当前位置:学术参考网 > 超窄带半导体材料论文
AdvancedMaterials:超窄带隙n型高分子半导体构筑高效全聚合物太阳能电池.得益于在近红外区域吸收上的突破,基于非富勒烯小分子受体的有机太阳能电池取得了超过16%的能量转换效率。.然而,由于缺乏优秀的窄带隙n型高分子受体,全聚合物太…
材料人报告推出半导体材料研究报告,此前已发布材料人报告丨宽带隙半导体材料研究报告。本文为第二篇:窄带隙半导体材料【简介】研究者一般将带隙低于3eV的材料定义为窄带隙半导体(小编暂未发现对窄带隙材料有严格的定义)。由于窄带隙半导体材料具有优异的吸光性能(一般来说带隙越...
南方科技大学郭旭岗教授课题组《Adv.Mater.》:超窄带隙的n型高分子半导体构筑高效全聚合物太阳能电池_中国聚合物网科教新闻.近日,南方科技大学材料科学与工程系郭旭岗教授课题组在AdvancedMaterials上发表利用氰基来构建具有超窄带隙n型高分子受体材料...
有机半导体基光电材料经历了长足的发展,经典的“给体—受体”结构设计是实现窄带隙有机半导体...关于有机半导体材料和器件的理论较为丰富...
同时,高效窄带隙有机光伏材料对于半透明有机太阳能电池的发展也非常重要。最近中科院化学所李永舫院士课题组在新型窄带隙受体光伏材料的设计和方面取得了重要进展,并将这种窄带隙受体材料应用到了高效叠层有机太阳能电池上(Nat.Commun.2021,
这表明氰基可以用来构建超窄带隙高分子受体材料,并能取得优异的器件性能,也反映了氰基作为强拉电子基团能明显提升高分子的n型性能。相关研究成果发表在《先进材料》上。图5n型高分子半导体在有机电子器件中的主要应用。(Chem2020,6,1310[6])
窄带隙二维半导体材料的及光电学性质的研究.袁建.【摘要】:继石墨烯之后,人们相继发现了几大类具有独特性能的二维材料,其中典型的代表包括二维过渡金属硫族化合物(TransitionMetalChalcogenides,TMCs),黑磷(Blackphosphorus,BP)和拓扑绝缘体(TopologicalInsulator,TI...
南方科技大学郭旭岗教授课题组《Adv.Mater.》:超窄带隙的n型高分子半导体构筑高效全聚合物太阳能电池2020-06-17南科大郭旭岗教授团队《Acc.Chem.Res.》邀请综述:基于双噻吩酰亚胺衍生物的n-型有机和高分子半导体2021-10-15
这表明利用超窄带隙的高分子受体材料与相容的高分子给体材料共混三元全聚合物太阳能电池是推进全聚合物太阳能电池发展的强有力手段。课题组博士后冯奎为该论文第一作者,郭旭岗为通…
课题组在基于双氰基苯并噻二唑的n型高分子半导体方面开展科研攻关(图4),取得了具备超窄带隙(1.28eV)的高分子半导体材料,该半导体在长波区域具有很强的吸收,打破了长期以来限制高分子受体材料在全聚合物电池中性能的瓶颈。
超材料窄带吸收器提出了一种基于金属环结构的太赫兹超窄带吸收器,其结构单元为典型的金属-介质-金属结构,顶层金属...doi:10.16818/j.issn1001-5868.2020.05.008沈涛潘武李燚...
半导体材料文献综述.doc,姓名:高东阳学号:1511090121学院:化工与材料学院专业:化学工程与工艺班级:B0901指导教师:张芳日期:2011年12月7日半导体...
尽管有这些问题,砷化镓仍是一种重要的半导体材料,其应用也将继续增多,而且在未来对计算机的性能可能有很大影响。锗化硅与砷化镓有竞争性的材料是锗化硅。这样的结合把晶体管的速度...
储能材料、屏蔽导电橡胶和毫米波吸波材料领域的研究及相关材料开发等。德尔未来(002631)从事石墨烯智能穿戴应用、能源材料、器件及功能涂料应用,二维半...
不同材料带来不同dielectric性能。不同材料搭建的通道(channel)中电子通过性和损耗与之相关。MosFET,FIN...
(超)宽禁带半导体材料非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件,其具有良好的抗辐射能力及化学稳定性、较高的饱和电子漂移速度及导热率、优异...
第三代半导体材料是功率半导体跃进的基石。第三代半导体材料众多战略行业可以降低50%以上的能量损失,最高可以使装备体积减小75%以上,是半导体产业进一步跃进的基石。先进半导体材...
14超纯铜及其在半导体材料中的应用2021年中国铜产业年度大会暨中国(三门峡)铜产业高质量发展大会文集2021年15岛津高能Ag靶在GaN半导体材料表征中的应用中国化学会2019能源材料和缺陷化...
相较目前主流的硅晶圆(Si),第三代半导体材料SiC及GaN除了耐高电压的特色外,也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势,不仅可使芯片面积可大幅减少,并能简化周边电路的设计,达到减少...
(超)宽禁带半导体材料、器件和芯片研究进展演讲人:马晓华时间:2020-12-15,AM10:00地点:南山智园崇文园区3号楼520室行政服务大厅|人才招聘|招标采购|就业信息|信息公开|预决...