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PN结正向电压温度特性研究五、实验内容与步骤1．测量PN结正向伏安特性曲线。由式（4）可以看出，在温度不变的条件下，PN结的正向电流IF与电压VF呈指数曲线关系，本实验要求绘出室温和t=40℃两条PN结伏安曲线。
纳米尺度范德华异质结的电学与光电子学特性研究.高安远.【摘要】：PN结是电子学和光电子学器件的核心部件。.随着器件的尺寸越来越小,纳米尺度PN异质结的研究显得尤为重要。.然而,因为悬挂键和晶格失配,传统材料很难实现原子级平整的异质结界面,限制...
本论文本文主要着重于发光二极管的电学特性参数的测量，在阐述发光二极管的结构特点特点的同时，进一步介绍了LED一些重要的特征参数及其测量方法。还介绍了一种用于测量LED的电学特性参数时用到的数控电压源和数控电流源的设计。
给大家展示几个例子：.1.p-GaN.求得图&阈值IVBV(代码只到Vth)：.IV.BV.2.mos.3.finfet.下面是VthIVBV求解代码：.BV程序#goatlas#启动ATLASmeshinfile=VDMOS_BV_0.str#输入前文编辑的器件结构的网格文件modelsanalyticconmobfldmobsrhaugerfermioptrbgnprint#中使用…
低能离子束轰击碲镉汞pn结电学特性的研究.用低能离子束轰击工艺了3～5μm及8～10μm碲镉汞pn结,研究了它们的电流－电压及电容－电压特性,发现该pn结为缓变结,与通常认为的关于低能离子束轰击p型碲镉汞造成表面转型的机制主要是汞扩散的假说相符合
【精品专业论文】600VVDMOS的设计与研究,精品专业论文,电子,机械,机械设计,电器,工业,自动化,吉林大学,清华大学号：TN802单位代码：10183研究生学号：2008512066硕士学位论文600VVDMOS的设计与研究DesignVerticalDouble-diffused...
沟槽式肖特基势垒二极管电学性能研究.【摘要】：自从平面肖特基二极管产生以来,就受到了人们的高度关注。.平面肖特基二极管具有优异的高频特性和较低的正向开启电压,这些独特的性质使得其在太阳能电池,开关电源、汽车以及手机等多个领域都有着巨大...
本文关键词：透明氧化物半导体薄膜的及其光电特性的研究更多相关文章：磁控溅射ZnO:Ga靶材NiO:Cu靶材ZnO:Ga薄膜NiO:Cu薄膜pn结Ⅰ-Ⅴ曲线光电特性【摘要】：以ZnO、Ga_2O_3、NiO、CuO等粉末为原料,采用固相反应法了ZnO:Ga和NiO:Cu陶瓷靶材。...
铁电局域场调控二维半导体及其异质结构的光电特性研究.陈艳.【摘要】：随着半导体技术的发展,传统半导体材料和器件面临着越来越多的挑战。.近年来,二维材料的兴起为半导体路线的发展提供了新的机遇。.人们在二维材料及其异质结构中发现了许多新奇...
采用最新的鳍式结构的硅晶体管,目前达到了7nm的工艺节点,其中它的鳍宽度(沟道厚度)已近缩小到5nm。但是继续缩小硅晶体管的沟道厚度,超薄的硅薄膜会产生大量的缺陷,将会严重影响硅晶体管的迁移率…
实验PN结直流电学特性测量一.实验目的与意义PN结的电学特性是微电子技术的基础。通过本实验可以使学生加深对PN结正、反向电学特性的了解;比较硅,锗不同半导体材料PN结正向特性曲...
【摘要】:提出梳齿状pn结单晶硅太阳电池,通过计算机TCAD模拟的方法,对单晶硅太阳电池的梳齿状pn结结构对电池内部电流分布和电池效率造成的影响进行模拟分析和理...
半导体纳米线pn结是构建纳米级器件的理想功能微结构之一。纳米线pn结的电学特性更是设计器件时需要考虑的重要参数。但是现阶段对于纳米线pn结电学性质的研究仍然比较匮乏,因...
上学位论文摘要GaAs纳米线pn结电学特性的研究摘要本论文的研究工作是围绕以下项目展开的:新型光电子器件中的异质兼容集成与功能微结构体系基础研究(国家973计...
GaAs纳米线pn结电学特性的研究下载积分:2498内容提示:声户明明独创性(或创新性)声明本人声明所呈交的论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成...
半导体纳米线pn结是构建纳米级器件的理想功能微结构之一。纳米线pn结的电学特性更是设计器件时需要考虑的重要参数。但是现阶段对于纳米线pn结电学性质的研究仍然比较匮乏,因...
(51172009,51172013)收稿日期:20111230;修订日期:20120618通信作者:董国波,博士;电话:01082317936;Email:wavedong@buaa.edu第23卷第1期董国波,等:pCuCr0...
PN结耗尽区的电学特性——老张老师深入浅出讲半导体器件物理系列之3关注00:00/36:27自动1080P高清登录即...未经作者授权,禁止转载给大家细细的梳理下空间电荷区的一部分知识结构公开课...