当前位置：学术参考网 > 超宽禁带半导体金刚石论文
其中宽禁带半导体商用化程度越来越高，包括氮化镓、碳化硅等，而超宽禁带半导体包括金刚石、氧化镓和氮化铝等研究也有了进展。二、半导体材料的划代主要按照推出时间早晚划分，半导体材料目前已经划分到了第三代。第一代是从集成...
金刚石是一种超宽禁带半导体材料，其禁带宽度为5.5eV，比GaN、SiC等宽禁带半导体材料还要大。如下表所示，金刚石禁带宽度是Si的5倍；载流子迁移率也是Si材料的3倍，理论上金刚石的载流子迁移率比现有的宽禁带半导体材料（GaN、SiC）也要高2倍以上，同时，金刚石在室温下有极低的本征…
以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显着的优势和巨大的发展潜力。
以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料（禁带宽度＞4.5eV）的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。这类半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电子器件等领域具有显著的优势和巨大的发展潜力，目前正...
以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显著的优势和巨大的发展潜力。
四月份，由西安电子科技大学张金凤教授主讲的“超宽禁带半导体研究新进展”学术讲座在研究院举行，也是我院《微电子技术新进展》系列课程之一。.张金凤，教授，博士生导师，发表SCI论文30余篇，获得2012年陕西省科学技术一等奖、2018年教育部高等学校...
论文成果专利著作成果科研项目科研团队教学研究教学资源授课信息教学成果...开辟了本校超宽禁带金刚石半导体材料和器件研究方向，依托实验室建立了金刚石和器件研制平台，实现了高起点跨越式发展。在国内率先开展的MoO3介质金刚石...
以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显着的优势和巨大的发展潜力。
宽禁带半导体材料的电子结构与性质研究.郭猛.【摘要】：宽禁带半导体通常是指禁带宽度大于2.2eV的半导体,也称高温半导体,主要包括第四主族半导体(金刚石、SiC)、Ⅲ族氮化物(BN、AIN、GaN等)、过渡金属氧化物(TiO2、ZnO等)以及一些三元氧化物(SrTiO3、BiVO4等...
超宽禁带半导体异质集成研究获进展.2019-12-13来源：上海微系统与信息技术研究所.【字体：大中小】.语音播报.中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣课题组和西安电子科技大学郝跃课题组教授韩根全合作，在氧化镓功率器件领域取得新进展...
我偶然发现，就在12月14号，LLNL的科学家在APL（AppliedPhysicsLetters）上发表了一篇有趣但很复杂的论文，主要的观点就是，高品质的CVD培育钻石可用于“超...
氧化镓无疑是超宽禁带半导体材料的典型代表,禁带宽度可以接近5eV,在金刚石材料掺杂技术迟迟不能突破的今天,该工作在超宽禁带材料与功率器件领域具有里程碑式的重要意义。首先,异质...
氧化镓无疑是超宽禁带半导体材料的典型代表,禁带宽度可以接近5eV,在金刚石材料掺杂技术迟迟不能突破的今天,该工作在超宽禁带材料与功率器件领域具有里程碑式的重要意义。首先,异质...
以SiC/GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,超宽禁带半导体金刚石功率电子学将有可能成为下一代固态功率电子学的代表,受到研究人员的广泛关注。介绍了金刚石功...
趋势与展望超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展赵正平功率晶体管与逻辑电路端V鳎⑶蚁蚋過饥。。和高功率密度方向/甤産...中国电子科技集团有限公司,北...
氧化镓无疑是超宽禁带半导体材料的典型代表,禁带宽度可以接近5eV,在金刚石材料掺杂技术迟迟不能突破的今天,该工作在超宽禁带材料与功率器件领域具有里程碑式的...
氧化镓无疑是超宽禁带半导体材料的典型代表,禁带宽度可以接近5eV,在金刚石材料掺杂技术迟迟不能突破的今天,该工作在超宽禁带材料与功率器件领域具有里程碑式的重要意义。首先,异质...
现有半导体材料根据禁带宽度不同分为:窄禁带半导体材料(带隙小于2.3eV的锗、硅及III-V价元素等)、宽禁带半导体材料(带隙3.3～3.4eV的SiC、GaN)及超宽禁带半导体材料(带隙大于3.4eV的A...
窄禁带半导体材料﹝带隙小于2.3eV的锗、硅及III-V价元素等﹞、宽禁带半导体材料(带隙3.3～3.4eV的SiC、GaN)及超宽禁带半导体材料﹝带隙大于3...
1超宽禁带半导体材料的性能以金刚石、氮化铝、氧化镓和氮化硼为代表的收稿日期院2019-06-0648(总第278期)Oct援2019禁带宽度大于4eV超宽禁带半导体材...