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FinFET器件结构发展综述.2021年电子技术应用第1期.熊倩1，马奎1，2，杨发顺1，2.1.贵州大学大数据与信息工程学院，贵州贵阳550025；2.半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心，贵州贵阳550025.摘要：随着集成电路技术日新月异的发展，器件尺寸不断缩小...
最后简单的介绍了进一步改善三栅FinFET短沟道效应的方法，包括抬起源漏结构（三栅RSDFinFET）以及源漏非对称掺杂结构（三栅ADFinFET）。第五章对论文的内容进行了概括总结，同时对二栅FinFET器件的应用进行了展望。
第三章给出了Ino．53Gao．47AsFinFET电学特性的实验测量结果，通过测量结果与器件模型的结果比较，获得了电子的有效迁移率和相关的散射参数。最后一章（第四章）给出了论文工作的总结与展望。
基于FinFET的设计机遇与挑战.pdf,WhitePaper基于FinFET的设计:机遇与挑战2012年9月作者前言在双重图形和其它先进光刻技术的帮助下，CMOS技术继续向20纳米（nm）及更小的尺寸迈进。但是，凭借其卓越的特JamilKawa性，FinFET正在替代...
终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了.1958年，第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。.而今天的芯片包含超过10亿个晶体管，这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。.真空管的发明是电子工业发展的重要动力...
在高速接口（Serdes）方向，FinFETCMOS的工艺已经成为事实上的主流。单通道56Gbps这一代应该大都采用16nm的FinFET，下一代112Gbps应该会采用7nm工艺。这背后的道理有两个方面。第一是高速接口本身的性能。高速…
ISSCC2020年论文解析（一）高速串口6.1.ISSCC2019结束后，我曾经写过一篇高速串口的论文解析。.当时总结有几点发展趋势：.4、56Gbps的接口架构稳定，基于DSP的方案占主导。.一年过去了，这些趋势依然是成立的。.今年这个session有八篇论文。.从分布来看，五...
论文获得的主要研究成果有:1.FinFET器件的抗总剂量水平优于MOS器件,其抗总剂量水平可以达到480Krad(SiO_2);2.在FinFETSRAM总剂量试验中,需要重点关注总剂量辐射下存储阵列和灵敏放大器的电学参数和功能参数变化情况;3.创新性提出了FinFETSRAM总剂量效应试验方案,并...
第五章总结与展望5.1全文工作总结5.2未来工作展望致谢参考文献攻读硕士学位期间取得的成果【参考文献】：期刊论文[1]FINFET技术[J].朱范婷.数字技术与应用.2014(01)[2]深亚微米三栅FinFET短沟道效应和拐角效应计算机模拟分析[J].王洪涛,王
总结：FinFET工艺就是核心竞争力简而言之，鳍式场效晶体管是闸极长度缩小到20奈米以下的关键，拥有这个技术的工艺与专利，才能确保未来在半导体市场上的竞争力，这也是让许多国际大厂趋之若骛的主因。半导体工艺发展到现在，包括7nm...
FinFET工艺论文概要微电子前沿(4)姓名:学号:签名:微电子前沿---FinFET技术引言:2015年,这是一个FinFET的时代,FinFET器件纷纷进入移动市场,苹果,三星,华...
FinFET工艺论文概要.doc,微电子前沿(4)姓名:学号:签名:微电子前沿---FinFET技术引言:2015年,这是一个FinFET的时代,FinFET器件纷纷进入移动市场,苹果,三星...
其主要原因是平面65nmMOSFET器件的灵敏体积大于FinFET器件,从而沉积了更多的能量,产生更多的电荷。4、总结了现有的抗辐射加固技术,通过对DICE单元、ROCK单元和10T单元进行抗...
本文以模拟和数字两种LDO,分别以三种不同的方式FinFET,TFET和hybridTFET-FinFET实现。针对频率响应,负载调整率和电源抑制比(PSRR)评估较低、中等、较高三种偏置电流条件下的指标...
无结FinFET电学特性分析与研究,单婵,王颖,本文针对无结FinFET器件的电学特性进行了研究。无结器件与传统反型器件相比,不含有PN结(传统反型器件在源区和...
硕士博士毕业论文—FINFET器件特性与NBTI效应研究
半导体工艺发展到现在,包括7nm、5nm、3nm,甚至以后的1nm,都离不开FinFET工艺。上述视频中,FinFET工艺发明人胡正明教授,也是梁孟松的博士论文指导教授。换句话...
接下来会参与到14nmFinFET电路设计;由于之前从事过14nmFinFET器件模型的工作,14nm对我来说不算是新工艺,不同的是,现在需要从电路设计者来考量问题。该章节介绍了Sub-1vBand...
职称刘毅教授申请学位类别工学硕士万方数据万方数据FinFETSRAM中子辐射效应研究学校代码10701类分类号号TN4学号号1411122726密级级公开西...
近日,信电学院赵毅教授课题组关于先进工艺节点14nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的论文被2017IEEE国际电子器件会议IEDM(InternationalElectronDevicesMeet...