等离子刻蚀工艺的发展趋势高刻蚀速度和高均匀性一直是微细技术发展的主要内容,随着基片尺寸不断增大,器件结构尺寸不断缩小,这些要求就更为突出。新的等离子体产生方式是近年来干法刻蚀技术发展的重点。电子回旋共振(ECR)技术已得到普遍应用。
干法刻蚀技术的应用与发展.在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。.而干法刻蚀是一个惯称，它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。.经过二十多年的发展，经历了多样化的发展过程，使技术不断完善和创新。.一定...
等离子刻蚀工艺原理介绍.ppt,等离子刻蚀工艺原理介绍Etch/CSMC2011.10.14概述什么是Plasma为什么Plasma运用在干法刻蚀中各向异性刻蚀中的圆片偏压圆片偏压的产生-1圆片偏压的产生-2Plasma刻蚀中的功率耦合电容耦合电感耦合电容/电感...
刻蚀工艺技术应用研究分析毕业设计论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计（论文）摘要在半导体出现在人们的视野中后，就很大的程度上改变了人类的生活和生产。半导体出了在计算机领域应用之外，还广泛的...
干法刻蚀技术的应用与发展.doc,...干法刻蚀技术的应用与发展摘要在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称，它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展，经历了多样化的发展过程，使技术不断完善和创新。
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等离子体刻蚀技术基于低压时在气体中产生的等离子体，常用的两种基本方法是物理方法和化学方法，前者包含溅射刻蚀，后者包含纯粹的化学刻蚀。干法刻蚀是等离子体辅助刻蚀的代名词，用于高精度的图形转移。目前我国刻蚀工艺以及刻蚀...
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：准原子层蚀刻的硅氮化物作者：炬丰科技编号：JFKJ-21-727摘要原子层蚀刻(ALE)是一种很有前途的技术，可以解决与连续或脉冲等离子体过程相关的挑战——选择性、轮廓和长宽比相关的蚀刻之间的权衡。
即将出现的另一项技术是分子层蚀刻（MLE）。原子层蚀刻早在1990年代就诞生了，它是基于等离子体的，但是由于涉及到各向原子层蚀刻的无机材料已经有了长足的进步，所以今天发展了更先进的分子层蚀刻，以利用有机/无机杂化材料。
刻蚀腔室内衬用抗等离子体腐蚀涂层的研究现状.北京美桥电子设备有限公司，北京100022；2.中科院微电子研究所，北京100029；北京廊桥材料技术有限公司，北京100089；4.北京科技大学，北京100083）摘要：干法刻蚀技术产生的等离子体会对半导体制造工艺以及...
本发明的等离子蚀刻方法，其相对于与被蚀刻膜不同的膜选择地蚀刻所述被蚀刻膜，其特征在于，使用能够生成含有与所述膜的成分同样成分的堆积膜的气体，等离子蚀刻...
半导体等离子蚀刻工艺研究贝思德顾问大学ASS研究中心EMAIL:fhwen9888@163TEL:0755264876192009-3-31BIM做精益六西格玛领先品牌1等离子蚀刻工艺均匀度分析2009-3-...
内容提示:论文:等离子体刻蚀工艺的优化研究论文网本文作者(王晓光朱晓明尹延昭),请您在阅读本文时尊重作者版权。摘要:本文基于对硅的等离子刻蚀(RIE)工艺...
等离子干法蚀刻技术特点以及典型材料应用:等离子蚀刻机又称等离子刻蚀机、等离子平面蚀刻机,等离子表面处理仪,等离子清洗系统等。等离子体刻蚀,是干法刻蚀中常见的一种形式,其原理...
等离子技术蚀刻的应用范围-任何需要进行精确且高效修改的材料表面。-用于蚀刻塑料、半导体、玻璃未经处理的表面-经过等离子处理的表面对比部件表面被激发...
O2流量为10sccm,CF4流量为30sccm和刻蚀时间为1h;在此工艺参数下,施加射频偏压对石英玻璃表面粗糙度有所改善,表面处理效果比较理想,粗糙度能够达到1.19nm,刻蚀速率为153.33nm/...
ul.iac等离子体刻蚀工艺的物理基础大连理工大学物理系三束材料表面改性国家重点实验室大连116024)摘要介绍了等离子体刻蚀工艺背景以及有关等离子体刻蚀机...
晶圆表面等离子蚀刻均匀性控制技术的进步_电子/电路_工程科技_专业资料。电子专用设备研究电子工业专用设备-晶圆表面等离子蚀刻均匀性控制技术的进...
等离子技术蚀刻的应用范围－任何需要进行精确且高效修改的材料表面。－用于蚀刻塑料、半导体、玻璃未经处理的表面-经过等离子处理的表面对比部件表面被激发的工艺气体蚀刻。通过...
相关论文评论(0)(0)硅介质材料的等离子刻蚀选择比研究首发时间:2019-11-08刘珂1刘珂(1988-),男,工程师,主要研究方向:硅基材料的等离子体刻蚀工艺...