近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所功能材料物理与器件研究部研究员朱雪斌课题组在氮化钒（VN）超级电容器材料研究中取得进展。研究人员采用溶液法在硅基片上出多孔VN薄膜，该薄膜显示出优异的超级电容器性能。相关研究成果以Solution-processablehierarchical-porous…
2019年中国氮化硅薄膜市场规模达到了XX亿元，预计2026年可以达到XX亿元，未来几年年复合增长率(CAGR)为XX%。本报告研究中国市场氮化硅薄膜的生产、消费及进出口情况，重点关注在中国市场扮演重要角色的全球及本土…
PECVD法富硅氮化硅薄膜及其发光特性研究.【摘要】：晶体硅是能带较窄(Eg=1.12eV)的间接带隙材料,采用纳米技术的多孔硅、纳米硅薄膜、富硅氧化硅、超晶格结构等,通过量子限制效应、缺陷态以及表面态的作用会促进硅基材料的有效发光的有效发光...
氮化硅薄膜及其相关特性研究,减反射膜,氮化硅,PECVD,光学性能。氮化硅薄膜具有高的化学稳定性、高电阻率、绝缘性好、硬度高、光学性能良好等特性,在半导体器件、微电子工业、光电子工业、太...
主要是我们这边没这方面的仪器，我们这里只有一台最普通的光刻机，虽然分辨率写着是5微米，但是普通条件下只能做50微米的孔。而且我们这里没有干法刻蚀，所以想做5微米这么小的孔没有办法。所以我想自己去找仪器去。不知道用什么方法最容易实现，也最便宜。
氮化硅纳米薄膜非平衡热导率实验研究-3ω实验方法是一种可以对薄膜热导率进行瞬时测量的方法。根据3ω方法测试原理。搭建了薄膜导热系数测试平台,并且分别测试低频率段和高频段薄膜与基底的温升以及薄...
氮化镓（GaN）作为典型的第三代宽禁带半导体材料,在光电子器件和电子器件领域具有广泛的应用前景。相比于常用的氮化镓外延用蓝宝石和碳化硅（SiC）衬底,硅衬底更容易实现大尺寸,且具有低成本和良好的导热性与导电性等诸多优势。但由于其与氮化镓薄膜之间存在着较大的晶
基于这些优点,本论文利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法富硅-氮化硅薄膜材料,研究沉积参数对富硅-氮化硅薄膜结构的影响,以及薄膜后再进行退火处理的发光特性质的研究,有益于得出最佳的工艺参数应用于材料的中。.本文利用射频PECVD法...
本论文主要对囊泡法铺设的磷脂膜在氮化硅纳米孔表面形成半固定结构的稳定性和流动性进行探究,并利用刷膜法搭建了一种新型的复合纳米孔平台,在氮化硅固态纳米孔阵列表面铺设磷脂膜并插入诱变后的M3型MspA蛋白,并对该平台进行检测。
(保密的论文在解密后应遵守此规定)期:a-oil.II劲武汉理工大学硕士学位论文摘要氮化硅薄膜具有很多优异的物理化学性能,例如:硬度大、高的热稳定性、很好的化...
氮化硅薄膜具有高的化学稳定性、高电阻率、绝缘性好、硬度高、光学性能良好等特性,在半导体器件、微电子工业、光电子工业、太阳能电池等方有广泛的应用。...
41,No.3June,2019文章编号:1005-5630(2019)03-0081-06DOI:10.3969/j.issn.1005-5630.2019.03.013PECVD氮化硅薄膜性质及工艺研究李攀1,张倩2,夏金松1,卢...
氮化硅薄膜的性能及其应用.pdf,3.30:复合膜的显微形貌及孔径分布Zr02/S图5凉膜后的A1203陶瓷基板的SEM照片可以发现其孔径基本分布在0.1～2.09in范围内。相...
文中采用化学气相沉积(CVD)工艺在气孔率不同的块状石英材料基体上氮化硅薄膜并对所得产品进行了扫描电子显微镜(SEM)及傅立叶变换红外光谱(FTIR)表征,实验结果显示,在较短...
内容提示:人连理大学硕士学位论文摘要氮化硅薄膜具有高的化学稳定性、高电阻率、绝缘性好、硬度高、光学性能良好等特性在半导体器件、微电子工业、光电子工...
与本课题组以前使用精细氮化硅粉直接烧结获得的贝塔氮化硅陶瓷膜相比,我们采用的硅粉为原料来反应烧结键结β-Si_3N_4(β-SRBSN),成本大幅降低。由于氮化硅陶瓷膜的天然亲...
因此针对氮化硅薄膜的热学性能,特别是热导率,设计相应的微测试结构,并对其进行准确的测试和分析有着重大的意义。首先,本文简单描述了高频氮化硅的PECVD设备,并详细地记录...
摘要:纳米压入法在薄膜材料力学性能测试领域中有着广泛的应用。本文利用纳米压入技术对PECVD氮化硅(SiNx)薄膜的力学性能进行了测量与分析,通过对加载卸载曲线的...
PECVD氮化硅薄膜的和研究,氮化硅薄膜,PECVD,淀积速率,椭圆偏振仪。我们设计制造了一套PECVD低温淀积氮化硅的小型设备。并将生成膜用于半导体器件的钝化。本文介绍了这套...