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材料导报A：综述篇2014SiC单晶材料工艺研究进展。西安工业大学机电工程学院，西安710032；2陕西师范大学，西安710062)摘要SiC单晶片是第三代宽禁带半导体材料，其特有的晶体结构及高的材料硬度使其过程成为难点，突表现为...
单晶硅材料机械性能研究及进展(论文资料),单晶硅材料,单晶硅论文,材料物理性能...弯强度产生影响氧团沿位错所造成的增强错配所引起的弹互作用构成钉扎能力从而使单晶抗弯强度有研究者推测这可能是氮与硅这种络合物沿位...
单晶型高镍三元材料研究进展.李林森钱冠男马紫峰.【摘要】：正能够提供高能量密度的高镍三元正极材料(NMC622,811和NCA)正在逐步成为新能源汽车动力电池的主流选择。.[1]该类材料性能和安全性继续提高的一个制约点在于其微观结构。.目前通过共沉淀法和...
近日，我校化学与化工学院青年教师姚子硕特别研究员设计了一种通过分子轮“进动”驱动单晶材料机械伸缩的新型巨热膨胀单晶材料。相关成果以“Giantanisotropicthermalexpansionactuatedbythermodynamicallyassistedreorientationof...
尽管单晶SnSe热电材料已经取得了一系列重大突破,但目前常见的方法对设备要求严苛,且材料本身电导率较低、机械性能较差等缺陷使其仍旧处于实验室研究阶段,无法实现商业应用。.本论文尝试采用操作更为简便的熔剂法单晶SnSe热电材料,并结合第一性...
目前的三元正极材料的颗粒是由一次颗粒团聚而形成的二次颗粒球。而单晶（single-crystalormonocrystal）三元正极材料的颗粒均为分散的一次颗粒。这种独特的微观形貌使得单晶三元材料相比二次球材料有着许多优势。，单晶三元正极材料的性能与研究…
半导体材料研究论文.doc,半导体材料研究论文半导体材料研究论文摘要本文重点对半导体硅材料，GaAs和InP单晶材料，半导体超晶格、量子阱材料，一维量子线、零维量子点半导体微结构材料，宽带隙半导体材料，光子晶体材料，量子比特构建与材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋…
刊名：中国材料进展曾用名：稀有金属快报;稀有金属简报主办：中国材料研究学会ISSN：1674-3962CN：61-1473/TG语言：中文周期：月刊被引频次：22347期刊分类：冶金能源
1宫继祥;;新型换能器材料—单晶的研究进展及其应用[A];2004年全国水声学学术会议论文集[C];2004年2冯强;LauraJ.Rowland;TresaM.Pollock;;先进高温合金单晶材料[A];2004年中国材料研讨会论文摘要集[C];2004年3姚子硕;陶军;;开发具有柔性结构的性质可调控分子基晶体[A];中国化学会第八届全国配位化学会议论文...
我国学者在有序大孔单晶材料研究方面取得重要进展.图1.A）有序大孔MOF单晶材料示意图；B）SOM-ZIF-8的SEM图；C）单个MOF晶体不同方向的SEM图。.图2.SOM-ZIF-8的<011>面的TEM图片。.左图插图为SAED谱图，中图插图为FT谱图。.
摘要本文重点对半导体硅材料,GaAs和InP单晶材料,半导体超晶格、量子阱材料,一维量子线、零维量子点半导体微结构材料,宽带隙半导体材料,光子晶体材料,量子比特构...
论文—晶体学和晶体材料研究的进展晶体学和晶体材料研究的进展发布日期:2004年12月21日09时01随着计算机技术和激光技术的发展,人类已经走进了崭新的光电...
单晶硅材料机械性能研究及进展(论文资料),单晶硅材料,单晶硅论文,材料物理性能论文,单晶硅,单晶硅回收,单晶硅太阳能电池板,单晶硅价格,单晶硅太阳能电池,单晶硅...
【摘要】:本文综述了硅材料的机械性能研究进展和相应的研究方法。利用高温拉伸、抗弯测试和显微压痕测试等研究手段,指出硅材料表面状况、位错和杂质是其机械性...
【摘要】:本文简介了单晶材料的研究历史,发展过程。重点论述了近几年国内外单晶材料研究的实质性进展,特别是换能器应用的新成就。通过对驰豫型单晶材料的性能分析,期望在声纳...
内容提示:单晶体材料内应力研究进展/孙云等·l·单晶体材料内应力研究进展孙云,王圣来,顾庆天,丁建旭,刘光霞,刘文洁,朱胜军(山东大学晶体材料...
单晶SnSe热电材料因其优异的热电性能成为热电研究领域的“明星材料”截至目前,p型SnSe单晶材料在b方向上获得了2.6@923K的高热电优值,n型SnSe单晶材料在层间...
内容提示:晶体学和晶体材料研究的进展发布日期2004年12月21日09时01分随着计算机技术和激光技术的发展人类已经走进了崭新的光电子时代而实现这...
(中船重工第715研究所,浙江省富阳市311400)摘要:本文简介了单晶材料的研究历史,发展过程。重点论述了近几年国内外单晶材料研究的实质性进展,特别是换能器应用...
SiC具有一系列优良的物理化学特性,除了禁带宽度,还具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点,随着单晶材料的技术突破,这些性质使得SiC成为研究和产...