虽然我国GaAs基半导体激光器（LD）和GaN基发光二极管（LED）产业取得了较大进展，但外延材料、芯片及其器件等关键技术因其涉及国防安全，长期被美、日、欧等发达国家垄断。本项目旨在建立具有自主知识产权的高功率GaAs基LD和高光
最新博士论文—《GaAs表面钝化及在1.06μm高功率半导体激光器腔面钝化中的应用研究》摘要第1-7页ABSTRACT第7-16页第1章绪论第16-40页1.1选题的背景及意义第16-17页
GaAs基异质结双极晶体管（HBT）的模拟、设计与制作,异质结双极晶体管(HBT),分子束外延(MBE),器件模拟,频率特性。异质结双极晶体管(HBT)的特点具有宽带隙的发射区,能大大提高发射结的载流子注入效率,降低基区串联电阻,其优异的性能包括...
掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料特性研究,稀磁性半导体,离子注入,快速热退火,铁磁性,居里温度。稀磁性半导体(DMS)是指在半导体化合物中,由磁性过渡族金属离子部分替代非磁性离子所形成的一类新型半导体材料。由于这种材...
半导体光电杂志2019年第6期GaAs材料非平衡热电子的瞬态输运及其光电导特性用户：投期刊网2020-02-06上传侵权/申诉导语本论文发表于半导体光电杂志，属于电子相关论文范文材料。仅供大家论文…
博士毕业论文—《质子辐射对GaAs和InP纳米线结构空间位移损伤特性研究》摘要第1-6页ABSTRACT第6-16页第1章绪论第16-34页1.1课题的背景及研究的目的和意义
2.1GaAs的电子结构32.2Mn掺杂GaAs的稳定构型、磁性来源42.3Mn掺杂GaAs的电子结构52.4Mn掺杂GaAs稀磁半导体的应用前景63.结束语7参考文献8致谢10Mn掺杂GaAs稀磁半导体的第一性原理研究引言
2、GaAs(以及什么InGaAs之类三元的)在形成PN结的时候它的P区和N区在MOCVD或MBE生长过程中依靠控制有机源或束源炉的流量和生长压力、温度、衬底取向等诸多条件可以生长而成。你最好去看一下"化合物半导体”，或“MOCVD”等方面的书籍，
1.2GaAs光电阴极研究现状第12-15页1.3GaAs光电阴极特征参数第15-17页1.4GaAs光电阴极面临挑战第17-21页1.5研究背景和意义第21-22页1.6论文的主要内容第22-24页2GaAs阵列光电阴极光电发射理论及分析第24-45页2.1引言第24
论文|高功率脊形半导体激光器模式特性研究论文|脊型波导形状对单模半导体激光器输出特性的影响研究论文|MBE生长940nm半导体激光器研究
文秘帮半导体论文范文,1980年前,我国半导体产业已经形成较完整的包括设备、原料、制造、工艺等方面的科研和生产体系,主要分布于原电子部(信息产业部)、中国科...
砷化镓(GaAs)半导体材料生产项目可行性研究总论项目名称及承办单位1.1.1项目名称年产“砷化镓”60万片、“高纯砷”200T生产项目。1.1.2承办单位概况由成...
砷化镓半导体材料论文.doc下载后只包含1个DOC格式的文档,没有任何的图纸或源代码,查看文件列表特别说明:文档预览什么样,下载就是什么样。下载前请先预览,...
(论文)GaAs基半导体激光器热特性下载积分:1500内容提示:第40卷第11期红外与激光工程InfraredandLaserEngineering2011年11月V01.40No.11Nov.2011G...
论文>大学论文>2015砷化镓(GaAs)研究报告2015砷化镓(GaAs)研究报告新材料在线2015年10月01GaAs是重要的化合物半导体材料GaAs的基本性质表1-1三...
GaAs半导体薄膜电沉积的研究杨春晖徐吾生韩岩杨兆明韩爱珍叶水驰高元凯【摘要】:利用改进试验装置,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法,电沉积出Ga...
本文围绕单根GaAs纳米线及GaAs/InGaAs/GaAs纳米线径向异质结构的导模特性开展了理论研究工作,主要研究成果如下:1、介绍了半导体纳米线的控制方法及其在光电子器件方面的...
gaas半导体表面的等离子氮钝化特性研究文档格式:.pdf文档页数:4页文档大小:2.1M文档热度:文档分类:论文--期刊/会议论文系统标签:gaas等离子钝...
分类:教育论文网→工业技术论文→无线电电子学、电信技术论文→半导体技术论文→半导体三极管(晶体管)论文→晶体管:按工艺分论文InGaAs/GaAsPHEMT器件模型的建立与优化论...
当年我的毕业论文就是GaAs功率器件,那时玩这个的不多,参考文献也找不出几本,主流是CMOS场效应,化合物半导体器件只是开头,抄都没地方抄,也不记得论文答辩是怎么过关的了,毕竟3...