原文介绍10篇介绍GANs以及最新进展的论文，跟原文介绍顺序有所不同，我是根据时间顺序，从最开始提出的GANs论文到目前最新的来介绍，这十篇分别如下所示：.GenerativeAdversarialNetworks，2014.ConditionalGANs，2014.DCGAN，2015.…
天津大学硕士学位论文GaN基HEMT器件的基础研究姓名：刘芳申请学位级别：硕士专业：物理电子学指导教师：王涛20070101中文摘要随着高频无线通讯产业的发展，高电子迁移率晶体管（印三MT）因为其低噪声、高功率等特点，在通讯产业中占有越来越重要的地位。
GaN基异质结的纵向结构设计主要有势垒层设计和沟道设计两个方面，主要是利用极化效应来实现器件性能的优化。GaN基HEMT器件自诞生以来，器件的性能的稳定性就一直受到电流崩塌效应的危害。图1-2给出了电流崩塌原理示意图。
GaN基Ⅲ族氮化物外延生长及相关器件的研究.张恒.【摘要】：自2000年以来,以氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为主的Ⅲ族氮化物半导体异质结构及相关电子器件得到了快速发展。.这些Ⅲ族氮化物半导体材料因为所具备的突出的物理、化学性能而被普遍...
GaN基HEMT器件的基础分析.pdf,中文摘要随着高频无线通讯产业的发展，高电子迁移率晶体管(印三MT)因为其低噪声、高功率等特点，在通讯产业中占有越来越重要的地位。而化合物半导体异质结界面二维电子气(2DEG)的浓度及其分布，直接影响基于...
相关会议论文前1条1王蓉;王志功;;20Gb/s52dBΩGaAsPHEMT共源共栅跨阻前置放大器[A];全国第十三次光纤通信暨第十四届集成光学学术会议论文集[C];2007年相关硕士学位论文前2条1霍宇;GaNHEMT器件和GaAsPHEMT器件对比特性研究[D];山东大学
Keysight与Focus可以一起向客户提供完整的GaN器件建模解决方案，本文提供了完整的GaN射频功率器件解决方案。文章的主要内容如下：1.GaN技术的发展及应用2.射频器件模型的种类3.实
学习氮化镓（GaN）材料与器件有哪些推荐的书籍？.RongmingChu和Shinohara最近（2019）编辑了一本书III-Nitrideelectronicdevices.内容比较新，值得一读。.如果你将来打算做射频的话，很多细节的地方可以看看Palacios的学生JinwookChung和DongSeupLee的博士论文，有很多关于...
论文写作指导：请加QQ2784176836导读:本论文可用于器件功率论文范文参考下载，器件功率相关论文写作参考研究。湘能华磊光电股份有限公司湖南郴州背景随着经济的增长,人们的日常活动中越来越依赖电子化的数据和设备.这为功率电子产业的...
硅基GaN功率器件缺陷相关可靠性机理研究.【摘要】：因具有高击穿电压、高电子迁移率、高饱和电子速度和高载流子迁移率等优异性能,硅基氮化镓异质结高电子迁移率晶体管(AlGaN/GaNHighElectronMobilityTransistors,HEMTs)功率器件正成为下一代高效功率电子的强有力...
.51.3增强型GaN器件的性能评估……….71.3.1增强型GaN器件的性能………71.3.2增强型GaN器件的应用特性……...29万方数据北京交通大学硕士学位论文3.4.2采用LM5113的驱动...
论文>毕业论文>GaN器件应用基础技术研究GaN器件应用基础技术研究作为电力电子变换器核心之一的功率半导体器件,其每次更新都会使变换器性能得到提升。第...
由于GaN体单晶难以,生长高质量的薄膜单晶材料是研究开发GaN基器件的基本前提条件,同时器件的发展对电极的提出了更高的要求,因而研究金属电极与GaN的...
《关于GaN研究的毕业论文.docx》由会员分享,可免费在线阅读全文,更多与《关于GaN研究的毕业论文》相关文档资源请在帮帮文库(woc88)数亿文档库存里搜索...
【摘要】:基于AlGaN/GaN异质结的肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,SBD)和高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilityTransistor,HEMT)开关器件具有耐压高、导通阻值...
本文首先介绍了GaN器件的发展与现状,并对其特性与优势进行总结,选取LLC谐振变换器作为增强型GaN器件应用特性的研究拓扑:其次研究了增强型GaN晶体管的静态特性与动态特性,与MO...
具有非常广阔的市场前景，也面临着材料生长、器件结构设计和可靠性等方面的挑战。基于此，主要针对这两种器件综述介绍并进行了展望。欢迎大家下载学习：GaN基...
GaN微电子器件的研究进展.pdf,281Vol.28No.120113JournaloftheHebeiAcademyofSciencesMar.2011:1001-9383(2011)01-0049-07GaN12,3,45吕曼...
高功率ganhemt器件建模研究论文.pdf文档介绍:中国科学技术大学硕士学位论文高功率GaNHEMT器件建模研究作者姓名:学科专业:导师姓名:完成时间:钱伟强电路...
61.2GaN衬底材料与器件的应用前景...71.3GaN衬底材料方法...文档格式:DOCX|页数:63页|浏览次数:1|上传日期:2016-11-2321:07:36|文档星...