MOSFET的工作就是通过控制MOS的半导体表面势阱——反型层（导电沟道）来实现的。（1）反型层（沟道）的产生和消消除：产生反型层或者使反型层消失，这都可以利用栅极电压来加以控制。使反型层产生或者消失时的栅极电压就是器件的阈值电压V。
应变硅pMOS反型层中空穴迁移率k·p及蒙特卡罗模拟研究-对应变硅pMOS反型层中的空穴迁移率进行了理论研究.使用应力相关的6能带k·P模型,自洽地求解垂直于沟道方向的一维薛定谔方程与泊松方...
虽然反型层中的载流子浓度很大，但是由于其厚度很薄，所以在面电荷数量上，与其下面耗尽层中的空间面电荷数量相比，则还是很小的。因此，在讨论MOS电容时，往往即可忽略反型层中这些电荷的影响。（7）反型层（沟道）中的载流子是二维自由载流子：
MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法,最后提出了利用线性区I-V特性方程测定宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的方法,...中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集[C];2002年中国博士学位论文全文数据库前1条1尚也...
这里把MOS管工作于弱反型或亚阈值区时的一些问题和特性小结一下：.当MOSFET的Vgs接近其阈值电压Vth时，MOS管工作在弱反型（或亚阈值区），在结构上类似于两个背靠背的二极管相连。.这样我们分析时，可将其看成横向的BJT的结构，与一般的BJT不同的...
本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014青岛大学毕业论文(设计)任务书学生姓名:同组学生:指导教师:下发日期:2014MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研摘要：本文主要介绍了...
如题，哪位达人知道一下，急哪里有相关的介绍，谢谢这个主要根据沟道层中的电荷是如何产生来区分，如果是像电容一样，沟道中的电荷是由于电极电压诱导（相斥，异性相吸）而产生的，也就是积累得到，那么就是积累型，一般薄膜晶体管（TFT）多属于这类。
负压CMOS电荷泵的研究与设计.上海大学硕士学位论文摘要随着科技的进步，半导体技术得到了突飞猛进的发展。.为了满足多元化和高性能的需求，电子产品的电路结构越来越复杂，使得系统工程中经常会遇到这样一种问题，那就是在一个大的系统中，各子...
MOS器件建模及概述.ppt,沟道中扩散电流：弱反型：源端：Vcb=Vsb;漏端：Vcb=Vsb+Vds代入上式可得到源、漏端反型层电荷，最后可推导出漏电流亚阈值斜率S：亚阈值电流每变化一个数量级所要求栅压的变化量.----标志开关特性的好坏...
MOSFET亚阈值斜率随温度变化关系研究作者：作者单位：齐领(广东工业大材料学院广州510006电子元器件可靠性物理机器应用技术国家级重点实广州510610)，恩云飞,章晓文(电子元器件可靠性物理机器应用技术国家级重点实验广州510610)本文读者也读过
MOSFET的核心部分是栅极及其下面的MOS系统。MOSFET的工作就是通过控制MOS的半导体表面势阱——反型层(导电沟道)来实现的。(1)反型层(沟道)的产生和消消除:产...
在超深亚微米MOS器件中,量子效应对器件特性的影响很大.根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOS器件反型层和多晶硅栅中电子的量子效应进行了建模,得到了...
为深入研究半导体表面过程,主要针对Zerbst方程,用数值拟合法,给出脉冲电压作用下MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解,进而得出与实验结果符合较好的表面...
MOS表面反型层少子时变效应研究刘艳红魏希文许铭真谭长华【摘要】:为深入研究半导体表面过程,主要针对Zerbst方程,用数值拟合法,给出脉冲电压作用下MOS器件半导体表...
黄金彪东南大学CNKI半导体技术丁辛芳;于克南;徐一禾等.MOS反型层中迁移率的测试技术.半导体技术.1986丁辛芳,于克南,徐一禾,等.MOS反型层中迁移率的测试技术[J].半导体技术,19...
MOS管反型导电沟道特性研究MOSFET的核心部分是栅极及其下面的MOS系统MOSFET的工作就是通过控制MOS的半导体表面势阱反型层导电沟道来实现的1反型层沟道的产生和消...
分类号:TN386.1DOI:10.3969/j.issn.1001-0505.1994.05.007摘要:根据三角形势场近似,给出了MOS反型层波函数的解析表达式,计算了量子化效应作用下反型层电...
论文>期刊/会议论文>MOS反型层量子化效应的解析计算文档在线分享于2013-12-2101:56:2.0MOS反型层量子化效应的解析计算文档格式:.pdf文档页数:4页...
对于增强型场效应管，以N沟道增强型MOS场效应管为例，VGS=0时不存在导电沟道，当VGS>0时，导电沟道...
MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型(2007年),在超深亚微米MOs器件中,量子效应对器件特性的影响很大根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOs器件反型...