiO2)陶瓷的介电系数的方法，国家发明专利，申请号：ZL200510069511X，已授权4.王越,范修军,黄强,胡振江,蒋毅坚, Sr2-xCaxNaNb5O15陶瓷介电和压电性能的制备工艺,国家发明专利, ，已授权5.王越,范修军,徐宏,蒋毅坚.,一种快速生长厘米量级红宝石晶体的方法,国家发明专利，，已授权6.王越,范修军,徐宏,蒋毅坚,一种快速生长Nb2O5晶体的方法,国家发明专利,，已授权7.王越，蒋毅坚，C2v点群晶体弹性及压电系数的计算程序，计算机软件著作权，登记号：2001RS05808.王越，钟波，蒋毅坚，3m点群晶体压电性能随空间变化计算程序的源程序，计算机软件著作权，登记号：2003SR13199.王越，宋伟，蒋毅坚，压电晶体纵向压电系数的空间分布及极值的计算，计算机软件著作权登，记号：2007SRBJ2114 专利和计算机软件著作权1. 王越，张秋林，蒋毅坚，Nb2O5-TiO2体系介电陶瓷烧结工艺，国家发明专利，专利号：ZL2005100852248，已授权2. 王越，朱学文，蒋毅坚，快速烧结1-x(Ta2O5)x(TiO2)体系陶瓷的工艺，国家发明专利，专利号：ZL2005100647760，已授权3. 蒋毅坚，王越，朱学文，一种提高1-x(Ta2O5)x(TiO2)陶瓷的介电系数的方法，国家发明专利，申请号：ZL200510069511X，已授权4.王越, 范修军, 黄强, 胡振江, 蒋毅坚, Sr2-xCaxNaNb5O15陶瓷介电和压电性能的制备工艺, 国家发明专利, ，已授权5.王越, 范修军, 徐宏, 蒋毅坚., 一种快速生长厘米量级红宝石晶体的方法, 国家发明专利，，已授权6.王越, 范修军, 徐宏, 蒋毅坚, 一种快速生长Nb2O5晶体的方法, 国家发明专利, ，已授权7. 王越，蒋毅坚，C2v点群晶体弹性及压电系数的计算程序，计算机软件著作权，登记号：2001RS05808. 王越，钟波，蒋毅坚，3m点群晶体压电性能随空间变化计算程序的源程序，计算机软件著作权，登记号：2003SR13199. 王越，宋伟，蒋毅坚，压电晶体纵向压电系数的空间分布及极值的计算，计算机软件著作权登，记号：2007SRBJ2114