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高电子迁移率晶体管中的DX中心研究.pdf,优秀硕士毕业论文，本科毕业设计参考文献资料。完美PDF格式，支持复制编辑！！！论文摘要许多化合物半导体在进行施主掺杂时都会出现DX中心,由于DX中心对器[1-10]件的能带结构、输运性质都有着...
ALGANGAN高电子迁移率晶体管的模型研究.摘要摘要氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一，其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀，非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝光、绿光和紫外光电子器件...
本论文即针对GaN高电子迁移率晶体管的特性及其在功率放大器中的应用进行研究。研究GaNHEMT器件的小信号模型，根据现有的器件和实验条件，提出了一种小信号等效电路模型，采用直接提取法提取小信号参数，给出了详细的参数提取流程，对比了模型与实际测量的S参数，验证了模型的准确性。
高电子迁移率晶体管模型与高效率MMIC放大器研究.随着大流量移动宽带业务、大规模物联网技术以及工业自动化设备的需求不断高涨，未来无线通信系统需要更快的数据传输速度、更大的数据容量以及更低的信号延迟，而这也对无线射频发射机的性能指标提出了...
AlGaN%2fGaN高电子迁移率晶体管TCAD的研究.pdf,优秀硕士毕业论文，完美PDF格式，可在线免费浏览全文和下载,支持复制编辑,可为大学生本专业本院系本科专科大专和研究生学士硕士相关类学生提供毕业论文范文范例指导,也可为要代写发表职称...
【摘要】GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有大的禁带宽度、高的临界击穿场强、高的电子饱和漂移速度、以及强的自发和压电极化效应产生的具有优越输运特性的二维电子气（2DEG）等出色的材料性能，非常适合应用于高温、高压、高频大功率...
高电子迁移率晶体管（HEMT，HighElectronMobilityTransistor）：HEMT是一种异质结场效应晶体管（HFET），又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET）、二维电子气场效应晶体管（2-DEGFET）、选择掺杂异质结晶体管(SDHT)等。
纯氮化镓（GaN）本身的电子迁移率在沟道里面确实不高。.但通常我们所说的HEMTGaN指的是GaN/AlGaN之间的结构层存在有异常高浓度的二维电子气（相比普通的SiMOS，它其实高好几个数量级），稍微有点场强或者其他的变化，电子气就跑出来了。所以它也叫高...
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管2021-06-3010:02来源:华林科纳当增加功率器件两端的施加电压时，器件内的电场开始增加。一旦电场接近临界水平Ec，功率器件就会发生雪崩击穿。为了在具有不同材料成分的类似系统之间进行简单比较，我们研究...
磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺+申请认证文档贡献者维普资讯网中国最大最早的专业内容网站000.0文档数浏览总量总评分相关文档推荐GaN基高电子迁移率晶体管...385人阅读...
在研究较为成熟的III-V族化合物半导体材料中,InAs材料具有迁移率高、载流子饱和漂移速度大等优势,但因为缺少晶格匹配的半绝缘衬底等原因,InAs沟道的高电子迁移率晶体管的材料外延仍有待于研究;此...
学校代号10532博士学位论文GaN高电子迁移率晶体管特性及其功率放大器研究学位申请人姓名冷永清物理与微电子科学学院导师姓名及职称物理学微纳器件与集成...
西安电子科技大学博士学位论文AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型研究姓名:常远程申请学位级别:博士专业:微电子学与固体电子学指导教师:张义门20060401...
algangan高电子迁移率晶体管的模型研究word格式论文.docx,摘要摘要氮化镓(GaN)是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一,其化学性质稳定、耐高温...
中国硕士学位论文全文数据库前10条1朱媛媛;高电子迁移率晶体管建模及参数提取[D];天津大学;2017年2王晓慧;高中生数学建模水平的现状研究[D];青岛大学;2017年3管于廷;苏东...
【摘要】:氮化镓基高电子迁移率晶体管(HEMT)是实现高效节能与小型化、轻量化电力电子变换器的下一代功率器件。一方面这是由氮化镓材料本身的优异特性所决定的,如宽禁带宽度(3...
.4Aug.,2013文章编号:2095—4980(2013)04-0536-05高电子迁移率晶体管材料结构的及分析王雪敏一,阎大伟,沈昌乐彭丽萍,赵,吴卫东妍,黎...
西安电子科技大学博士学位论文GaN基异质结及高电子迁移率晶体管的关键机理研究姓名:张金风申请学位级别:博士专业:微电子学与固体电子学指导教师:郝跃20060401...
一种紧凑的GaN高电子迁移率晶体管大信号模型拓扑_物理_自然科学_专业资料。第2期2018年2月电子学报ACTAELECTRONICASINICo1.46No.2Feb.2Ol8一...
而GaN电子器件主要以GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件为主,与传统的MESFET器件相比,GaNHEMT器件不仅具有较高的击穿电压、较高的截止频率、高的电子饱和速度等...