【毕业论文】MOSFET器件及其开关电源设计论文.doc,lMOSFET器件及其开关电源设计与制作摘要：MOSFTE器件从发明以来因其控制电路简单、开关频率快等各方面优点，受到电子设计者的青睐，在通信、控制、电源等领域得到广泛应用。本文针对...
No.1Jan.2013JournalPowerSupply基于MOS管串联开关的高压脉冲电源设计(1.合肥华耀电子工业有限公司，安徽合肥230088；2.安徽四创电子股份有限公司，安徽合肥230088)摘要：介绍了一种基于MOS管串联开关的高压脉冲电源设计方案...
一种具有高线性度MOS采样开关的采样保持电路-论文第36卷第5期2013年10月电子器件ChineseJournalofElectronDevicesVo1．36No．5Oct...
PMOS功率管开关电路设计.docx,PMOS开关管电路设计指南V1.0PAGE\*MERGEFORMAT7PMOS开关管电路设计指南2013/7/18本文档的目的1）能够根据本指南进行PMOS管开关电路设计更新说明序号修改项修改理由修改人修改日期1无首版...
mos管开关电路图（一）图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，由于Q1是一个P沟道管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，3v稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作不开机！这时，…
详细MOSFET管驱动电路资料.pdf,详细讲解MOSFET管驱动电路在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的...
我们在应用MOS管和设计MOS管驱动的时候，有很多寄生参数，其中最影响MOS管开关性能的是源边感抗。寄生的源边感抗主要有两种来源，第一个就是晶圆DIE和封装之间的Bonding线的感抗，另外一个就是源边引脚到地的PCB走线的感抗（地是作为...
这是什么电路，能和我说说原理吗，我写论文?貌似是三极管和mos管构成的开关电源电路，又是功放电路?q8三极管，q4mos管。.q8左边两电阻提供偏置，q8上面100k确保导通压降尽可能低（但同时三极管关断速度会变慢），mos管导通由三极管基集电极电压确定是否导...
论文集MOS模拟开关技术在PWM信号驱动电路中的应用（湖南大学电气与信息工程学院，湖南长沙410082）摘要介绍了MOS模拟开关的原理，以厦以MOS模拟开关为核。.构成数字信号处理器的PWM信号输出驱动电路，精确触发和关断晶闸管整流器，实现同步发电机励磁...
MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点.我们在应用MOS管和设计MOS管驱动的时候，有很多寄生参数，其中最影响MOS管开关性能的是源边感抗。.寄生的源边感抗主要有两种来源，第一个就是晶圆DIE和封装之间的Bonding线的感抗，另外一个就是源边引脚到地的PCB走线...
图4.1-1中模拟的失调电压在MOS开关中不存在,因此,在MOS开关性能中不必考虑。图4.1-1中的电容CA、CB、CAC和CBC直接对应于MOS管的电容CBS、CBD、CGS和CCD(见图3.2-1)。MOS管的CAB很小,通常可以忽略。
在DC/DC开关电路中选择MOSFET是个非常艰巨而复杂的过程。一方面要考虑到MOS管的额定电压以及电流参数等问题,另一方面还要考虑MOSFET在规定的范围内,一定要在低栅极电荷和低导通电阻...
[导读]我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别?下面我们从实例出发解析两者的区别关键词:MOSFET三极管我们在做电路设计中三极管和MOS管做开...
MOS管的等效模型与Vgs、Vds震荡分析参考论文《Analysisofdv/dtInducedSpuriousTurn-onofMOSFET》,其分析计算结果有Vgs的峰值电压满足关系:其中K为Vds改变速率。可以得到结...
如何用mos管设计一个控制电源开关的电路？要求电流最高可通过300mA。我主要是用来给GPRS供电，但有时它...
■mos管开关电路中要用到MOS场效应管来代替开关，场效应管有三个极：源极S、漏极D和栅极（或叫控制...
本实用新型公开一种基于MOS开关管的控制开关,其包括启动电路,PMOS管开关电路,PWM方波信号产生电路,IO口检测电路,整流电路,启动电路的输出端接于PMOS管开关电路的输入端,PMOS...
哈尔滨工业大学工学硕士学位论文44键模块。MOS开关具有良好的通断特性但是它的一些非理想特性如时钟馈通和沟道电荷注入需要特别的关注尤其是时钟馈通效应...