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摘要：反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险.介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺,氮化硅,二氧化硅,铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方,研究了RIE草地现象形成机理,给出了避免草地现象的...
硅的反应离子刻蚀工艺参数研究.(南京师范大学光电技术江苏省重点实验室,江苏南京210097)摘要]对硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频...
反应离子刻蚀的机理及其实验研究方法.【摘要】：反应离子刻蚀业已成为制造集成电路的一项重要技术。.本文扼要地论述四类干法刻蚀的机理:物理刻蚀,化学刻蚀,化学-物理刻蚀及光化学刻蚀。.文中较详细地给出Si,SiO_2、Si_3N_4、Al、和Ⅲ-V族半导体化合物的...
反应离子刻蚀设备的方案设计研究.【摘要】：作为等离子体干法刻蚀技术的一种,反应离子刻蚀诞生于20世纪70年代。.虽然在近几十年里,不断有新的刻蚀方法涌现,但由于反应离子刻蚀具有良好的刻蚀性能,且对金属和介质都能实现刻蚀,因此反应离子刻蚀至今仍...
本论文的目的是通过对反应离子刻蚀技术的研究，使之应用于IC器件TsV晶圆级封装技术中。.在研究中，封装步骤为，首先以粘接技术在晶圆上覆盖一保护层；然后将晶圆从硅面减薄至要求的厚度；用反应离子刻蚀的方式再从硅面制作／出TSV；区域覆盖绝缘层...
二氧化硅的反应离子刻蚀原理RIE）包含物反应离子刻蚀（reactiveionetching，理性刻蚀和化学性刻蚀两种刻蚀作用，是本论文采用的干法刻蚀技术。.刻蚀时，反应室中的气体辉光放电，产生含有离子、电子及游离基等活性物质的等离子体，可扩散并吸附到被刻蚀...
反应离子刻蚀在穿透硅通孔封装技术中的应用研究.【摘要】：随着社会的发展,人们需要体积更小,功耗更低,成本也更低的IC(IntegratedCircuit,集成电路)产品。.正是这种旺盛的需求极大推动了半导体IC封装技术的发展。.传统的IC二维封装方式,是以引线键合方式将...
上海交通大学硕士学士论文PMMA的反应离子深刻蚀及侧壁钝化研究1．2高深宽比干法刻蚀由于微机电系统和微光机电系统中微器件的体微细技术,对刻蚀图形深宽比,侧壁垂直度和微结构表面的光洁度要求很高深宽比越高,侧壁越陡直,及侧壁和底面光洁度...
优秀硕士学位论文—《反应离子刻蚀设备的方案设计研究》摘要第1-5页ABSTRACT第5-6页第一章绪论第6-16页§·光子晶体及其方法
【摘要】：对硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀...
内容提示:论文精选第五届全国光子学大会会议论文集第三分册:集成光学反应离子刻蚀设备的研究何小锋16单东辛靓国防科10073摘要:反应离子刻蚀是20世纪...
反应离子刻蚀设备的研究.pdf,第五届全国光子学大会会议论文集第三分册:集成光学反应离子刻蚀设备的研究16何小锋单能飞袁哓东辛靓国防科技大学光电科学...
【摘要】:作为等离子体干法刻蚀技术的一种,反应离子刻蚀诞生于20世纪70年代。虽然在近几十年里,不断有新的刻蚀方法涌现,但由于反应离子刻蚀具有良好的刻蚀性能,且对金属和介...
氮化硅的反应离子刻蚀研究.pdf,第32卷第5期电子器件Vol.32No.52009年10月ChineseJournalOfElectronDevicesOct.2009StudyontheR...
中国重要会议论文全文数据库前10条1王晓东;余家欣;陈磊;钱林茂;;水分和氧气对单晶硅摩擦化学行为的影响[A];2011年全国青年摩擦学与表面工程学术会议论文集[C];2011年2彭冬...
AlCu合金的反应离子刻蚀具有其工艺特殊性,如Cu的去除、侧壁的保护、后腐蚀的抑制等.采用BCl3、Cl2、N2和CH4刻蚀AlCu合金,获得了优化的工艺参数,分析了CH4的侧壁...
请问大家给予一些建议，本人的硕士论文可能就会围绕刻蚀入手进行相应的基础研究。刻蚀的材料是铁电薄膜材料...
研究了锆钛酸铅(PZT)薄膜的深槽反应离子刻蚀(DRIE)技术。首先,对比了3种工艺气氛条件下(SF6/Ar、CF4/Ar和CHF3/Ar)刻蚀PZT的效果。实验结果表明,3种工...详情>>压电与声光20...
反应离子深刻蚀技术的研究孙承龙戈肖鸿王渭源中国科学院上海冶金研究所姜建东复旦大学摘要本文概述了微机械的发展前景和反应离子刻性技米在徽机械研...